存储器的创新和发展历程介绍

回顾存储器的创新和发展历程

自电子革命以来，半导体存储器发挥了不可或缺的作用。从广义上讲，存储器分为断电后仍能保存信息的非易失性存储器，和断电后信息将丢失的易失性存储器。在罗彻斯特电子半导体存储器系列主题的第一篇文章中，我们将回顾非易失性存储器的起源。

首个非易失性存储器是PROM（可编程只读存储器），以及与之密切相关的EPROM（可擦写可编程只读存储器）。最初的PROM产品在1967年由贝尔实验室提出，并于1971年由英特尔进一步开发。

最初，有两种EPROM：一次性可编程版本和使用紫外线(UV)擦除内存内容的版本。UV可擦除版本特别适合在原型和开发设计阶段进行设计修改。

第一款实用且量产的容量只有256字节，以今天的标准来看简直小得惊人。很快，其它知名供应商也开始销售此类产品，如AMD、英特尔、富士通、日立、Macronix、Atmel和德州仪器。

这些竞争供应商在内存容量、低电压操作和封装选项方面取得了进步。

由于需要专用设备，EPROM的主要挑战之一是使用紫外线重新编程带来的不便。随着EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）的问世，解决了这个问题，该产品使得重新编程变得更快、更可靠并且可以直接在板上完成。这项技术最初由Solid State Devices于1972 年制造，后来由Hughes Aircraft、Fairchild和 Siemens等在内的一系列公司进一步开发。存储器的持续完善带来了更高容量、更低的操作和编程电压，以及更块的速度选项。另一个值得注意的变化是从8位并行接口转向串行接口，例如I2C和SPI。这伴随着半导体几何尺寸的缩小，允许迁移到更小尺寸的封装中。

三十年后，EPROM和EEPROM仍在众多设计中使用。尽管半导体产业格局不断演进，但Microchip（Atmel）、onsemi（Catalyst）、Renesas、Rohm和 ST Micro等制造商的相关生产仍在继续。罗彻斯特电子可持续提供相关EPROM产品，覆盖停产元器件和未停产器件，还可提供AM27C256、AM27C512和AM27C010等新产品。

在非易失性存储器领域，随着闪存的推出，竞争也随之而来。闪存于1980年由东芝发明，可以电擦除和重新编程存储器，开创了在线重新编程的概念。如今，在线重编程早已成为制造过程的一部分，这样就能够在量产时对存储器内容进行更改。在此之前，许多产品都是提前数周从供应商和分销商处订购预编程的，这会在需要更改时产生问题。

这项改进提高了生产线的自动化水平，提高了生产灵活性并降低了成本，有利于大规模代工服务。

再后来，闪存演变为两种不同的技术。原始的NOR flash技术可以轻松访问所有内存位置且可靠性高；而NAND flash技术则兼顾了更高容量和更低成本，但代价是不允许内存访问单个位置并需要管理内存单元。

每种技术都具有独特的优势，并且针对每种技术都开发了相应的市场应用程序。NOR Flash是存储代码和关键数据的理想选择；而NAND Flash在大容量数据存储方面表现出色，使其现在在某些应用中取代了硬盘驱动器。目前活跃在闪存市场的一些供应商如兆易创新、英飞凌、ISSI和Macronix。

罗彻斯特电子能够为闪存提供持续供货支持。基于与Infineon的合作，罗彻斯特电子能够为Cypress和Spansion的Nor flash系列产品提供长期支持。所销售的产品100%获东芝的授权，可追溯，有保证。

编辑：黄飞