侵权投诉

【硬见小百科】二十种电容分类详解!

云创硬见 2020-04-26 08:46 次阅读

一、瓷介电容器(CC)

1.结构

用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分 1 类电介质(NPO、CCG);2 类电介质(X7R、2X1)和 3 类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。

2.特点

1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高,容量大(最大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性能较1类的差。

3.用途

1类电容主要应用于高频电路中。2、3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。

二、涤纶电容器(CL)

1.结构

涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。

2.优点

耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。

3.用途

一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。

三、聚苯乙烯电容器(CB)

1.结构

有箔式和金属化式两种类型。

2.优点

箔式绝缘电阻大,介质损耗小,容量稳定,精度高,但体积大,耐热性较差;金属化式防潮性和稳定性较箔式好,且击穿后能自愈,但绝缘电阻偏低,高频特性差。

3.用途

一般应用于中、高频电路中。

常用的型号有CB10、CB11(非密封箔式)、CB14~16(精密型)、CB24、CB25(非密封型金属化)、CB80(高压型)、 CB40 (密封型金属化)等系列。

4、聚丙烯电容器(CBB)

1.结构

用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式(常用有色树脂漆封装)和密封式(用金属或塑料外壳封装)两种类型。

2.优点

损耗小,性能稳定,绝缘性好,容量大。

3.用途

一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容:CBB10、CBB11、CBB60、 CBB61 等;金属化式聚丙烯电容:CBB20、CBB21、CBB401 等系列。

五、独石电容器

1.结构

独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器。

2.优点

它具有性能可靠、耐高温、耐潮湿、容量大(容量范围1 pF ~ 1 μF)、漏电流小等优点。

3.缺点

工作电压低(耐压低于100 V)。

4.用途

广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。 常用的有CT4 (低频) 、CT42(低频);CC4(高频)、CC42(高频)等系列。

六、云母电容器(CY)

1.结构

云母电容器是采用云母作为介质,在云母表面喷一层金属膜(银)作为电极,按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳(或陶瓷、塑料外壳)内构成。

2.优点

稳定性好、分布电感小、精度高、损耗小、绝缘电阻大、温度特性及频率特性好、工作电压高(50 V~7 kV)等优点 。

3.用途

一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。

七、纸介电容器(CZ)

1.结构

纸介电容器是用较薄的电容器专用纸作为介质,用铝箔或铅箔作为电极,经卷绕成型、浸渍后封装而成。

2.优点

电容量大(100 pF~100 μF)工作电压范围宽,最高耐压值可达6.3 kV。

3.用途

体积大、容量精度低、损耗大、稳定性较差。常见有CZ11、CZ30、CZ31、CZ32、CZ40、CZ80等系列。

八、金属化纸介电容器(CJ)

1.结构

金属化纸介电容器采用真空蒸发技术,在涂有漆膜的纸上再蒸镀一层金属膜作为电极而成。

2.优点

与普通纸介电容相比,体积小,容量大,击穿后能自愈能力强。

九、铝电解电容器(CD)结构

有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔(正极)和浸有电解液的衬垫纸,与阴极(负极)箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。

1.优点

容量范围大,一般为1~10 000 μF,额定工作电压范围为6.3 V~450 V。

2.缺点

介质损耗、容量误差大(最大允许偏差+100%、–20%)耐高温性较差,存放时间长容易失效。

3.用途

通常在直流电源电路或中、低频电路中起滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。注意:不能用 于交流电源电路。在直流电源中作滤波电容使用时极性不能接反。

十、钽电解电容器(CA)

1.结构

有两种形式:1. 箔式钽电解电容器 内部采用卷绕芯子,负极为液体电解质,介质为氧化钽。型号有 CA30、CA31、CA35、CAk35等系列。2. 钽粉烧结式 阳极(正极)用颗粒很细的钽粉压块后烧结而成。封装形式有多种。型号有CA40 、CA41、CA42、CA42H、CA49、CA70(无极性)等系列。

2.优点

介质损耗小、频率特性好、耐高温、漏电流小。

3.缺点

生产成本高、耐压低。

4.用途

广泛应用于通信、航天、军工及家用电器上各种中 、低频电路和时间常数设置电路中。

十一、云母微调电容器(CY)

