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电子发烧友网>模拟技术>在1:5CW转换器中具有N相和分相时钟的GaN FET开关

在1:5CW转换器中具有N相和分相时钟的GaN FET开关

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2020-08-02 10:32:31

直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性

的电流来控制压摆率。对于升压转换器,驱动电路的简易模型如图3所示。可使用该模型推导公式。等式1证明:当GaN器件具有足够的栅漏电容(Cgd)时,可通过使用栅极电流通过米勒反馈来控制开关事件的压摆率。对于
2023-02-14 15:06:51

相移时延如何改善DC/DC转换器性能?

RMS(50%占空比)。图2:同相和异相配置三DC转换器对比。如上文所述,使用相移技术可显著减小输入和输出电容要求。RMS输入电流由公式1规定:其中,n数,L为输出电感,Fs为开关频率,k(n
2018-12-03 11:26:43

负载点DC-DC转换器解决电压精度、效率和延迟问题

间要求,因而可能难以获得真正的POL稳压解决方案,如图5的示例布局所示。图5.DC-DC转换器与CPU的理想布局控制的一个替代方案是单芯片解决方案,其中FET转换器IC内部。例如,LTC3310S
2021-12-14 07:00:00

选择正确的航空级隔离型直流-直流转换器的方法

的好处。反激(升降压)转换器FET导通时将能量存储变压的磁场,然后当FET关断时再释放到负载。反激转换器可以被视为共享同一磁芯、并具有相反极性绕组的两个电感,如图3所示。图3:单开关和双开关
2018-10-16 19:33:11

采用4开关降压-升压转换器的USB供电设计

。新供电要求的一项独特挑战是如何使用一个4.5V-32V输入电压来提供一个5V-20V直流总线。一个4开关降压-升压转换器是合适的拓扑结构,提供降压或升压电源转换,因其可提供设计人员和客户所需的宽电压
2018-10-30 09:05:44

降压转换器TPS54260电子资料

概述:TPS54260是德州仪器(TI)宣布推出其首款支持高达60伏输入电压的2.5A降压SWIFT 转换器。该款具有集成型高侧FET的最新TPS54260单片同步开关转换器可为12V、24V以及48V负载点设计方案...
2021-04-20 06:44:57

集成FET升压转换器参考设计

描述此集成 FET 升压转换器通过 6V - 8.4V 输入(2S 锂离子电池)提供 11V 输出 (1.2A)。此转换器经过优化,可以紧凑的尺寸为便携式收音机等应用提供高效率和低成本。特性成本低
2022-09-19 07:44:38

集成氮化镓改变将影响到电源电子产品

永久性损坏。尽管GaN系统效率、尺寸和冷却方面具有优势,但其高开关速度和频率也呈现出越来越大的挑战。TI GaN产品的保护和其他集成功能正在改变使用分立Si MOSFET了解高速开关转换器设计复杂性
2019-07-29 04:45:12

非标准PoE高效正向转换器参考设计

• 高效率(使用 PoE 电源时为 93%,使用适配器电源时为 92%)• 5V (10A) 输出• 具有同步整流的隔离式正向• 使用与 UCC2897A 相结合的 TPS2379 实施高效的有源正向转换器• 可实现外部热插拔 FET 以提高效率
2022-09-26 06:04:41

驱动新一代SiC/GaN功率转换器的IC生态系统

. ADuM4121评估板当隔离式栅极驱动器用在高速拓扑时,必须对其正确供电以保持其性能水平。ADI公司的LT8304/LT8304-1是单芯片、微功耗、隔离式反激转换器。这些器件从原边反激式波形直接对隔离
2018-10-22 17:01:41

高频谐振转换器设计注意事项

oss和Q rr也很重要。如图1所示的电感-电感-电容器-串联谐振转换器(LLC-SRC)之类的谐振转换器,谐振储能电路的电流对FET 的C oss进行充电/放电(图2的状态1),以便实现零电压
2022-05-11 10:17:28

高频谐振转换器设计注意事项,第1部分

oss和Q rr也很重要。如图1所示的电感-电感-电容器-串联谐振转换器(LLC-SRC)之类的谐振转换器,谐振储能电路的电流对FET 的C oss进行充电/放电(图2的状态1),以便实现零电压
2022-05-25 10:08:50

时钟分相技术应用

摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。关键词: 时钟分相技术; 应用中图分类号: TN 79  文献标识码:A   文章编号: 025820934 (2000) 0
2008-08-19 18:54:4124

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降压转换器--T

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降压转换器--TPS51315 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降压转换器
2009-07-28 07:48:391051

使用C2000 MCU应对GaN开关挑战

与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益,可帮助减小磁性元件
2021-05-13 15:39:351434

基于GaN的耐辐射DC/DC转换器可提高关键应用的效率

除了显着提高各种拓扑和功率级别的商用 DC/DC 转换器的效率外,基于 GaNFET 还表现出对伽马辐射和单事件效应 (SEE) 的非凡弹性。所有这些特性使 GaN FET 非常适合用于卫星和运载火箭的电源。
2022-07-25 09:22:411059

48V电源系统中的GaN FET应用

解决方案需要额外的 IC,这会增加额外的复杂性和挑战。在本文中,作者介绍了一种兼容 GaN FET 的模拟控制器,该控制器的物料清单数量少,使设计人员能够像使用硅 FET 一样简单地设计同步降压转换器,并提供卓越的性能。 众所周知,与传统的硅 FET 相比,氮化镓 (GaN) FET 已显
2022-08-04 09:58:08570

具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计

电子发烧友网站提供《具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计.zip》资料免费下载
2022-09-07 11:30:0510

AMEYA360:罗姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:18273

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