2016年整体DRAM需求预估成长23%

　　2015年受到需求面不振、持续供过于求的影响，DRAM价格呈现显着衰退，尤其以标准型记忆体最为明显。TrendForce旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange调查显示，在寡占市场型态下，虽然小幅供过于求且价格持续下滑，各供应商生产仍保持纪律，未有明显新增产能，因此延续2013年 与2014年态势，今年DRAM各厂仍维持全面获利。

　　DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2016年虽然受惠于来自智慧型手机及伺服器 的需求影响，单机搭载容量会有显着提升，各项终端产品仍难有爆发性的发展。DRAMeXchange预估2016年整体DRAM需求成长率约为23%，供 给位元成长约为25%。市场仍维持小幅供过于求，DRAM单价持续下滑，各家获利能力将大幅取决于制程转进所造成的成本下降以及产品组合的调配。

　　2016年DRAM产业趋势分析如下：

　　年度位元产出来自20奈米制程转进，晶圆投片量大约持平

　　吴 雅婷表示，DRAM属寡占市场型态，各供应商在产能的扩张上皆有所节制，相较仍处于完全竞争的市场型态的NAND Flash健康许多。2016年的位元产出主要是来自于SK海力士（Hynix）与美光半导体（Micron） 20/21奈米的转进，晶圆产能上，除三星（Samsung）的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新厂M14会陆续启用之外，2016年DRAM 总投片量与2015年呈现持平。

　　DDR4正式取代DDR3成为市场主流

　　随着市场需求转变以及20奈米逐渐成熟，DDR4 的生产比例越来越高。2015年由于英特尔（Intel）平台支援度的问题，DDR4的导入主要发生在伺服器端，并且已经率先在第四季取代DDR3成为主 流。DRAMeXchange预估，个人电脑/笔记型电脑端由新平台Skylake开始采用DDR4，将会在2016年第二季起放量，成为主流解决方案。

　　行动式记忆体与伺服器记忆体生产比重持续提升

　　智 慧型手机受惠于20nm制程产出的LPDDR4普及度越来越高，高阶旗舰机种（除Apple以外）以3GB/4GB为标准规格。吴雅婷指出，2016年第 二季起就会有单机DRAM搭载容量上达6GB的机种问市，大幅增加行动式记忆体的需求动能。伺服器记忆体亦然，受惠于20nm制程产出的DDR4普及度升 高，在高容量32GB/64GB模组成本降低，促使厂商策略性调降价格以刺激需求，有助于伺服器记忆体生产比重提升。

　　中国进军DRAM意图仍在，但进入门槛高，难有进展

　　2016 年中国持续发展半导体的策略不变，仍将有许多并购发生，记忆体方面更是中国发展的重点项目之一。吴雅婷进一步表示，与NAND Flash较为混乱的市场态势相较，DRAM市场三强鼎立的状态结构稳固，引进新的竞争者恐怕导致更严重的供过于求，因此三强与中国合作可能性低，使得中 国欲进军DRAM产业的困难度远高过其他半导体产品类别。