串接NPN型晶体管的情况。晶体管基极要求注入电流，产生电流的电压必须高于（Vo+Vbe），约为（Vo+1）。若基极串接一个电阻，则电阻输入端电压必须高于（Vo+1）以使电流流过。而最经济易行的方法
2024-03-06 20:49:11
全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19
282 绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种功率半导体，具有MOSFET 的高速、电压相关栅极开关特性以及 BJT 的最小导通电阻（低饱和电压）特性。
2024-02-27 16:08:49579 
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 双极性晶体管是利用两种离子导电，空穴和自由电子，但是对于一个实际存在的系统，其整体上是呈现电中性的，当其中的电子或者空穴移动形成电流时，与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动？
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间？ 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种主要应用于功率电子装置中的半导体器件，其具有低导通压降和高关断速度等优点。开通时间和关断时间是评估IGBT性能
2024-02-20 11:19:16280 这是绝缘栅双极晶体管（IGBT）的实用指南。您将从实际的角度学习如何使用它——而无需深入研究它内部的物理外观。IGBT通常被描述为复杂而先进的东西。但是，当你剥离物理解释并开始练习时，将其放入电路中是很简单的。
2024-02-11 10:57:00533 
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切换晶体管时遇到了一个问题。我正在尝试让 LED 通过晶体管闪烁。当我从评估板（即 MSP-EXP430G2ET）获取电源 （3.3V） 时，该程序有效。但是当我使用外部电源 （8.33V） 为
2024-01-22 06:00:31
放大，似于多路比较器的输出，NPN型晶体管多发射极分别接到比较器的输出端，集电极共用一路上拉电阻连接至电源，如果多路比较器有一路导通，则该多发射极晶体管集电极输出导通拉低，电平为低电平。
不知是否是我理解的这样？
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用？是为了米勒电容吗、？但是米勒电容对三极管的开通有害的时候，为什么还要并联电容？电容不是越并越大，加大了等效米勒电容？
2024-01-19 22:39:57
相比较，GaN具有更加优异的性能；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
晶体管也就是俗称三极管，其本质是一个电流放大器，通过基射极电流控制集射极电流。
1、当基射极电流很小可以忽略不计时，此时晶体管基本没有对基射极电流的放大作用，此时可以认为晶体管处在关断状态
2、当基
2024-01-18 16:34:45
深圳市至信微电子有限公司（简称：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上，至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ两款产品。
2024-01-16 15:45:17286 传统的双极晶体管是一种电流驱动型放大器，对其信号放大特性的分析以小注入电流为主，即在共发射极工作状态时，输入很小的基极电流就能控制输出端的集电极电流而获得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 
如何去识别IGBT绝缘栅双极型晶体管呢？ IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种功率半导体器件，结合了双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特点。IGBT通常用于高电压和高电流应用，例如工业
2024-01-12 11:18:10350 对于一个含有晶体管，场效应管，运放的电路，该如何求解他的输入电阻和输出电阻，举例而言，在含有晶体管的电路射极跟随器中，求解输出电阻时，为什么要考虑基极的电阻和偏置电路的电阻，此时不应该在基极是二极管
2024-01-10 17:17:56
与作为电流控制器件的双极晶体管不同，场效应晶体管是电压控制的。这使得FET电路的设计方式与双极晶体管电路的设计方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40372 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称
2024-01-03 15:14:22268 
【科普小贴士】什么是双极晶体管（BJT）？
2023-12-13 14:38:56400 
和电子管的区别。 一、结构差异 晶体管是由半导体材料制成的，通常由nPn或pNp结构的三层双极晶体管组成。其主要组成部分包括发射区、基极区和集电区。发射区和集电区之间有一层非金属屏蔽层，用于控制电位。晶体管的结构通常很
2023-12-08 10:31:584971 衬底:NPN双极晶体管的基础是p掺杂(硼)硅衬底，上面沉积了厚氧化层（600 nm）。
2023-12-06 18:15:251250 
电子发烧友网站提供《用基于三相绝缘栅极双极性晶体管 (IGBT)的逆变器应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-11-29 11:05:31
