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Nexperia第二代650V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2kW或更高功率下运行

2021年04月27日 09:35 次阅读

功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装,对于给定RDS(on)值,芯片尺寸缩小36%,具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路,加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能,为设计人员提供极大的灵活性。

Nexperia GaN战略市场总监Dilder Chowdhury解释说:“钛金级是80 PLUS®规格中最严苛的,满载条件下要求达到》91%的效率(半载条件下》96%)。对于2 kW及更高功率的服务器电源应用,使用传统硅器件来实现这种性能水平,电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路,使用更少的器件,并能减少尺寸和系统成本。”

Nexperia GAN041-650WSB GaN FET现已大量供货。

设计人员可以在5月3日至7日举行的PCIM Digital Days期间访问Nexperia的展区,了解Nexperia GaN FET的实际应用。

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