，所以器件的不匹配性随着器件尺寸的减小越加明显。在短沟道CMOS电路中由于不匹配性引起的特性变化可能会限制器件尺寸的减小而影响工艺水平的发展，这样不匹配性的消除就显得更重要。
2020-08-11 15:29:09
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本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m，深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。我们华林科纳研究了TSV的电学特性，结果表明TSV具有低电阻和低电容；小的TSV-硅漏电流和大约83%的高TSV产率。
2022-06-16 14:02:432749 
咱们前几期讲的一直是NMOS，导电靠的是沟道中的自由电荷。而PMOS与NMOS结构上的不同点在于半导体基板的材料恰恰相反，是在N型掺杂基板的基础上加了两块重掺杂的P型半导体，这两块两块重掺杂的P型半导体分别为PMOS的源级和漏极，金属部分和NMOS一样仍然作为栅极。PMOS导电靠的是沟道中的空穴。
2023-02-16 11:41:196888 
管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
2023-02-16 17:00:154430 
MOSFET器件是数字集成电路的最小单位，因为MOSFET的开关特性和输出曲线特性，由PMOS和NMOS组成的CMOS门电路，则为数字集成电路最基本的电路结构。
2023-07-11 10:49:588009 
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 10:42 编辑
0.18μm CMOS工艺的2.5GHz环形压控振荡器设计 谁能给点入门资料以及提供可以用的电路图万分感激
2013-04-11 19:56:29
。并研究了非对称晶闸管的制作工艺,样品测试结果表明,6.5kV非对称型晶闸管的设计参数和制作工艺方案是合理可行的。【关键词】：电力半导体器件;;非对称晶闸管;;模拟;;优化设计;;制作工艺【DOI
2010-05-04 08:06:51
CMOS是一个简单的前道工艺，大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55:10
问:为什么现在的CMOS工艺一般都是用P衬底而不是N衬底？两者有什么区别啊？答:为什么CMOS工艺采用P衬底，而不用N衬底？这主要从两个方面来考虑：一个是材料和工艺问题；另一个是电气性能问题。P型
2012-05-22 09:38:48
CMOS工艺锂电池保护电路图的实现
2012-08-06 11:06:35
做得非常小，并且CMOS的集成密度非常高。因此，一般高压、大功率的MOS管大部分还都得用垂直生产工艺制造的NMOS或PMOS管。
2012-05-21 17:38:20
。由于双极性器件固有的特性优于CMOS器件，因此一些研究人员认为射频CMOS只适用于具有较低性能标准，如ISM等低性能系统，或者可以通过改进CMOS工艺，如蚀刻电感器下面的基底来提高其性能。射频
2021-07-29 07:00:00
这种场合，大部分都是从工艺，导通电阻 Rds 来解释，但随着半导体工艺的进步，现今的 PMOS 与 NMOS 之间差距已经不大了，从 SOT-23 的封装来看，两者的大小也是差不多的。个人觉得...
2021-10-28 07:04:20
、上位机等，给新手综合学习的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。一、原理介绍如上图，PMOS管是压控型器件，Vgs大于开启电压时，内部沟道在场强的作用下导通，Vgs小于开启...
2021-07-19 07:10:33
PMOS全称是P型金属氧化物半导体(positive channel Metal Oxide Semiconductor)，MOSFET为压控型器件。当电压Vgs低于阈值Vth时，PMOS在场强的作用
2022-01-13 08:22:48
COMS工艺制程技术主要包括了：1.典型工艺技术：①双极型工艺技术② PMOS工艺技术③NMOS工艺技术④ CMOS工艺技术2.特殊工艺技术。BiCOMS工艺技术，BCD工艺技术，HV-CMOSI艺
2019-03-15 18:09:22
我在测试PMOS管的导通特性发现了这个问题，大家帮我看看是哪里的问题，电路图见附件。
2017-12-29 15:26:33
`SOD323系列普容TVS单向/双向瞬变二极管 18V DCSD18-HESD 保护和 TVS 浪涌二极管保护您的系统免受 ESD 和浪涌冲击。我们的保护二极管的特性包括超低电容、低泄漏电流、低钳
2021-07-12 09:20:36
Sic mesfet工艺技术研究与器件研究针对ＳｉＣ 衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为２?０７ ｎｍ的刻蚀表面；牺牲氧化
2009-10-06 09:48:48
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般过程：硅
2021-07-06 09:32:40
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：超大规模集成电路制造技术简介编号：JFSJ-21-076作者：炬丰科技概括VLSI制造中使用的材料材料根据其导电特性可分为三大类：绝缘体导体半导体
