MOS 管计算导通损耗时，应该用平均电流IAVG还是用电流有效IRMS值呢？
2023-07-19 15:46:29
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MOS 管的开关损耗对ＭOS 管的选型和热评估有着重要的作用，尤其是在高频电路中，比如开关电源，逆变电路等。
2023-07-23 14:17:001217 
MOS管应用中的饱和电流怎么计算
2013-08-19 15:49:49
得到。 7、体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f 体内寄生二极管正向导通损耗，指MOS体内寄生二极管在承载正向电流时因正向压降造成的损耗。 体内寄生二极管正向导通损耗计算 在一些利用体内寄生二极管
2020-06-28 17:48:13
区别：1.MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。2.MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。3.MOS管的温度特性要比
2021-10-29 08:38:08
MOS管的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFCMOS管的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢
2018-11-09 11:43:12
只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。 我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS（ON）参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS
2018-10-31 13:59:26
、损耗及散热 小的Ron值有利于减小导通期间损耗，小的Rth值可减小温度差(同样耗散功率条件下)，故有利于散热。 5、损耗功率初算 MOS管损耗计算主要包含如下8个部分： PD
2018-11-02 11:49:56
01MOSFET的击穿有哪几种？02如何处理mos管小电流发热严重情况？03mos管小电流发热的原因04mos管小电流发热严重怎么解决05MOS管为什么可以防止电源反接？06MOS管功率损耗测量
2021-03-05 10:54:49
急剧提升。在高频开关中，MOS管的损耗分为导通损耗和开关损耗两种，导通损耗也就是通常所说的DS两极导通后的欧姆热损耗，然而在特别高的高频下，导通损耗是次要的，开关损耗上升为主要矛盾，所谓开关损耗就是从
2018-11-20 16:00:00
-请问各位专家，我是个电源新手，刚开始接触MOS管。现在又些问题，开关损耗主要是导通和关断这两个过程，其它损耗可忽略吗？
2019-06-27 09:10:01
开关电源 MOS管损耗MOS管开关电源损耗开关模式电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其
2021-10-29 09:16:45
求大神：mos管 功率放大电路，明明手册上写着可以到 100V 频率也可以到100MHZ。我按照图示电路 买了芯片连接，测了只有10几兆正常，而且电压加到正负10v，TC6320芯片就有50 、60
2017-11-27 20:06:05
MOS管的半导体结构MOS管的工作机制MOS管的驱动应用
2021-03-08 06:06:47
，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗
2020-07-10 14:54:36
称为芯片，而为计算机应用设计的IC称为计算机芯片。 虽然制造集成电路的方法有多种，但对于数字逻辑电路而言MO管是主要的方法。桌面个人计算机、工作站、视频游戏以及其它成千上万的其它产品都依赖于MOS管
2018-11-20 14:04:45
通期间损耗，小的Rth值可减小温度差（同样耗散功率条件下），故有利于散热。五、损耗功率初算 MOS管损耗计算主要包含如下8个部分： PD
2019-12-10 17:51:58
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
张飞电子第四部，MOS管不像三极管的BE有固定压降，所以不知道怎么计算。运放那边输出开路时，MOS管导通，具体是怎么工作的。1、刚开始，三极管基极电流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估计
2021-04-27 12:03:09
MOS管特性： 电压控制导通， 几乎无电流损耗。需要经常插拔电池的产品中, 防止电池反接是必需考虑的. 最简单最低成本的, 在电源输入中串一个二极管, 但二极管有压降(0.7V), 3.3V过去后
2021-11-12 07:24:13
的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降
2019-02-14 11:35:54
过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化
2019-01-11 16:25:46
一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V，你就用二极管降了0.6V，使得电池使用时间大减
2021-12-30 07:31:58
`到驱动波形Vgs关闭的时候Vds仍然导通导致，没有死区时间 下面是波形 我母线通电30V电压来测试的CH1是Vgs导通波形 CH2是 Vds波形中间有一段VGS下降了 MOS管还导通这是测两个低端MOS管Vds的波形 没有死区时间 另外我的尖峰脉冲是不是太高了 我上电300V的话会炸管吗`
2017-08-02 15:41:19
，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时...
