下一代存储介质的选择是TLC还是QLC

（文章来源：极客视界）

SSD以及闪存产品存储技术的升级是赢取市场先机的利器，这场激烈的存储大厂技术角逐战能为我们带来怎样的答案？

对于全球闪存行业来说，如果存储产业链是制造商的主战场，存储介质就是决胜未来市场的关键。在云端、人工智能、5G快速落地的如今，我们的世界正迈向一个ZB级的数据时代，在数据大爆炸的新兴边缘，数据存储架构、以及存储密度都面临着巨大的挑战。在如此趋势下，存储企业重心都集中在能实现更大容量和更强性能的SSD上。

每一年的CFMS盛会，我们都能够从新产品的发布中感受着闪存技术更迭换代，目前市场上，闪存NAND颗粒共分为四种类型，从高到低分别为SLC、MLC、TLC、QLC. 闪存颗粒在SSD中扮演着重要的角色，对性能有着主心骨的作用，成为存储厂家的必争之地。

西部数据是一家专注于数据存储技术开发与创新的美国公司，在硬盘存储和闪存技术具有业内公认的核心竞争力，QLC闪存作为最新的闪存类型，实然是3D NAND层数递增遇到瓶颈的解决方案。我们都知道现在的3D NAND闪存，从24层到48层到96层发展到以后的100多层，在技术之巅，从来不缺少西部数据的身影。

西部数据在2017年发布的第四代96层3DNAND，将于2018年Q3抢先进入量产，Fab工厂每天产量可达8500片晶圆。先期以96层TLC 245Gb/512Gb为主，Q4开始量产96层QLC 1Tb。但都只能成为一个线性的密度增加，其实他并没有从根本上增加存储密度。而QLC闪存颗粒每单元可以存储4位数据，是SLC的4倍、MLC的2倍、TLC的1.33倍，它大幅度的提高了存储密度，它有效地控制了存储的成本，而且有着很高效的读取性能。

从SLC、MLC到每单元3比特的TLC，再到目前每个存储孔可达422比特每单元的QLC，西部数据在研究闪存介质的路上创新不止，QLC能够实现了更深度的存储密度扩展，成本也得到了控制。所以无论是从经济角度还是存储密度角度而言，QLC闪存都是未来发展大容量SSD的最佳选择。

其实在上一届CFMS的时候，全球首款QLC闪存已经被研发出来并带来产品亮相，但是因其在写放大和擦写次数方面有严重的局限性而饱受诟病。面对QLC闪存寿命的限制，固态硬盘的下一个突破口何处可寻？

西部数据公司产品市场部副总裁朱海翔在对ZB生态深度解析时表示：“令人欣慰的是，如果解决产品的写入限制问题，QLC产品可以经济高效地实现存储密度的深度扩展。西部数据的分区存储技术，成功实现了对QLC写入寿命损失的有效管理、同时大幅提升产品耐久性，进而诠释系统存储效益最大化和数据中心TCO的最优化。”

在本次CFMS上，西部数据展现了分区存储技术在SSD产品上的创新沿用——Zoned Namespaces（ZNS）SSDs。分区命名空间是 NVMe 标准的扩展。借助这项技术，西部数据能够提供与 HHD 分区类似的固态硬盘，从而允许将所有存储（无论是 HDD，还是固态硬盘）视作一种技术。Zoned Storage Initiative 在分离环境中利用 SMR 和 ZNS 技术、开源标准和专用计算。

相较于传统的NVMe SSD，ZNS NVMe SSD具备多种优势，首先就是总体拥有成本的降低，另外，ZNS NVMeSSD可以和计算资源更好地进行匹配，用名为“分区命名空间”的配套技术来存储和检索信息，而之前的写入限制通过分区存储技术也变成写入管理，实现了在不牺牲性能的情况下提高存储容量。

在踏入QLC时代的路上，西部数据俨然已是先行者的姿态，以分区存储技术为将来成功实现大型云数据中心规模化地部署QLC打下坚实的基础，这无疑是在存储行业选择题之上另辟新路径，为随之而来的数据存储挑战准备就绪。