当用户需要使用链表管理数据时,仅需关联数据和链表结点,最简单的方式是将数据和链表结点打包在一起。
2017-09-20 16:28:4114785 热电偶提供了一种低成本、中等精度的高温测量方案。正如Thomas Seebeck在1821年发现的那样,它们基于两个结点之间产生的电压,每个结点都由不同的金属构成,放置于不同温度环境下。
2020-12-21 11:40:561942 51中的LED灯压降都是1.7v吗,压降和什么有关
2023-10-31 08:12:31
关于半导体C-V测量的基础知识,你想知道的都在这
2021-04-12 06:27:51
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术,其特点是无运动部件,可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么?半导体制冷片有哪些优缺点?
2021-02-24 09:24:02
的束缚力,这样的环境能将电子被紧紧地束缚在原子核附近。当温度升高时,ASEMI半导体的热能使某些共价键发生反映形成传导。
2018-11-08 11:10:34
如何利用半导体去实现医生与病人间的信息化管理?
2021-05-28 06:24:53
1. 本征半导体及其特点 纯净的半导体称为本征半导体。在热“激发”条件下,本征半导体中的电子和空穴是成对产生的;当电子和空穴相遇“复合”时,也成对消失;电子和空穴都是载流子温度越高,“电子—空穴
2021-05-24 08:05:48
半导体材料半导体的功能分类集成电路的四大类
2021-02-24 07:52:52
哪位大神可以详细介绍一下半导体式光纤温度传感器的建模、仿真与实验
2021-04-07 06:42:55
。目前研究的光纤温度传感器主要利用相位调制、热辐射探测、荧光衰变、半导体吸收、光纤光栅等原理。其中半导体吸收式光纤温度传感器作为一种强度调制的传光型光纤传感器,除了具有光纤传感器的一般优点之外,还具
2018-11-01 14:57:18
请教下以前的[半导体技术天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半导体材料从发现到发展,从使用到创新,拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初,就曾出现过点接触矿石检波器。1930年,氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用,是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成,成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
载波机中的石英晶体振荡器小结思考题练习题半导体电路实验和电子测量仪器简介半导体电路实验实验一半导体三极管的判别和直流参数的测定实验二直流稳压电路的调整和测试实验三LC振荡电路的调试和研究实验四阻容耦合放大
2008-07-11 13:05:29
随着温度的升高,金属的电阻率增加,使其具有正的电阻温度系数。半导体的电阻温度系数是负的。非本征半导体的电阻率大于本征半导体。半导体电阻率的温度依赖性对其在电子学中的应用起着重要的作用电导率描述了电流
2022-02-25 09:55:01
半导体具有独特的导电性能。当环境温度升髙或有光照时,它们的导电能力 会显著增加,所以利用这些特性可以做成各种温敏元件(如热敏电阻)和各种光 敏元件(如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。更重
2017-07-28 10:17:42
半导体具有独特的导电性能。当环境温度升髙或有光照时,它们的导电能力 会显著增加,所以利用这些特性可以做成各种温敏元件(如热敏电阻)和各种光 敏元件(如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。更重
2018-02-11 09:49:21
功率半导体的热管理对于元件运行的可靠性和使用寿命至关重要。本设计实例介绍的爱普科斯(EPCOS)负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻系列,可以帮助客户可靠地监测半导体元件的温度。
2020-08-19 06:50:50
国际半导体芯片巨头垄断加剧半导体芯片产业呈现三大趋势
2021-02-04 07:26:49
半导体是什么?芯片又是什么?半导体芯片是什么?半导体芯片内部结构是由哪些部分组成的?
2021-07-29 09:18:55
` 谁来阐述一下半导体集成电路是什么?`
2020-03-24 17:12:08
挣脱束缚,会导致载流子浓度上升,从而打破这个平衡,温度一定后会再次建立平衡。杂质半导体通过扩散工艺,在本征半导体掺入某些元素。一 .N型半导体在本征半导体加入+5价元素磷,由于加入了最外层为5个电子
2020-06-27 08:54:06
温度降额的计算 结点到表面的热阻Rjc(℃/W) 10 开关管的最高工作温度Tmax-spec(℃) 150 高温测得的开关管表面温度Tmax(℃) 81.8 89.8 开关管的实际温度降额(%) 59.9
2011-06-10 10:20:45
请教各位大神,AD19如何放置结点?
2019-08-06 10:01:40
MOS 管的半导体结构MOS 管的工作机制
2020-12-30 07:57:04
有六路输入,输入电压从0.1mv、0.2mv、0.3mv···逐渐曾大,公共端输出电压分别对应0mv、0.1mv、0.2mv··、0.3mv、0.4mv,即出现压降压降随着输入电压增大逐渐增大。压降刚开始0.1mv,然后0.2mv,0.3mv····如何消除max4581的压降,求助给位前辈
2015-11-26 14:34:11
mos的结点温度,和背板温度指的是什么?