2021-11-12 08:20:58
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21:49
都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导
2019-07-05 08:00:00
都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导
2019-07-05 07:30:00
都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止
2019-07-03 07:00:00
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全
2020-10-10 11:21:32
）电流非常小（电容的电流损耗）。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应管（MOSFET0)，因为MOS管更小
2012-07-11 11:53:45
老规矩先放结论：与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路形如：驱动电路电压源为mos结电容充电时经过栅极电阻，栅极电阻降低了充电功率，延长了栅极电容两端电压达到mos管开启电压的速度；结电容放电时经
2021-11-16 08:27:47
时，MOS管的损耗是不容忽视的一部分。下面将详细计算MOS管的损耗。2. MOS管的损耗来源2.1 MOS开关损耗MOS在开关电源中用作开关器件，顾名思义，MOS会经常的开通和关断。由于电压和电流都是
2021-07-29 06:01:56
在BUCK型开关电源中，如果没有损耗，那效率就是100%，但这是不可能的，BUCK型开关电源中主要的损耗是导通损耗和交流开关损耗，导通损耗主要是指MOS管导通后的损耗和肖特基二极管导通的损耗（是指完
2021-10-29 08:08:29
1、拓扑说明 基于逆变器的拓扑进行IGBT的损耗计算，如下为三相全桥结构带N线的方式。调制方式为SPWM波形，针对IGBT2和DIODE2分析，输出电流为正弦波形，输出电压为电网电压。其中二极管
2023-02-24 16:47:34
因此被降低，器件效率随之下降；其中，栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)，进而推导出MOS管
2023-02-17 14:12:55
确保足够的死区时间长度，但如果将死区时间设置得过长，会导致损耗增加。这是因为在死区时间内，SiC MOSFET处于OFF状态，因此电流会流过体二极管。通常，体二极管的导通损耗比较大，其导通时间越长，损耗
2023-06-12 14:29:41
桥设置死区的地方，本来应该低电平的，却有一个足以驱动MOS管的脉冲电压，导致MOS管发热严重。想问问各位大神，是什么原因，有什么办法解决呢？谢谢。图中的畸变还不算厉害，但强电电压上去后，就很高了。
2016-06-23 08:25:22
利用stm32f103生成互补pwm，然后控制反相器（反相器如图所示），需要考虑死区时间吗？如果需要的话，如何结合mos管的参数求得死区时间？
2023-10-30 16:01:55
圆通过外壳向周围的空气散热，所以计算温度的时候就用Rja，计算公式是Ta=Tj-P×Rja，如果MOS管的总损耗是知道，那就能计算出晶圆的温度是多少，比如Rja 是62℃/W如果损耗是1.2W
2021-09-08 08:42:59
MOS管损耗的8个组成部分在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形
2019-09-02 08:30:00
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶体三极管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
带来不利影响。以图2为例，首先假设输出电流按图示方向流动，而IGBT T1由开通到关断，经过一小段死区时间后IGBT T2由关断到开通。 在有效死区时间内，两个开关管都是关断的，且续流二极管D2流过
2019-04-23 08:00:00
计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在"导通"时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度
2013-10-29 17:27:29
/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗
2018-10-19 10:10:44
何为死区时间？如何去计算死区时间？
2021-05-10 06:52:52
您好！
我请教一个关于LT8705死区时间的问题：客户在使用LT8705过程中想确认上下功率MOS管的死区时间最小是多少？目前客户测试结果只有30ns左右。而根据MOS的上升沿和下降沿从20ns到40ns不等，有直通的风险，请问LT8705是怎么调节死区时间防止直通的？谢谢！！
2024-01-03 06:23:18
像2301那种mos导通后，VDS电压是0吗？也就是没有损耗?仿真是没有损耗的
2020-04-16 15:44:28
关于mos管漏极电流id的计算，能够找到的例子非常少，问的人也更加少，就是这个id电流计算有一个未知参数kn，这个参数在平常我们选择哪个信号的管子就需要去查看这个管子的电子文档资料datasheet
2018-05-28 18:59:27
只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。 我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS（ON）参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS
2018-10-25 14:40:18
mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗
2020-06-26 13:11:45
器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。
2018-11-08 14:13:40
被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。 了解了MOS管的选取法则，那么工程师们选择的时候就可以通过这些法则去选取所要的MOS管了，从而让整个电路工作能顺利进行下去。不会因为MOS管的不合适而影响后面的各项工作和事宜。
2016-01-26 10:30:10
如何计算MOS管的损耗？
2021-11-01 08:02:22
什么是死区时间？如何计算以及配置正确的死区时间呢？
2021-10-21 08:15:41
开关MOS的损耗如何计算？
2021-03-02 08:36:47
如何为计算机开关电源管理芯片选择更可靠的mos管？
2021-01-18 06:11:22
