英特尔与美光联合开发新记忆体？

　　日前英特尔（Intel）与美光（Micron）发表了号称是全新类别的记忆体技术，这是颇罕见的讯息；这两家公司在新闻稿上表示，他们一起开发的3D XPoint是“自1989年NAND快闪晶片推出以来的首个新记忆体类别”，而且其速度是非挥发性记忆体的1，000倍、密度则是DRAM的8~10 倍。

　　但3D XPoint记忆体到底是什么其实不太清楚，根据EE Times编辑Peter Clarke的报导，英特尔与美光对于该记忆体的材料结构或开关机制细节透露得很少，仅表示其开关机制是基于块状材料的电阻变化，而两家公司为3D XPoint记忆体“发明了独特的复合材料”。英特尔与美光提供的新闻资料，花比较多篇幅谈到连网装置数量的爆炸，以及各种数位服务产生大量的新资料，为 了要让那些资料发挥用途，它们必须要能快速地储存并进行分析。

　　资料爆炸何时不曾发生？我从事科技报导至今已经快20年，总是听到资料量越来越多，而有变化的是那些资料会储存在哪里、将如何储存；我们对SAN、NAS的讨论，已经被传统硬碟机vs.固态硬碟（SSD）的话题取代，以及将有多 少资料会飞上“云端”。美光与英特尔也谈到了3D XPoint记忆体能藉由快速存取大量资料集，减少处理器在长程储存时接触资料所需时间；此外还有电脑玩家能因此享受到更短的下载时间。但这些都不是新的 概念。

　　当然，半导体产业界的讯息总是会有某种程度的夸大──例如现在每款SSD产品发表，都是强调每日可处理多少读写次数──英特尔与美 光的联合声明，看起来就很像是智慧型手机那种消费性产品的新闻稿，很强调那些哗众取宠的数字，却对新记忆体技术原理细节着墨不多，但后者才是记忆体产业界 人士们真正想知道的。

　　今年稍早我写了一篇关于三星（Samsung）新ePOP封装技术记忆体的文章，被很多希望看到更深入资讯的读者放 大检视；而我也继续向三星追踪讯息，尝试厘清该技术是否能达到如该公司所声称的性能，但三星不愿透露该公司是如何避免NAND快闪记忆体的温度升高到可能 导致故障的程度。

　　英特尔与美光最终还是不愿意透露3D XPoint 这种记忆体技术的本质，因此也引来许多猜测；它有可能是内置了特选的二极体、以实现高密度元件结构的电阻式记忆体（ReRAM）吗？EE Times的评论家们已经试图从有限的已发表资料中来分析…也许它是相变化记忆体（PCM）的变形？

　　市场研究机构Objective Analysis首席分析师Jim Handy也在英特尔与美光新记忆体发表会的现场，并询问两家公司的代表，究竟3D XPoint最接近哪种记忆体？但他得到的回答是，目前市面上没有任何一种技术像3D XPoint那么成熟；“他们还是没有揭开神秘面纱；”Handy表示，英特尔与三星就是坚持3D XPoint不像任何一种过往技术：“根据他们提供的有限资料，我们也只好照着他们的话说。”

　　就算它非常神秘，Handy表示3D Xpoint记忆体仍值得注意，但恐怕没有达到会让人从半夜惊醒的“突破”；各种替代性记忆体技术往往是希望能取代DRAM或NAND快闪记忆体，不过英 特尔与美光却表示，他们的新记忆体有自己的定位，而且不会让美光的3D NAND产品蓝图有变化。Handy认为：“它在记忆体阶层架构（memory hierarchy）中一定有个位置。”

　　那如果3D Xpoint实际上是块状开关（bulk switching） ReRAM、或是PCM的变种呢？以现有技术创造一种新使用途径，其创新性就跟发明全新的技术是一样的，而且如果能听到ReRAM或PCM是如何被重新设 计才变身成英特尔与美光的3D Xpoint，会比听到他们是用了什么材料“秘方”或新制程技术来得更有趣。

　　在英特尔与美光提供更多细节资料之前，我们对于3D Xpoint记忆体看来也只能继续猜测，除非等到采用该新记忆体技术的产品上市。