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TCL发布了搭载展锐芯SC7731E的Alcatel 1C新机

芯智讯 2019-02-03 15:54 次阅读

如今大家都习惯了规格配置越来越高大上的智能手机,但在这个世界上,还有太多的人停留在非智能手机的时代,尤其在亚非拉美地区,普及型智能手机的需求仍然强劲。

近日,在CES上TCL发布了搭载展锐芯SC7731E的Alcatel 1C新机,其面向南美、亚洲和非洲市场,虽定位于普及型智能手机,但其精致的设计、优质的手感以及畅快的智能体验却令人惊艳。

18:9 拥抱全面屏

这是一个全面屏的时代,Alcatel 1C在设计中采用了5英寸18:9的屏幕显示,77.5%的屏占比可带来更广阔的视觉和画面体验。

展锐芯 体验更畅快

Alcatel 1C搭载紫光展锐SC7731E芯片平台, 这是目前集成度最高的平台之一,采用先进的28nm HPC+工艺。优秀的设计和先进工艺的采用,使得该平台的性能提升20%,功耗降低30%,在2500mAh电池容量下拥有300小时的超长待机,为广大3G用户提供了更优质的智能体验。

此外在展锐SC7731E的加持下,Alcatel 1C可流畅运行Android™ 8.1 Oreo™ (Go edition)系统,预装了Google Go、Files Go、Google Maps Go、YouTube Go和Gmail Go等应用程序,支持Google Assistant语音助手,减少存储需求并优化数据使用,帮助用户提高手机运行速度,享受更加畅快的智能体验。

设计时尚兼具质感

在外观的设计上,Alcatel 1C匠心独具,拥有火山黑、珐琅蓝、腮红三种质感配色。 2D玻璃面板,一体化机身设计,防滑的纹理,为用户带来极佳的握持感。

随时随地社交分享

美好的时刻当然要与朋友们分享。拍照性能上,Alcatel 1C配备了500万像素后置摄像头、200万像素前置摄像头,且自带美颜功能,时刻呈现最美状态。同时,Alcatel 1C还加入一些以摄影为中心的社交分享功能,如Instant Collage,Picture Booth和Social Square,用户可将一半屏幕用作取景器,另外一半屏幕查看已经拍摄的照片,并随时随地分享到社交平台。

在未来,还会有更多类似展锐SC7731E的优秀芯片,伴随着各类智能终端走向全球消费者的手中。紫光展锐在“探索创芯”的路上不断迈出坚实的步伐, 用集最新科技于一身的产品不断为全球用户带去更优秀的体验,向着“芯世界”进发!

原文标题:TCL Alcatel 1C发布:搭载展锐芯片,支持300小时超长待机!

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HMC-ALH244 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

HMC395 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 4 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +16 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC395芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC - 4 GHz放大器。 此款放大器芯片可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC395提供16 dB的增益,+31 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供54mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC395可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-15 18:44 6次 阅读
HMC395 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 4 GHz

HMC397 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +15 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC397芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC397提供15 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC397可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
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HMC397 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

HMC-ALH364 低噪声放大器芯片,24 - 32 GHz

和特点 出色的噪声系数: 2.0 dB 增益: 21 dB P1dB输出功率: +7 dBm 电源电压: +5V (68 mA) 裸片尺寸: 1.49 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH364是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至32 GHz。 该放大器提供21 dB增益、2 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V单电源时功耗仅为68 mA。 由于尺寸较小(1.09 mm2),HMC-ALH364放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信 方框图...
发表于 02-15 18:44 4次 阅读
HMC-ALH364 低噪声放大器芯片,24 - 32 GHz

HMC594-DIE 低噪声放大器芯片,2 - 4 GHz

和特点 增益平坦度: 0.2 dB 输出IP3: +36 dBm 增益: 10 dB 直流电源: +6V (100mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.32 x 1.21 x 0.10 mm 产品详情 HMC594是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)芯片,工作频率范围为2至4 GHz。 HMC594在整个工作频段内具有极平坦的性能特性,包括10dB小信号增益、2.6dB噪声系数和+36 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、一致的输出功率和隔直RF I/O,这款多功能LNA非常适合MCM组件和混合应用。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mils)的焊线连接。应用 固定微波 点对多点无线电 测试和测量设备 雷达和传感器 军事和太空方框图...
发表于 02-15 18:44 10次 阅读
HMC594-DIE 低噪声放大器芯片,2 - 4 GHz

HMC405 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 16 dB P1dB输出功率: +13 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC405芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC405提供16 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供50 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC405可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-15 18:44 8次 阅读
HMC405 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

和特点 增益: 19.5 dB P1dB: +23 dBm 输出IP3: +29 dBm 饱和功率:+24 dBm (15% PAE) 电源电压: +5V (280 mA) 50 Ω匹配输入/输出< 裸片尺寸: 1.95 x 0.84 x 0.10 mm 产品详情 HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益,+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为280 mA(+5V电源)。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器,或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器,可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω,非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 所有芯片数据均利用芯片获取,其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 混频器用LO驱动器 军事和太空 方框图...
发表于 02-15 18:43 0次 阅读
HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

和特点 低RMS相位误差: 3度 低插入损耗: 6.5 dB至8 dB 高线性度: 44 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 4.5 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36 mm² 产品详情 components.HMC649A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为3 GHz至6 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC649A在所有相态具有3度的低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC649A采用紧凑型6 mm x 6 mm无引脚SMT塑料封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-15 18:43 4次 阅读
HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.2度 低插入损耗: 5 dB 高线性度: 45 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.27 mm x 1.90 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无铅SMT封装: 36 mm²产品详情 HMC648A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为2.9 GHz至3.9 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC648A在所有相态具有1.2度至1.5度的极低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC648A采用紧凑型6 mm x 6 mm塑料无铅SMT封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消方框图...
发表于 02-15 18:43 6次 阅读
HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

