FET和BJT放大电路的比较分析

FET和BJT重要特性的比较

1）FET和BJT都有两个PN结，3个电极。 有如下的对应关系：

栅极g-->基极b 源极s-->发射极e 漏极d-->集电极c

2）都利用两个电极之间的电压控制流过第三个电极的电流来实现输入对输出的控制。

MOS ：栅-源电压vGS控制漏极iD , iD与vGS之间是平方律关系，为电压控制器件。

B J T： 基-射极间电压vBE控制集电极电流iC , iC与vBE之间是指数关系。 为电流控制器件。

3）MOS管的跨导gm不仅与VGSQ和开启（夹断）电压的差值（或IDQ）有关，而且还与其沟道的宽长比W/L 有关。 而BJT的gm 仅与ICQ有关 。

4）这两类器件的输出电阻ro都等于Early电压VA与静态电流（IDQ或ICQ）的比值。 通常BJT的VA比MOS管的VA大。 意味着 BJT的输出电阻ro 比MOS管的大。

5）MOS管的Kn与BJT的b 或a具有类似的性质，即它们主要取决于管子的固有参数（如，尺寸、参杂浓度、载流子迁移率等），而与它们所在的电路无关。

FET和BJT放大电路性能的比较

多级放大电路

分类

1、共射-共基放大电路（CE-CB）

2、共集-共集放大电路（CC-CC）

3、共源-共基放大电路（CS-CB）

一般定义

组合放大电路是由三种基本组态放大电路适当组合构成的一种电路结构。

实际应用的放大器，除了要有较高的放大倍数之外，往往还对输入、输出电阻及其他性能提出要求。

根据三种基本放大电路的特性，将他们适当组合，取长补短，可以获得各具特点得组合放大电路。

组合电路的形式很多，主要介绍常用的“共射-共基”和“共集-共射”组合。

组合电路分析

特点:

组合放大电路总的电压增益等于组成它的各级单管放大电路电压增益的乘积。

前一级的输出电压是后一级的输入电压，后一级的输入电阻是前一级的负载电阻。

共射-共基放大电路 （CE-CB）

下图中，T1为共发射极电路，T2为共基极电路，采用直接耦合方式，所以称为共射—共基组合电路。

共射-共基放大电路图

静态工作点：

电压放大倍数:

参照上面的共射-共基放大电路图，可以分析出

输入、输出电阻：

从上面的交流通路可以轻易的看出输入输出电阻

结论：

虽然组合电路的电压放大倍数只相当于共射的电压放大倍数，但它有 较宽的通频带 ，在高频电路中得到广泛地运用。

共集-共集放大电路 （CC-CC）

下图中T1和T2均为共集电极电路,采用直接耦合方式,称为共集-共集组合电路。

共集-共集放大电路图

电压放大倍数：

参照上面的共集-共集放大电路图，可以分析出

输入、输出电阻：

从上面的交流通路可以轻易的看出输入输出电阻

结论：

输入电阻更大，输出电阻更小。

附加：

在下图中T1和T2 可等效为一只三极管 ，称为 复合管 ，可等效为一个NPN管， 扩大电流的驱动能力，提高输入电阻 。 详细见下图：

复合管特性：

共源-共基放大电路 （CS-CB）

下图中T1为共源极电路，T2为共基极电路，采用直接耦合方式，所以称为共源—共基组合电路。

电压放大倍数：

参照上面的共集-共集放大电路图，可以分析出

输入、输出电阻：

从上面的交流通路可以轻易的看出输入输出电阻