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电子发烧友网>模拟技术>晶闸管的导通条件

晶闸管的导通条件

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2019-07-29 15:38:077859

单向晶闸管的检测_单向晶闸管的导通/阻断条件

根据普通晶闸管的结构可知,门极与阴极之间为一个PN结,具有单向导电性,而阳极与门极之间有两个反极性串联的PN结。因此通过万用表R*100或R*1K挡测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值,即能确定三个电极。
2019-09-14 11:11:003673

关于NPN三极管的导通条件分析

对于NPN三极管的导通条件我们现在来回顾一下,首先三极管内部是有两个PN结的,集电极C与基极B间一个PN结我们叫集电结;发射极与基极间一个PN结我们叫集电发射结。这三个极的电压关系是Uc》Ub》Ue
2020-02-12 19:48:23105716

晶闸管导通和关断的条件是什么?如何去实现呢?

晶闸管通条件:门极G加触发信号,主端子A、K之间加正向电压,且使得主端子间的正向电流大于擎住电流。
2023-02-27 17:05:5913286

电力二极管导通条件及额定电流

电力二极管在正向偏置的情况下导通,反向偏置的情况下不导通,这是其最基本的导通条件。具体而言,电力二极管的导通条件如下
2023-02-28 11:37:256197

晶闸管Thyristor(半控型器件)

结构:四层三端器件,有三个PN结 工作原理: 1.晶闸管通条件:①正向阳极电压②门极有触发电流(两条件必须同时满足) 2.晶闸管关断条件:①阳极施加反向电压②阳极电流降到接近于零的某一数值(维持
2023-03-07 11:33:150

单向晶闸管的工作原理和导通条件

 单向晶闸管(Silicon Controlled Rectifier,简称SCR)是一种半导体器件,也是最早的一种晶闸管。它由四个半导体区域组成,具有三个电极:阳极、阴极和控制极。单向晶闸管具有
2023-05-16 16:34:241759

P沟道MOS管导通条件有哪些

电子设备中。与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管的导电沟道由P型半导体材料构成,因此其导通条件与N沟道MOS管有所不同。本文将对P沟道MOS管的导通条件进行详细介绍。 首先,我们需要了解P沟道MOS
2023-12-28 15:39:311090

晶闸管的导通条件及关断条件?

晶闸管(Thyristor)是一种常用的半导体器件,广泛应用于电力电子和电路控制领域。它可以用作开关、稳压器、整流器等。在进行详细介绍晶闸管的导通条件和关断条件之前,我们需要先了解一些基础知识
2024-03-12 15:01:54341

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