2015-10-25 21:29:35
Junction) 结点温度Ta 环境温度就是指开关管的周围环境温度,一般规格书里面给出来的都是25℃一个我们的电子产品里面经常会用到的室温环境温度。Tc 外壳温度就是指半导体器件的封装表面的温度,而对
2021-09-08 08:42:59
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍,非常适合
2019-07-29 07:16:49
一个微小的变化时,将引起正向电流一个很大的变化。利用二极管管压降随温度微小变化的特征可以设计成温度补偿电路,在分析温度补偿电路时不了解二极管的这种特性,电路的工作原理就无法分析。二极管规格书下载:
2022-03-18 15:39:31
:0-30V5.正向压降测量精度:≤1%6.供电电压:AC220V±10%,50Hz7.消耗功率:≤15W8.工作温度:25℃±10℃ 三、产品外观图 四、使用方法 本仪器采用四线测量法,保证了大电流
2015-03-11 13:48:07
基于霍耳效应的半导体磁电转换传感器。在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角度、角速度、流量、电流、电功率等许多非电量测量中,半导体磁敏元件是一种重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
(SiC)和氮化镓(GaN)是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比,两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流,从而可以提高半导体工作温度。此外,SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
3W的功率,结点温度是这样,Rth(j-c)的值容易根据电路板条件发生变化,而且正确的管壳温度测量又很难,所以作为推定结点温度的方法,不怎么推荐。关于结点-管壳间热电阻Rth(j-c)结点-管壳间热电阻
2019-04-10 21:55:53
`电路图如下,采用的单片机输出PWM控制达到调整电流的目的,但MOS管压降太大10V左右,温度很高。。输出电流大概控制在250mA左右求解。。换成三极管驱动也不行,图腾柱式驱动压降也依旧很大。。望哪位大大帮忙分析分析。。`
2015-05-14 10:37:46
想问一下,半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备,比如探针台有没有用到,具体要求是那些,
2024-03-08 17:04:59
//注意:该文件操作的单链表为带头结点单链表,头结点数据无效#include #include #include #define OK 1#define ERROR 0typedef int
2020-03-27 00:43:45
图中基本电路说明了热敏电阻与ADC 的连接。电阻R1 和热敏电阻构成分压器,输出电压随温度变化。NTC 热敏电阻NTC 是温度测量中最常见的热敏电阻。NTC 通常由金属氧化物半导体材料铸模而成,具有
2010-10-19 16:29:14
基于半导体制冷片的高精度温度控制系统,总结的太棒了
2021-05-08 06:20:22
技术和编程技术,研制了大功率半导体激光器驱动电源。根据半导体激光器恒流工作特性,利用电流负反馈的方法,设计了稳流电路,实现了稳定的电流输出;根据半导体激光器的温度特性,利用负温度系数的温度传感器
2018-08-13 15:39:59
如何克服电流表带来的输入端压降?如何在测量电流时添加一个合适的反向偏压?
2021-06-17 10:56:10
如何实现基于STM32的半导体制冷片(TEC)温度控制系统设计?
2021-12-23 06:07:59
想用半导体制冷片制作小冰箱,需要用到大功率电源,半导体制冷片,还有散热系统,单片机控制系统,能调温度,还能显示温度,具体的思路已经有了,想问问你们有没好点的意见,能尽量提高点效率还有温度调节的精度
2020-08-27 08:07:58
电压)。通过将参考结点保持在已知温度上并测量该电压,便可推断出检测结点的温度。热电偶的优点是工作温度范围非常宽,而且体积极小。不过,它们也存在着输出电压小、容易遭受来自导线环路的噪声影响以及漂移较高
2013-11-20 08:52:26
常用的功率半导体器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
干结点监控及设置原理
2012-06-12 22:07:50
我用的labview2014版本的,对着书上还有论坛上学习,结果发现很多属性结点都找不到对应的项,比如vi的引用方法中菜单下面只有刷新一项,没有其他的,但是我见人家的都有APP_NEW等一系列的选项
2015-06-17 15:09:00
的变量有哪些呢?除了芯片性能,工艺技术外,温升变化又是非常重要的一个方面。 肖特基二极管正向压降?值大小与温度高低呈现反比关系 ASEMI肖特基二极管MBR60100PT作为半导体功率器件,在实际
2018-12-25 14:04:16
编辑-Z测量整流桥好坏的方法一般有两种,一种是电阻测试法,一种是压降测试法。整流桥KBPC1010-ASEMI如何测量好坏?我们可以用压降测试法。 KBPC1010参数描述型号:KBPC1010封装
2021-10-28 16:16:57
如果二极管没有电流流过,二极管两端有压降吗?如果有压降,测量前和测量后有差别吗?
