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FFSB20120A SiC二极管 1200V 20A D2PAK

数据:

碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。
特性
  • 最高结温175°C
  • 雪崩额定200 mJ
  • 高浪涌电流容量
  • 正温度系数
  • 易于平行
  • 无逆向恢复/无正向恢复

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(4)
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