，MOS管处于稳态，此时电流接连经过器材。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器材。一旦确认了这些条件下的最大电流，只需直接挑选能接受这个最大电流的器材便可。 选好额外电流后，还有必要核算导通损耗
2021-03-15 16:28:22
所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的mos管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时，两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。4.计算导通损耗。在实际情况
2019-11-21 09:14:39
电源工程师知道，整个电源系统中开关MOS的损耗比不小. 讨论最多的是导通损耗和关断损耗，因为这两种损耗与传导损耗或驱动损耗不同，因为它很直观，所以有些人对其计算仍然有些困惑.今天，我们将详细分析
2021-10-29 08:43:49
MOS管损耗的8个组成部分 在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形
2019-09-06 09:00:00
开关电源死区时间计算
2013-07-28 08:55:51
MOS管开通损耗只要不是软开关，一般都是比较大的。假如开关频率80KHZ开关电源中,由于有弥勒电容，如果关断速度够快是不是MOS管的关断损耗都算软关闭，损耗接近0？另外开通和关闭损耗的比例是多少。请大神赐教，越详细越好。
2021-09-11 23:56:46
已经上传了驱动部分的原理图，我刚进一个做MOS的公司，有个客户是这样的，他说我们的管子温度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比较大，反向恢复损耗比较高，有什么办法可以降低吗，让MOS的温度的降下来
2019-09-11 04:23:31
怎样去计算MOS管栅极的驱动电流呢？如何对MOS管的驱动波形进行测试呢？
2021-09-28 07:36:15
损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样点电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗，现在的小功率MOS管导通电阻一般在
2018-12-03 14:43:36
`<p> 揭秘高效电源如何选择合适的mos管 目前，影响开关电源电源效率的两个损耗因素是：导通损耗和开关损耗，以下分别对这两种损耗做具体分析。 导通损耗 导通损耗
2018-11-06 13:45:30
电压开关（ZVS），而不会产生开关导通损耗。一方面，为了实现ZVS的导通，晶体管的寄生输出电容应在每个死区时间内使用该磁化电流完全放电。另一方面，在死区时间内，磁化电流会在初级端产生额外的环流损耗。因此
2023-02-27 09:37:29
相比极小)瞬态功率原因:外加单触发脉冲负载短路 开关损耗(接通、断开)*(与温度和工作频率是相关的) MOS管的rr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的) 器件正常运行时不发生
2018-11-21 13:52:55
电源损耗一般集中在以下一些方面：1.MOS管的开通损耗及导通损耗。2.变压器的铜损和铁损；3.副边整流管的损耗；4.桥式整流的损耗。5.采样电阻损耗；6.吸收电路的损耗；7.其它损耗：PFC电感损耗
2018-09-18 09:13:29
值有利于减小导通期间损耗，小的Rth值可减小温度差（同样耗散功率条件下），故有利于散热。 五、损耗功率初算 MOS管损耗计算主要包含如下8个部分： PD
2019-02-21 12:02:20
比如一个电源，全桥架构，副边用的是桥式整流输出，输出电流为10A，假设二极管的管子压降为1.5V，那么副边的二极管通态损耗怎么样计算？可以这样了解吗：正半周期一组对角的二极管导通，此时功耗为1.5V*10*2=30W，同理负半周期也如此，则副边二极管损耗为60W。
2018-12-18 14:52:44
示波器的死区时间具体是多少？怎么计算？如何减少示波器的死区时间？
2021-05-07 06:22:13
最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。`
2019-01-10 11:52:27
最大的两个损耗因素是：导通损耗和开关损耗，以下分别对这两种损耗做具体分析。 导通损耗 导通损耗具体来讲是由MOS管的导通阻抗Rds产生的，Rds与栅极驱动电压Vgs和流经MOS管的电流有关。如果想要
2016-12-23 19:06:35
相对于PWM来说，死区时间是在PWM输出的这个时间，上下管都不会有输出，当然会使波形输出中断，死区时间一般只占百分之几的周期。但是当PWM波本身占空比小时，空出的部分要比死区还大，所以死区会影响输出的纹波，但应该不是起到决定性作用的。
2020-12-09 16:25:0347468 
电子发烧友网为你提供开关MOS的损耗如何计算？资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-03 08:51:59
16 电子发烧友网为你提供MOS设计选型及损耗计算资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-16 08:49:1626 原文：http://www.kiaic.com/article/detail/1404.html开关电源 MOS管损耗MOS管开关电源损耗开关模式电源（Switch Mode Power
2021-10-22 09:51:1318 在BUCK型开关电源中，如果没有损耗，那效率就是100%，但这是不可能的，BUCK型开关电源中主要的损耗是导通损耗和交流开关损耗，导通损耗主要是指MOS管导通后的损耗和肖特基二极管导通的损耗（是指完
2021-10-22 15:05:5925 电源工程师知道，整个电源系统中开关MOS的损耗比不小. 讨论最多的是导通损耗和关断损耗，因为这两种损耗与传导损耗或驱动损耗不同，因为它很直观，所以有些人对其计算仍然有些困惑.今天，我们将详细分析
2021-10-22 17:35:5953 电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，由于这两个损耗不像导通损耗或驱动损耗一样那么直观，所以有部分人对于它计算还有些迷茫。
2022-02-10 10:35:2314 MOS管损耗的8个组成部分
在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形
2022-02-11 14:06:463 详解MOS驱动电路功率损耗的构成以及计算方法
2022-04-13 08:35:0020804 
上一篇文章中介绍了同步整流降压转换器的开关节点产生的开关损耗。本文将探讨开关节产生的死区时间损耗。死区时间损耗是指在死区时间中因低边开关（MOSFET）体二极管的正向电压和负载电流而产生的损耗。
2023-02-23 10:40:491604 
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