2021-07-09 10:26:01
申请理由：项目描述：1.研究该传感器的功能2.将该传感器与变喷杆相结合，检测喷杆转换过程的位置变化，提高喷杆的动态响应特性，实时控制喷杆变形启停。
2016-10-08 16:35:04
随着射频无线通信事业的发展和移动通讯技术的进步，射频微波器件的性能与速度成为人们关注的重点，市场对其的需求也日益增多。目前，CMOS工艺是数字集成电路设计的主要工艺选择，对于模拟与射频集成电路来说，有哪些选择途径？为什么要选择标准CMOS工艺集成肖特基二极管？
2019-08-01 08:18:10
什么是PMOS管？PMOS管有哪些特性？PMOS管有什么导通条件？
2021-06-16 08:07:07
最近几年，我们已经开始看到一些有关射频(RF)CMOS工艺的参考文献和针对这些工艺的RF模型参考文献。本文将探讨这类RF所指代的真正含义，并阐述它们对RF电路设计人员的重要性。我们可以从三个角度
2019-06-25 08:17:16
有哪些方法可以获得MOS变容管单调的调谐特性？MOS变容管反型与积累型MOS变容管
2021-04-07 06:24:34
1 MOS管导通截止原理NMOS管的主回路电流方向为D—>S，导通条件为VGS有一定的压差，如 5V（G电位比S电位高）。PMOS管的主回路电流方向为S—>D，导通条件为
2023-02-17 13:58:02
小弟正在做一个单相UPS逆变系统的仿真研究，现在遇到一个问题，请教一下大家~！在simulink中我用电压外环、电流内环实现逆变器的控制，那么我该怎么产生SPWM波呢？也就是我的三角波载波的幅值该怎么得到？是通过闭环反馈回来的值还是设定一个固定的值？
2014-03-18 15:45:25
摘要: 本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路，首先分析了电路的工作原理，而后给出了各MOS管的参数计算，并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单，工艺实现容易，可用于高压和功率集成电路
2018-08-27 15:54:31
的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，人们便尝试采用其它可以用CMOS工艺实现的器件来代替一般的变容二极管，MOS变容管便应
2019-06-27 06:58:23
、数据传输带宽带来了巨大压力,所以为了保障容灾系统高效稳定地运行,需要建立一个存储容量优化机制来减少数据对存储容量需求。本课题以“基于重复数据删除技术的容灾系统的研究”为题,在深入研究容灾备份中存储容量
2010-04-24 09:19:47
如何利用0.18μm CMOS工艺去设计16:1复用器？以及怎样去验证这种复用器？
2021-04-09 06:39:47
本文研究了一个用0.6μm CMOS工艺实现的功率放大器， E型功率放大器具有很高的效率，它工作在开关状态，电路结构简单，理想功率效率为 100%，适应于恒包络信号的放大，例如FM和GMSK等通信系统。
2021-04-23 07:04:31
本文采用0.18 μm CMOS工艺设计了一种适用于TI-ADC的高速、低功耗开环T&H电路。
2021-04-20 06:58:59
三角波信号发生器的原理是什么？三角波信号发生器的设计约束是什么？如何采用CMOS工艺去设计三角波信号发生器？
2021-04-13 06:26:12
本文给出了使用CMOS工艺设计的单片集成超高速4：1复接器。
2021-04-12 06:55:55
近日，微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道。 基于二元氧化物材料的电阻式随机存储器（ReRAM）具有低廉的价格
2010-12-29 15:13:32
本文选择了SoC芯片广泛使用的深亚微米CMOS工艺，实现了一个10位的高速DAC。该DAC可作为SoC设计中的IP硬核，在多种不同应用领域的系统设计中实现复用。
2021-04-14 06:22:33
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准
2019-08-22 06:24:40
，标准CMOS工艺技术在速度上仍有潜力可挖。 （1）随着深亚微米工艺技术的开发，标准 CMOS工艺仍有速度潜力。 器件尺寸细微化一直是设计师追求的目标，器件尺寸小意味着寄生电容小，这种特性有利于制造高速
2018-11-26 16:45:00
化组织（ISO）7637和ISO 16750等行业标准给出的标准脉冲波形之外，还具有独特且广泛的传导抗扰度测试套件。表1列出了几种欠压和过压汽车瞬变特性。 瞬态原因幅度和持续时间相关标准负载突降高输出
2019-03-19 06:45:10
CAD/CAE/CAM 一体化技术课题，以其中的三个关键性问题：冲压方向的确定、压料面的创建以及工艺补充的自动添加为主要研究内容，进行了从理论分析到程序设计的深入研究，该研究成果作为大型覆盖件模具智能
2009-04-16 13:34:15
背压是什么？背压是如何形成的？注塑成型工艺中的背压到底有多重要？适当调校背压的好处有哪些？过高的背压易出现哪些问题？如何去调校注塑背压？
2021-07-13 08:38:01
不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺尺寸
2010-04-22 11:50:00
