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引言 原子平面的制备是半导体基板上原子尺度操作的必要前提。由于自组装现象或使用原子探针技术操纵单个原子，只有原子平面的表面才能产生可重复制造纳米级原子结构的机会。原子平坦的表面也应该是原子清洁的，因为氧化物和污染会引响原子尺度的粗糙度。原子平坦和清洁的表面也需要许多在微和光电子的应用。 实验 实验是...
引言 人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数，可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域，例如与航空航天、汽车和石油工业相关的领域，需要能够在高功率水平、高温、高频和恶劣环境下工作的电子设备。硅(Si)不能满足这些要求；碳化硅可以。此外，由...
关键词：氧气、微气泡、光刻胶、高剂量离子注入、气水界面 介绍 微气泡是一种很有前途的环保光刻胶去除方法的候选方法。已经证明，臭氧微气泡可以去除硅片上的光刻剂，即使被高剂量的离子注入破坏了光刻剂。但重大挑战仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半导体制造业中使用微气泡。因此，我们需要通过明确...
摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性，以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的影响。检测了酸浓度、铁(III)氯离子浓度、溶解铝浓度对蚀刻电路质量和蚀刻速率的影响。蚀刻系统允许在制备和电路处理中发生合...
摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正磷酸浓度从50%到 95%(v/v)s多磷酸浓度从50%到5%的变化的敏感性(v/v),氯化铁(III...
“Thick Film Lithography”字面上直译为“厚膜光刻”或“厚膜光蚀”。事实上，“厚膜光刻”虽然目前应用的领域没有达到广泛普及的程度，只是应用于业内前沿产品，但也是业界熟知的工艺，早在上世纪末，该技术已有针对PDP的商业化应用，国内外已开始相关研究。...
引言 随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前，在桔叶式设备中，冷却晶片背面膜的方法是翻转。翻转晶片进行蚀刻工艺的话，蚀刻均匀度最好在1%以下。因此，如果一面进行工程，工程时间将增加一倍...
关键词:玻璃陶瓷；氢氟酸；蚀刻条件；蚀刻速率；机制 引言 我们江苏华林科纳研究了氧化镁-氧化铝-二氧化硅玻璃陶瓷在氢氟酸中的腐蚀条件和机理。结果表明，在室温下，非晶相的腐蚀速率是纯堇青石晶体的218倍。此外，堇青石和非晶相在氟化氢溶液中的活化能分别为52.5和30.6千焦/摩尔。非晶相完全溶解所需的...
摘要 研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点，并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在，建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型， SiQ在高频溶液中的溶解是在集成电路制造的一个基本步骤。Mat和Looney~研究了二氧化硅在高频溶液中的蚀刻速率作为浓度、温度、氧化物...
引言 为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度，我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是，通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS，研究了IPA蒸汽干燥后异丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。结果表明，在这些实验条件下，定性和定量的微量杂质小至单分子...
引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这项研究中，铜在50℃用两种不同的蚀刻剂(氯化铁和氯化铜)进行化学蚀刻。研究了选择的蚀刻剂和加工条件对蚀刻深度和表面粗糙度的影响。实...
引言 Cu作为深度亚微米的多电级器件材料，由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低，与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二氧化硅颗粒对铜膜的粘附力以及添加剂对颗粒粘附和去除的作用。清洁溶液。加入柠檬酸后，由于柠檬酸盐的吸附作用，二氧化硅和铜的ζ电位略有增加。柠檬酸被吸附...
关键词 晶圆清洗 电气 半导体 引言 半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初，人们已经了 解了什么样的杂质会给半导体器件带来什么样的坏影响。 作为半导体器件制造中的杂质，大致可以分为粒子、残渣、金属 、有机物。粒子会妨碍布线图案的正常形成...
引言 研究了用于制造聚合物光波导的旋涂聚合物粘合薄膜在硅衬底上的界面粘合。通过使用光刻工艺在硅衬底上制造粘合剂剪切按钮，并用D2400剪切测试仪测量界面粘合。在同一样品的不同部分发现不同的粘合强度。在基材的中心观察到比旋涂粘合膜的其他位置更高的粘合强度。在沉积和固化的粘合剂层受热后也测量粘合强度，以...
本文介绍了一种新型的高纵横比TSV电镀添加剂系统，利用深层反应离子蚀刻(DRIE)技术对晶片形成图案，并利用物理气相沉积(PVD)技术沉积种子层。通过阳极位置优化、多步骤TSV填充过程、添加剂浓度和电镀电流密度优化，在保持无空隙填充轮廓的同时提高填充效率，通过tsv的晶片段电镀,验证了其可用性。利用...
摘要 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤，不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物，还可以消除包含特征的蚀刻金属的表面腐蚀。此外，我们还利用聚对苯二甲酸乙二 醇酯(PET)通过将薄膜从亲水改性为疏水来修复低k损伤和...
摘要 在湿化学加工中，制造需要表面清洁度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工艺参数，特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技术中RCA湿化学处理的特性基于SC-1和QDR的处理时间、温度、浓度和兆频超声波功率。提出了一种通...
引言 我们展示了一个利用高质量的绝缘体上锗(GeO)晶片通过晶片键合技术制造的阿格/非晶硅混合光子集成电路平台的概念验证演示。通过等离子体化学气相沉积形成的非晶硅被认为是传统硅无源波导的一种有前途的替代物。利用锗有源层的高晶体质量和非晶硅波导的易制造性，在锗硅晶片上成功地实现了与非晶硅无源波导单片集...
引言 椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明，溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然氧化 膜。然而，SE数据表明，自然氧化膜不能被完全蚀刻去除。这是因为蚀刻后的样品一...
先进的产业技术往往是保密的，村田官方对这项技术的介绍也寥寥几句，只有简单的工艺流程图。同时说明可以达到更小的尺寸，更高的Q值，更好的一致性等。...
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