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(1)SGT-MOS与常规DMOS结构
屏蔽栅侧壁氧化层厚度：0.7um
屏蔽栅底部氧化层厚度：0.5um
屏蔽栅隔离氧化层厚度：0.3um
屏蔽栅宽度：0.4um
屏蔽栅纵向长度：3.4um
#####################################################
（2）SGT-MOS与常规DMOS雪崩耐量对比
L=1E-3,H=1/0.03
DMOS:
SGT-MOS:
ID对比：
晶格温度对比：
VD对比：
VG对比：
SGT-MOS与DMOS雪崩耐量对比
- MOS管(64178)
- 雪崩二极管(12605)
- DMOS(14615)
- 雪崩光电管(5816)
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