2021-10-08 09:41:49
ºC下施加30ms 3W的功率,结点温度是这样,Rth(j-c)的值容易根据电路板条件发生变化,而且正确的管壳温度测量又很难,所以作为推定结点温度的方法,不怎么推荐。关于结点-管壳间热电阻Rth
2019-05-06 09:15:45
下面这个结点怎么画,求步骤
2016-10-15 21:28:15
我想问一下各位高手怎样写结点公式才能得到我画红圈的答案。(此时如上所讲c1和c2相当于短路)
2020-11-29 08:46:18
)的半导体传感器完成。根据测量的冷结点温度(请参见图 2)一个与热电耦系数相同的电压被加了进来。这一工作可以以模拟形式完成也可以以数字形式完成,称为冷结点补偿。如果冷结点为 0°C,那么这一合计的结果
2018-09-21 15:59:47
课题一:电子测温器设计要求:1.设计并制作一个以半导体热敏电阻为传感器的温度测温计;2.测温计性能要求 (1)温度测量范围:-40℃~200℃ (2)温度分辩率:0.5℃ (3)测温误差:≤1.0℃ 改为显示电压 (4)测温点到测温仪的距离最大可达1m (5)温度值指示:数码管显示
2016-08-30 23:21:32
铂和铂合金制作的热电偶温度计,甚至可以测量高达+2800℃的温度!热电偶的两种不同金属线焊接在一起后形成两个结点,如图(a)所示,环路电压VOUT为热结点结电压与冷结点(参考结点)结电压之差。因为VH
2021-05-25 06:51:45
半导体致冷晶片在环境温度45度时,是否还可以继续进行热冷转换,对工作电源有哪些严格要求?
2017-06-08 17:29:09
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01:01
已经在电路板上焊接好的mos管,如何检测管压降?不会导通时直接用万用表测量吧?
2017-09-19 09:49:32
试述为什么金属的电阻温度系数是正的而半导体的是负的?
2023-04-23 11:27:04
嗨,当我们在FIFO或GPIF FIFO中讨论FIFO时,FIFO是终结点缓冲器吗?也就是说,如果使用奴隶FIFO,当外部CPU将一个字节写入从属FIFO时,CPU直接将字节写入端点缓冲器中,或者
2019-07-08 11:13:26
刚开始做zigbee,对zigbee组网很疑惑。请问,所有的zigbee硬件都是一样的,只是程序有区别,我知道协调器,路由,结点的程序是不同的,请问多个路由和结点之间的程序有地址的不同,所以多个路由
2019-09-12 10:03:18
毕业设计的要求是用单片机设计一个温度测量电路,通过测量得到的温度去控制半导体片的电流方向,从而达到控制两面的温度!这个要怎么做,求大神
2020-03-25 00:26:51
不同制造厂商选用的掺杂材料和波长。 两个LED之间的温度不同也会带来颜色上的不同,并且还造成电压降的差异。温度较高时,电子更容易越过能量势垒。电压降以每度两毫伏的比例,随温度上升而减少。 半导体并不是
2014-08-18 14:22:40
` 超低残压半导体浪涌保护元件(LT电子) 型號斷態電壓轉折電壓通態壓降維持電流極間電容 VDRMVIDRMμAVSVISmAVTVITAIHmACOpF MAXTYPEMAXMAX
2014-05-14 15:17:04
这个输出结点要怎么弄啊?
