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标签 > 宽禁带半导体
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氮化镓(GaN)是一种重要的宽禁带半导体材料,其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构: 氮化镓...
在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有...
碳化硅晶圆是晶体通过切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的温度和更多的精力来加工和结晶。因此...
芯塔电子发布自主研发1700V/5Ω SiC MOSFET产品
芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能,使之...
2023-08-16 标签:MOSFET功率器件SiC MOSFET 308 0
碳化硅功率器件及模块正加速从高端产品向下渗透。“现在售价为20万元以上的800V电动汽车,碳化硅功率器件渗透率约为一半,可以全驱配置,或只配置主驱。
3月15日,西电与极海微电子股份有限公司在宽禁带半导体国家工程研究中心举行产学研就校企合作签约仪式暨杰出校友成长奋斗故事分享会,
三安与朗明纳斯达成美洲独家销售协议,加速宽禁带半导体市场拓展
据了解,三安半导体与朗明纳斯均为三安光电集团的子公司,2013年,三安光电收购了朗明纳斯100%股权。
11月20日,英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用 将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地同时开展大规模量产化工程问题研究提升氮化镓材料与器...
在碳化硅产业链中,碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节,是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。 碳化硅衬底的生产流程包括长晶、...
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