几个传统的工艺如压装，注油，焊接等。其中压装工艺在电机装配中应用最多，也最为广泛。如压轴承到转子，压卡簧，压硅钢片到转子，压换向器，压轴承到壳体等等。只是一个简单的压装其中涉及的知识点之深，也是让人感叹
2018-10-11 11:10:07
，还有几个传统的工艺如压装，注油，焊接等。 其中压装工艺在电机装配中应用最多，也最为广泛。如压轴承到转子，压卡簧，压硅钢片到转子，压换向器，压轴承到壳体等等。只是一个简单的压装其中涉及的知识点之深
2023-03-08 16:21:51
程 序 控 制 电 压 源 及 其 电 磁 兼 容 性 设 计
2012-08-20 16:14:23
矿山车辆胎压监测是以无损检测技术为基础，通过研究车辆胎压的实时信号，了解矿山车辆的轮胎气压的变化特性，从而达到矿山车辆安全监控提供依据。
2020-03-11 06:52:27
，电流也应该是从s到d吧，那USBVCC怎么供电的呢？方向不对啊4、当Vin是0的时候，通过稳压器不会输出5V，所以G的电位经过比较器的输出应该是0，S的电位因为稳压器不会输出5V所以也是0，这样Vgs没有压差，不能满足PMOS开通条件，那USBVCC是怎么供电的呢？
2016-09-22 10:56:56
各位，请问华强pcb的工艺可以打孔径10mil，变径20mil的过孔吗？
2019-09-06 03:01:32
请问在Cadence中如何测量MOS电容的伏容特性曲线？
2021-06-24 06:53:00
因为设计电路需要正负10v的输入电压，因此设计高压的栅压自举开关，VDD=15 ,VSS=-15 CLK=-15到15 VIN幅值10电路工作状态为CLK为高电平时，上面接VDD的PMOS和下面接
2021-06-24 06:42:08
串联谐振装置用一节分压器变比怎么计算？串联谐振装置介绍串联谐振也称为串联谐振耐压装置，是替代直流耐压采用工频输出的方式用于高电压电气设备的绝缘强度，串谐振是由变频电源，励磁变压器，电抗器、补偿，交流
2020-12-14 16:57:42
，G极电压拉低，PMOS导通；而无负电， 即0V时，NPN关断，G极应为6V，PMOS截止。但在仿真中，如附件所示，仿真结果不符。查询datasheet，采用的IRF9130 PMOS管的开启电压Vth为 -4~-2V，仿真压差在应当是符合的吧，但结果不符是为什么呢？
2019-11-06 01:33:07
全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了采用CMOS工艺的具有超低电流消耗特性的高精度监控IC，它们符合汽车应用的AEC-Q100标准，在整个工作温度范围内释放电压精度为±50 mV。电压监控
2019-03-18 05:17:04
之前一直听说Pmos的工艺难度难于Nmos，但是一直没高清楚具体是为什么？不知道论坛的大大们有谁了解的，能给一个比较完整的答案。渣渣在这里拜谢了！！！！！
2015-05-07 17:07:11
本文在通过对多种传统充电方式的研究，综合各种方式的优点，提出了限压变流脉冲充电方式，使实际充电电流接近充电可接受电流，缩短充电时间，并有效防止极化，快速、高效、安全。同时，应对电池组中单个电池状态
2021-02-25 07:33:11
霍尔IC芯片的制造工艺霍尔IC传感器是一种磁性传感器，通过感应磁场的变化，输出不同种类的电信号。霍尔IC芯片主要有三种制造工艺，分别为 Bipolar、CMOS 和 BiCMOS 工艺，不同工艺的产品具有不同的电参数与磁参数特性。霍尔微电子柯芳（***）现为您分别介绍三种不同工艺产品的特点。
2016-10-26 16:48:22
CMOS触发器在CP边沿的工作特性研究
对时钟脉冲(简称CP)边沿时间的要求,是触发器品质评价的重要指标之一。触发器只有在CP边沿陡峭(短的边沿时
2009-10-17 08:52:121622 
基于交叉耦合NMOS 单元,提出了一种低压、快速稳定的CMOS 电荷泵电路。一个二极管连接的NMOS 管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性。PMOS 串联开
2011-11-02 11:25:47
71 PMOS 驱动电路 :
2012-04-01 15:31:2114031 
研究了在热载流子注入HCI(hot2carrier injection) 和负偏温NBT (negative bias temperature) 两种偏置条件下pMOS 器件的可靠性. 测量了pMOS 器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独
2012-04-23 15:39:3747 近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利
2012-05-21 10:06:191850 
CMOS工艺，具体的是CMOS结构对集成电路设计有帮助，谢谢
2016-03-18 15:35:5221 不同吸油率油浸纸板介电特性及电导特性研究_徐征宇
2017-01-08 13:26:490 本文研究了在CMOS工艺中I/O电路的ESD保护结构设计以及相关版图的要求，其中重点讨论了PAD到VSS电流通路的建立。
2017-09-07 18:29:517 近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准
2017-11-25 11:07:014628 
而mems即微机电系统,是一门新兴学科和领域,跟ic有很大的关联,当然mems工艺也和cmos工艺会有很大的相似之处,现在的发展方向应该是把二者集成到一套的工艺上来.