5 绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
2023-11-24 14:45:34405 
和原理。它由一个晶闸管和两个晶体管组成，其中晶体管的作用是将电流放大并控制晶闸管的导通和关断。而IGBT是一种电压场控型器件，其工作原理是基于绝缘栅双极晶体管的结构和原理。它由一个绝缘栅双极晶体管和两个晶体管组成，其中绝缘栅双极晶体管的作
2023-11-24 11:40:53997 来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
我在进行AD8138ARM的热仿真，datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据，我需要结到外壳的热阻Jc的数据，还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少？
2023-11-21 06:54:43
针对未来智慧功率器件和模组中需要集成实时温度传感功能的需求，团队提出了一种具有空穴通道和温度传感功能的低导通损耗的新型载流子存储沟槽栅双极晶体管(HP-CSTBT)。
2023-10-25 10:53:02578 
2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26485 
电子科技有限公司(简称芯派科技)成立于2008年，是一家集研发、生产和销售为一体的高新技术企业，产品包含：中大功率场效应管(MOSFET，低压至高压全系列产品)、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、二极管(含
2023-10-16 11:00:14
专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
栅双极晶体管（IGBT），该晶体管专为电动汽车（EV）的正温度系数（PTC）加热器而设计。 新推出的AMBQ40T120RFRTH (1200V) 和AMBQ40T65PHRTH (650V
2023-09-19 16:04:38306 选型IGBT（绝缘栅双极晶体管）是电子设备设计中的重要任务，因为正确的IGBT选择对于设备性能和可靠性至关重要。本文将介绍如何选择适合您应用的IGBT，并解释IGBT的关键特性以及如何阅读IGBT的数据表。
2023-09-13 15:47:56921 
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291490 
了解的参考。 一、晶体管输出的特点 晶体管输出又称为双极性晶体管输出（Bipolar Transistor Output），使用PNP或NPN型双极晶体管作为控制元件。在控制电压作用下，通过电流调节控制晶体管的放大倍数，从而实现输出的开关控制。 1、优点： （1）高速：晶体管
2023-08-25 15:41:311244 今天给大家分享的是：IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
2023-08-25 09:39:182040 
、胸腔晶体管、双极交接晶体管、金属-氧化半导体外效晶体管和隔热双极晶体管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在电子应用中,二极管发挥简单的开关功能,只允许电流向一个方向流动,电极二极管拥有更大的动力、电压和当前处理能力,在电
2023-08-15 17:17:32699 
范围为 10 mA – 600mA。这些都可以 PNP 和 NPN 形式获得。
光电晶体管
这些晶体管是光敏晶体管，这种晶体管的常见类型看起来像双极晶体管，其中该晶体管的基极引线被移除并通过光敏区域
2023-08-02 12:26:53
该2通道混音器电路基于2n3904晶体管，该晶体管形成2个前置放大器。2通道混音器电路的第一个前置放大器具有高增益，可用于麦克风输入，第二个前置放大器可用于控制音频电平的输入。
这种双通道
2023-08-01 17:19:21
NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。产品型号：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低
2023-07-31 16:57:59584 
增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 电子发烧友网站提供《800至950MHz放大器 使用HBFP-0405和HBFP-0420低噪声硅双极晶体管.pdf》资料免费下载
2023-07-27 14:44:080 在此方向上，青桐资本项目伙伴「量芯微半导体（GaNPower）」（以下简称「量芯微」）在全球范围内率先实现1200V 硅基GaN HEMT的商业化量产，并于近日与泰克科技（Tektronix Inc.）合作进行了器件测试。
2023-07-19 16:37:301366 
“晶体管”现在可以分为多种类型，每种类型具有不同的功能和结构，例如FET、MOS FET、CMOS等也是广义上的晶体管。当然，它仍然是有源的，主要用于电压/信号放大和开关控制。在本文中，工程师将解释这种双极晶体管是什么，以及它的原理、机制和特点。
2023-07-07 10:14:492344 达林顿晶体管是一种众所周知且流行的连接，使用一对双极晶体管结型晶体管（BJT），设计用于像统一的“超β”晶体管一样工作。下图显示了连接的详细信息。
2023-06-29 10:06:49747 
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07:03
