存储器市场需要寻找一个新的发展方向

（文章来源：中国产业经济信息网）

受到存储器价格震荡下跌的影响，国际存储器主要制造商相继采取削减资本支出或降低产量等应对措施。以美光为例，2019年其在NAND闪存产量削减从原本计划的5%扩大到了10%。不过目前国际大厂减产多半是针对旧制程的64层NAND，而新一代96层的研发投入并未缩减。

在三星、东芝存储器（TMC）、西部数据、美光、SK海力士等3D技术快速发展的推动下，不仅NAND Flash快速由2D NAND向3D NAND普及，2019下半年各厂商将加快从64层3D NAND向96层3D NAND过渡。6月27日，SK海力士成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年开始投入量产。新产品比以往96层4D Nand芯片的生产效率提高了40%，并首次用TLC存储方式达到1TB的容量。

三星官方宣布已率先量产了全球首款基于136层堆叠的第六代256GB TLC V-NAND颗粒的新型250GB SATA固态硬盘（SSD），与上一代相比，新的V-NAND芯片性能提升了10%、功耗降低了15%、生产效率提升了20%。在内存芯片领域，3月21日是三星电子开发出业界首个第三代10纳米级 （1z-nm） 8GB双倍数据速率（DDR4）DRAM。

未来，在价格、库存等多重因素压力下，全球存储企业将在先进工艺制程领域展开新一轮的厮杀。

在存储器技术继续延续摩尔定律发展的同时，以新材料、新结构、新器件为特点的超越摩尔定律为存储器产业提供了新的发展方向。三维异质器件系统集成成为发展趋势，三星、美光、英特尔、海力士等企业在三维器件制造与封装领域发展迅速。英特尔联合美光推出革命性的3D Xpoint新技术；三星实现多层3D NAND闪存，成为存储领域的颠覆性产品。SK海力士采用超均一垂直植入、高信赖多层薄膜构成、超高速低电力线路设计等技术，首次实现了128层堆栈4D NAND。

随着市场需求的多样化、工艺的限制及功耗的考虑，存储器产业已进入一个必须评估其发展替代技术的时代，特别是开发出可以同时实现稳定性和快速、低压（低能量）的新型存储器。经过数十年的研发，磁性存储器（MRAM）、相变存储器（PCRAM）和电阻式存储器（ReRAM）等新型存储器即将在不远的未来投入商业化应用。
       MRAM具备随机读写速度快、非易失性和低功耗等众多优点，未来将成为物联网设备的首选存储器。ReRAM技术有多种实现形式，其特色在于即使拥有超高密度，仍能达到极小的平均读取电流。PCRAM在使用过程中即使断电，信息也不会消失。新型存储器有望实现更高的性能、更低的功耗和更低的成本，是首选的补充方案，在某些情况下甚至可以替代当今的主流技术。