对mems不是特别的了）
2018-07-13 14:40:0019763 本文首先介绍了CMOS反相器的传输特性，其次介绍了cmos反相器概念，最后介绍了CMOS反相器的工作原理。
2018-08-16 14:51:0422529 由前面的基础可知，CMOS只能实现基本逻辑的非，比如或逻辑，与逻辑，如果不加反相器，CMOS只能实现或非，与非逻辑。原因就是上拉逻辑只能用PMOS实现，下拉逻辑只能由NMOS实现，而PMOS的导通需要输入信号为0，NMOS导通需要输入信号为1。
2018-09-07 14:43:205465 
不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路（见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路）出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单
2018-11-27 16:46:263162 本文档的主要内容详细介绍的是CMOS工艺制程技术的详细资料说明。主要包括了：1.典型工艺技术：①双极型工艺技术② PMOS工艺技术③NMOS工艺技术④ CMOS工艺技术2.特殊工艺技术。BiCOMS工艺技术，BCD工艺技术，HV-CMOSI艺技术。
2019-01-08 08:00:0075 随着射频无线通信事业的发展和移动通讯技术的进步，射频的性能与速度成为人们关注的重点，市场对其的需求也日益增多。目前，CMOS工艺是数字集成电路设计的主要工艺选择，对于模拟与射频集成电路来说，选择
2020-09-25 10:44:002 不久前，MEMS 蚀刻和表面涂层方面的领先企业 memsstar 向《电子产品世界》介绍了 MEMS 与传统 CMOS 刻蚀与沉积工艺的关系，对中国本土 MEMS 制造工厂和实验室的建议
2022-12-13 11:42:001674 用MOS做高侧开关时，PMOS比NMOS更便于控制，不用额外的电荷泵升压，栅极拉低和置高就能控制通断。而随着半导体工艺的进步，PMOS在导通内阻方面的参数渐渐好转，逐步缩小了与NMOS的差距，使得
2021-11-07 13:51:0364 CMOS工艺流程介绍，带图片。
n阱的形成 1. 外延生长
2022-07-01 11:23:2027 Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52:435875 CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34:516645 在网上查了一些关于 PMOS 和 NMOS 哪个更适合用于电源开关这种场合，大部分都是从工艺，导通电阻 Rds 来解释，但随着半导体工艺的进步，现今的 PMOS 与 NMOS 之间差距已经不大了，从 SOT-23 的封装来看，两者的大小也是差不多的。个人觉得，PMOS 用于电源开关更多是为了方便控制。
2023-03-10 13:49:594763 
利用CMOS设计电路需先自行学习NMOS和PMOS的基本原理。
2023-04-11 09:01:564871 CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25:011786 
因为CMOS工艺易于集成化，并且相对较低的电路功耗，所以。个人电脑、互联网络和数字革命，强烈推动了对CMOS集成电路芯片的需求，基于CMOS工艺设计、加工、生产出来的芯片是电子工业中最常见的IC芯片
2023-07-24 17:05:381131 
等。CMOS反相器的工作原理是利用n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS）和p型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOS）两种晶体管的互补特性，将它们组合成一个电路，以实现信号的放大、逻辑变换等功能。 在CMOS反相器中，NMOS和PMOS晶体管的连接方式相对固定，即
2023-09-12 10:57:241753 PMOS和NMOS是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的两种类型。 PMOS和NMOS是MOSFET的两种互补型式，也称为CMOS技术，其中C代表互补（Complementary
2023-12-07 09:15:361025 NMOS和PMOS是常见的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的两种类型，它们在电子器件中起到不同的作用。NMOS和PMOS的符号和电路结构差异体现了它们的不同工作原理和特性。接下来，我们
2023-12-18 13:56:221530 影响CMOS反相器特性的因素 CMOS反相器是一种常见的数字电路，用于将输入信号取反输出。它由一个P型MOS管和一个N型MOS管组成，通过控制两个管的开关状态，实现输入信号的取反输出。CMOS
2024-01-26 14:21:10277 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。
2024-03-18 09:47:41186 
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