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03420 
/引言/英飞凌TRENCHSTOPIGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EVcharger、焊机
2023-05-31 16:51:27636 NPN晶体管是由三个不同掺杂的半导体材料制成的电子元件，它是一种L6562ADTR双极晶体管，是电子学中最常用的元件之一。它的名称来源于其内部的三个掺杂区域，分别是N型区、P型区和N型区。其中，P型区称为基区，N型区称为发射区和集电区。NPN晶体管的基区是较薄的区域，而发射区和集电区是较厚的区域。
2023-05-31 11:52:081335 我正在寻找摩托罗拉收音机 VHF 射频末级中使用的这些旧射频晶体管的数据表，有人可以帮我吗？
2023-05-30 07:40:02
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和绝缘
2023-05-20 15:19:12583 
这款 10 瓦晶体管音频放大器电路采用常规双极晶体管元件，具有 10 瓦功率输出。为了良好运行，该放大器电路需要高达30 VDC的20VDC电压。
2023-05-19 17:44:111859 
EiceDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机（高达10kW）。
2023-05-18 16:18:24315 新品带有集成自举二极管和OCP的1200V半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列带有集成自举二极管和过流保护OCP的1200VSOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列产品型号：2ED1321S12M2ED1322S12M2ED1323S12P2ED1324S12PEiceDRIVERSOI系列诞生了首批1200VSOI半桥产品，用于高功率应用，如商用
2023-05-18 09:42:01713 合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
嗨，
我正在尝试使用 2N7000 晶体管切换一些 12v 设备。整个电路工作正常，但我的 ESP 变得非常热（超过 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之间只有下拉电阻。但是，我认为热量
2023-04-28 06:59:43
中，采用了罗姆的新产品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常务执行官 CFO 伊野和英（左）赛米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右） 随着全球电动化技术的快速发展，对功
2023-04-26 15:27:11517 
单结晶体管随着电容的充电放电是如何形成自激振荡脉冲的？
2023-04-26 15:07:51
。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-04-26 09:17:51606 
差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
双极结晶体管电路输入振幅变大为什么会导致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在寻找零件号“PCAL6408ABSHP”中有关工艺节点和晶体管数量的信息。NXP 网站上是否有一个位置可以找到 NXP 部件号的此类信息？
2023-04-19 09:27:44
西门子S7-200电源怎么看是继电器输出还是晶体管输出呢？
2023-04-18 10:08:03
西门子CPUSR30可以增加晶体管扩展模块控制步进电机吗？
2023-04-17 14:13:13
以下文章来源于安森美，作者安森美领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能
2023-04-06 16:07:10367 
供应600v 15a电机igbt驱动SGT15T60SD1F可代换IKA15N60T绝缘栅双极型晶体管，提供SGT15T60SD1F关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 15:14:03
采用晶体管互补对称输出时，两管基极之间有电容相连，为什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢？
2023-03-31 11:56:49
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
NPN射频双极晶体管
2023-03-28 18:20:52
双极晶体管 (NPN)
2023-03-28 13:06:38
NPN射频双极晶体管
2023-03-28 13:03:09
双极晶体管（PNP）
2023-03-28 12:54:36
双极晶体管（NPN）
2023-03-28 12:54:34
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
1. 测定实际的电流、电压波形 确认电流、电压 用示波器确认晶体管上的电压、电流。 需要全部满足规格书上记载的额定值，特别应该确认下列项目。 特别应该确认的项目 晶体管的种类 电压 电流 双极晶体管
2023-03-23 16:52:27762 
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