2014-03-14 12:27:42
绍鑫电子半导体放电管是一种过压保护器件,它利用晶闸管原理制造而成, 依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电。半导体放电管能够通过较大的浪涌电流或脉冲电流。
2022-07-27 13:59:30
针对目前煤炭企业生产安全监控系统的结构特点,分析了单一传感器信息采集信息存在的问题,提出了基于嵌入式智能结点的多传感器信息融合的方法来提高系统信息的精确性和
2009-08-28 12:26:277 本文主要是提出一个基于长期监测环境无线传感器网络的路由设计,而能量有限在拓扑设计中是一个十分重要的问题,由于不可补充结点的无线感应网生命周期的延长是有限的,所以
2009-09-22 10:44:0414 结合2D-Torus网络的特点,以3×3 Torus为例采用markov过程建立结点失效独立和结点失效相关条件下的网络可靠性模型.通过建立markov状态空间图并进行求解得出可靠性模型的数学表达式,
2010-01-27 14:52:5511 本文主要从下面四个方面(温度量测方法,结点温度测试方法,应用实例,误差根源)对结点温度量测的进行探讨。
半导体结点(从IC中数以百万计的晶体管到实现高亮度LED
2010-07-31 09:55:2832 ; 凌阳科技(SUNPLUS)于近日宣布,推出基于16位单片机SPMC75的LIN 结点应用方案。&
2006-03-13 13:01:21772 半导体C-V测量基础
通用测试电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型
2009-08-27 10:37:453046 热电偶应用中冷结点补偿的实现
因为热电偶是差分温度测量器件,在处理热电偶信号时以冷结点作为参考点,考虑到非零摄氏度冷结点的电压,必须对热电偶输出电压
2010-02-27 11:58:00954 在Linux2.6内核中,devfs被认为是过时的方法,并最终被抛弃,udev取代了它。Devfs的一个很重要的特点就是可以动态创建设备结点
2011-05-05 11:36:321394 非常注意元器件性能上的裕量,却很容易忽视热耗散设计,案例分析我们放到最后说,为了帮助理解,我们先引入一个概念: 其中Tc为芯片的外壳温度,PD为芯片在该环境中的耗散功率,Tj表示芯片的结点温度,目前大多数芯片的结点温度为150℃,Rjc表
2017-11-14 14:18:290 最新一代PIC24F和PIC18F器件包含的充电时间测量单元CTMU使用恒流源来计算电容值得变化以及事件的间隔时间。运用半导体物理学的基本原理,同样的电流源也可用来测量温度。这允许使用普通而廉价的二极管来取代相对昂贵的热敏电阻和温度传感器。本技术简介描述了使用CTMU来测量温度的基本概念。
2018-04-23 11:07:1016 特性
• 热电偶电动势(Electromotive Force,EMF)至摄
氏温度转换器
- 集成冷结点补偿
• 支持的类型(由NIST ITS-90指定):
- K型、J型、T型、N型、S型、E型、B型和
R型
• 热结点精度为±1.5°C(最大值)
2018-06-27 14:24:0032 (B、E、J、K、N、S、R、T 类) 热电偶或定制热电偶的温度,可自动补偿冷结点温度并对结果进行线性化。另外,该器件还能利用标准的两线、三线或四线式 RTD、热敏电阻和二极管来测量温度。其具有 20 个可重配
2018-06-29 19:06:41297 (B、E、J、K、N、S、R、T 类) 热电偶或定制热电偶的温度,可自动补偿冷结点温度并对结果进行线性化。另外,该器件还能利用标准的两线、三线或四线式 RTD、热敏电阻和二极管来测量温度。其具有 20 个可重配
2018-06-29 19:18:29415 根据对物联网结点的分类,结点之间可能存在的连接类型,包括无源CPS结点与有源CPS结点之间、有源CPS结点与有源CPS结点之间以及有源CPS结点与互联网CPS结总之间的连接。无源CPS结点与有源
2021-09-01 15:32:092579 的温度。 当有两种不同的导体或半导体A和B组成一个回路,其两端相互连接时,只要两结点处的温度不同,一端温度为T,称为工作端或热端,另一端温度为T0 ,称为自由端(也称参考端)或冷端,回路中将产生一个电动势,该电动势的方向和大小与导体的材
2022-11-25 14:56:59636 给定一个头结点为 head 的非空单链表,返回链表的中间结点。
2023-01-11 17:58:46618 结点温度的计算方法1:根据周围温度(基本) 结点温度(或通道温度)可根据周围温度和功耗计算。根据热电阻的思考方法, Tj=Ta+Rth(j-a)×P Ta:周围温度(测量的房间室温)Rth(j-a
2023-03-23 17:02:281237 可根据管壳温度求出结点温度。 计算方法1或者2中介绍的,用结点-管壳间的热电阻代替结点-环境间热电阻:Rth(j-c)的计算方法。如下。 Tj=Tc+Rth(j-c)×P Tc: 外壳
2023-03-23 17:07:111372 半导体技术按摩尔定理的发展,集成电路的密度将越来越高,且尺寸越来越小。所有芯片工作时都会发热,热量的累积必导致结点温度的升高,随着结点温度提高,半导体元器件性能将会下降,甚至造成损害。因此每个芯片厂家都会规定其半导元体器件的最大结点温度。
2023-05-10 15:51:462954 半导体技术按摩尔定理的发展,集成电路的密度将越来越高,且尺寸越来越小。所有芯片工作时都会发热,热量的累积必导致结点温度的升高,随着结点温度提高
2023-05-10 15:53:423155
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