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电子发烧友网>测量仪表>设计测试>如何DIY一个100V耐压测试器?

如何DIY一个100V耐压测试器?

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CSM3820是款输入耐压可达100V的异步降压型DC-DC转换

CSM3820是款输入耐压可达100V的 异步降压型DC-DC转换,内置高位NMOS, 内阻仅有400mΩ,可提供1.5A的持续带载能 力,系统转换效率可达95%以上。具备高性能 的负载
2023-01-07 12:10:334947

采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩN沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190

DC-DC降压恒流调光,内置MOS耐压100V,共正极阳极PWM控制方案:FP7122XR-G1

DC-DC耐压100V内置MOS恒流调光芯片,输出共正极,PWM无频闪调光,恒流精度2%,调光深度0.5%。
2021-11-08 10:22:2720832

ROHM新增5款100V耐压双MOSFET,实现业界超低导通电阻

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应 用,开发出将两枚100V耐压MOSFET* 1体化封装的双MOSFET新产品。新产品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:161651

罗姆RBQ系列新增满足高耐压需求的100V产品,小型低损耗,高温环境下稳定运行的肖特基势垒二极管!

RBQ系列此次新增了12款100V产品(消费电子和车载领域各6款)。至此,包括阴极通用型和单极型产品在内,该系列已拥有共38款产品(耐压:45V、65V100V;电流:10A~30A)。
2023-10-10 17:02:151606

UTT50P10 100v耐压p-mos管TO-252封装

骊微电子供应UTT50P10TO-252封装100v耐压p-mos管,更多产品详细参数、规格书及相关资料请骊微电子申请。>>
2022-03-30 15:14:230

n沟道mos管100v SVG108R5NAD场效应管

骊微电子供应n沟道mos管100v94aSVG108R5NAD场效应管提供SVG108R5NAD94A、耐压100v贴片mos管详细参数、规格书等,是士兰微MOS代理商,更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2022-04-13 15:10:362

耐压100v贴片mos管SVG105R0NL5规格书参数

供应耐压100v贴片mos管SVG105R0NL5,提供SVG105R0NL5规格书参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-06-07 14:44:401

ETA1801是种高效的高频直流-直流降压开关调节100V/0.6A,高效同步降压转换

100V/0.6A,高效同步降压转换ETA1801是种高效的高频直流-直流降压开关调节,其工作输入电压高达100V和105V的隔离电压。它能够提供高达0.6A的输出电流。ETA1801采用
2023-04-19 18:35:202

100V电流模式PWM控制LM5020数据表

电子发烧友网站提供《100V电流模式PWM控制LM5020数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-15 10:05:423

NCP1034 100V同步降压控制评估板数据手册

电子发烧友网站提供《NCP1034 100V同步降压控制评估板数据手册.rar》资料免费下载
2024-04-26 17:00:440

航天级100krad 100V高侧电流检测电路

电子发烧友网站提供《航天级100krad 100V高侧电流检测电路.pdf》资料免费下载
2024-09-07 09:57:370

chroma 19053耐压测试-美国致茂

耐压测试Chroma 19050系列有三机种供选择,19052 AC/DC/IR耐压测试,19053 AC/DC/IR耐压测试,内建8组高压扫描功能,19054 AC/DC/IR耐压测试
2024-11-23 16:37:141233

TI LMG2100R044 具有集成驱动和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET

LMG2100R044 器件是款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级,集成了栅极驱动和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两 100V GaN FET 组成,由高频 90V GaN FET 驱动驱动,采用半桥配置。
2025-02-21 09:19:40908

TI LMG2100R044 具有集成驱动和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET应用与设计

LMG2100R044 器件是款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级,集成了栅极驱动和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两 100V GaN FET 组成,由高频 90V GaN FET 驱动驱动,采用半桥配置。
2025-02-21 09:28:211064

DK5V100R10VN 东科集成100V功率NMOS管同步整流芯片

DK5V100R10VN是款简单高效率的同步整流芯片。芯片内部集成了100V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管
2025-07-05 15:53:440

三星COG材质电容的耐压值是多少?

三星COG材质电容的耐压值通常覆盖6.3V至500V,常见规格包括50V100V、250V及500V,具体取决于封装尺寸与产品系列。以下为详细分析: 耐压值范围与典型规格 基础耐压值 COG
2025-10-13 14:38:59390

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