和特点 低RMS相位误差: 2.5度至3.5度 低插入损耗: 6.5 dB至7 dB 高线性度: 41 dBm 正控制电压和正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.25 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 32引脚SMT陶瓷封装: 25 mm² 产品详情 HMC642A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为9 GHz至12.5 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC642A在所有相态具有2.5度至3.5度的极低RMS相位误差及±0.25 dB至±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC642A采用紧凑型5 mm x 5 mm无引脚SMT陶瓷封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-15 18:43 6次 阅读
HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

和特点 高对数范围: 59 dB(-54至+5 dBm,18 GHz) 输出频率平坦度: ±1.5 dB 对数线性度: ±1 dB 快速上升/下降时间: 5/10 ns 单正电源: +3.3V ESD灵敏度(HBM): 1A级 产品详情 HMC913是一款连续检波对数视频放大器(SDLVA),工作频率范围为0.6至20 GHz。 HMC913提供59 dB的对数范围。 该器件提供5/10 ns的典型快速上升/下降时间,延迟时间仅14 ns。 HMC913对数视频输出斜率为14 mV/dB(典型值)。 最大恢复时间不到30 ns。 HMC913非常适合高速通道接收机应用,采用+3.3 V单电源供电,功耗仅为80 mA。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 Applications EW、ELINT和IFM接收机 DF雷达系统 ECM系统 宽带测试和测量 功率测量和控制电路 军事和太空应用 方框图...
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HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

HMC694-DIE 模拟可变增益放大器芯片,6 - 17 GHz

和特点 宽增益控制范围: 23 dB 单控制电压 输出IP3(最大增益): +30 dBm 输出P1dB: +22 dBm 无需外部匹配 裸片尺寸: 2.26 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC694是一款GaAs MMIC PHEMT模拟可变增益放大器裸片,工作频率范围为6至17 GHz。 该放大器非常适合微波无线电应用,提供高达24 dB增益、22 dBm输出P1dB、30 dBm输出IP3(最大增益时),同时在+5V电源下功耗仅为170 mA。 提供栅极偏置(Vctrl)使可变增益控制高达23 dB。 HMC694在6至17 GHz范围内的增益平坦度非常出色,因而非常适合EW、ECM和雷达应用。 由于尺寸较小且无需外部匹配,HMC694可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取,通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mil)的线焊连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 EW和 ECM X频段雷达 测试设备 方框图...
发表于 02-15 18:38 6次 阅读
HMC694-DIE 模拟可变增益放大器芯片,6 - 17 GHz

骁龙855即将量产,大批旗舰智能机在路上

随着高通骁龙 855 SoC 即将转入量产,以三星 Galaxy S10 为代表的各种旗舰设备将蜂拥....
的头像 刘伟DE 发表于 02-15 17:27 1603次 阅读
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法国或将打造下一代中红外光学化学传感器

据麦姆斯咨询报道,CEA-Leti开发出了一种采用中红外硅光子学技术的下一代光学化学传感器原型,可以....
的头像 MEMS 发表于 02-15 16:59 642次 阅读
法国或将打造下一代中红外光学化学传感器

传华为将部分芯片生产转移至南京工厂

由于美国方面对于华为发起了刑事诉讼,为避免未来可能遭遇的供应链被切断的问题,最新的消息显示,华为目前....
的头像 芯智讯 发表于 02-15 16:56 897次 阅读
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劲量计划在MWC 2019上发布一款名为Max P18K Pop的超大续航手机

近日,网上有消息曝光了26款手机中的一款,其被命名为Max P18K Pop,将采用升降式前置摄像头....
发表于 02-15 16:40 140次 阅读
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请问有认识图中芯片的吗?

最近研究一个东西,遇到一款芯片,有没有大神知道这是哪个系列的芯片?芯片的大小尺寸是:1.1mm*2.1mm。...
发表于 02-13 10:53 30次 阅读
请问有认识图中芯片的吗?

0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

最近需要一款0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片,有什么好推荐的吗...
发表于 01-29 10:35 84次 阅读
0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

最大距离范围EZ-BLE是多少

您好,我需要知道智能手机和EZ-BLE之间的最大距离,以下配置: EZ白光发射机 只使用Android手机的智能手机 谢谢你的帮...
发表于 01-29 06:50 120次 阅读
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请问用什么12V降5V的芯片比较好?

用什么12 V降5V的芯片比较好?
发表于 01-28 06:36 79次 阅读
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推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?

推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?
发表于 01-24 15:01 333次 阅读
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请问软件读出来的信息怎么看批次

C:\Users\Tom.chan\Desktop用软件读出以下信息,怎么能看出芯片的生产日次(年+周) CPU 96bits ID: 0X30343934...
发表于 01-24 08:22 234次 阅读
请问软件读出来的信息怎么看批次

一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

芯片管脚有两组UART,一组UART_TX,UART_RX。一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?都是作为I/O...
发表于 01-23 11:23 244次 阅读
一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现

模拟程序模拟了简化的 LXT971A 芯片(Inter 公司的外部 PHY 芯片)。PHY 芯片通过 MIIM(媒体无关接口管理模块)...
发表于 01-18 14:20 179次 阅读
以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现