1.结构

云母微调电容器由定片和动片构成,定片为固定金属片,其表面贴有一层云母薄片作为介质,动片为具有弹性的铜片或铝片,通过调节动片上的螺钉调节动片与定片之间的距离,来改变电容量。 云母微调电容器有单微调和双微调之分。

2.优点

电容量均可以反复调节。

3.用途

应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。

十二、瓷介微调电容器(CC)

1.结构

瓷介微调电容器是用陶瓷作为介质。在动片(瓷片)与定片(瓷片)上均镀有半圆形的银层,通过旋转动片改变两银片之间的相对位置,即可改变电容量的大小。

2.优点

体积小,可反复调节,使用方便。

3.用途

应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。

十三、薄膜微调电容器结构

薄膜微调电容器是用有机塑料薄膜作为介质,即在动片与定片(动、定片均为半圆形金属片)之间加上有机塑料薄膜,调节动片上的螺钉,使动片旋转,即可改变容量。 薄膜微调电容器一般分为双微调和四微调。有的密封双连或密封四连可变电容器上自带薄膜微调电容器,将微调电容器安装在外壳顶部,使用和调整就更方便了。

1.优点

体积小,重量轻,可反复调节,使用方便。

2.用途

应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。

十四、空气可变电容器(CB)

1.结构

电极由两组金属片组成。一组为定片,一组为动片,动片与定片之间以空气作为介质。当转动动片使之全部旋进定片时,其电容量最大,反之,将动片全部旋出定片时,电容量最小。空气可变电容器有单连和双连之分(见外型图)。

2.优点

调节方便、性能稳定、不易磨损。

3.缺点

体积大。

4.用途

应用于收音机、电子仪器、高频信号发生器、通信电子设备。

十五、薄膜可变电容器

1.结构

薄膜可变电容器是在其动片与定片之间加上塑料薄膜作为介质,外壳为透明或半透明塑料封装,因此也称密封单连或密封双连和密封四连可变电容器。

2.优点

体积小、重量轻。

3.缺点

杂声大、易磨损。

4.用途

单连主要用在简易收音机或电子仪器中;双连用在晶体管收音机和电子仪器、电子设备中;四连常用在AF/FM多波段收音机。

十六、聚丙乙烯电容(CBB)

1.结构

CBB电容以金属化聚丙烯膜串联结构型式,能抗高电压、大电流冲击,具有损耗小,电性能优良,可靠性高和自愈性能。

2.优点

介电常数较高,体积小,容量大,稳定性比较好,能抗高电压、大电流冲击,具有损耗小,电性能优良,可靠性高和自愈性能。

3.缺点

温度系数大。

4、用途

代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路

十七、安规电容

1.结构

安规电容的组成一般是由介质、电极、外壳、封装、引脚五个部分组成的。其介质一般是由聚丙烯膜组成;电极是由金属真空蒸发层组成; 外壳一般是以阻燃PBT塑壳(UL94V-0)为主; 封装一般是由阻燃环氧树脂(UL94V-0)组成;而引脚是以镀锡铜包钢线而组成。

2.优点

失效后,不会导致电击,不危及人身安全。

3.用途

x电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的电容,用于抑制差模干扰,一般选用金属薄膜电容。Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现,抑制共模干扰,用于电源市电输入端即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。

十八、真空电容

1、结构

以真空作为介质的电容器,采用高导无氧铜带通过一整套高精度模具一道道引伸而形成的一组同心圆柱形电极被密封在一个真空容器中。

2、优点

真空电容器与其他介质的电容器相比,具有耐压高、体积小、损耗低、性能稳定可靠等特点,不容易产生飞弧、电晕等现象。

3、用途

1)广播通讯设备:真空电容器在中波、短波、超短波发射机上,作为调谐、耦合、滤波、中和、隔直流等元件。

2)半导体制造设备:用于等离子体的沉积和刻蚀设备。

3)高频工业设备:用于高频介质加热和焊接等。

4)医疗器械:医疗分析仪及治疗仪等。

5)高能物理:高能粒子加速器等。

6)电力设备:用于介质损耗测试设备。

十九、多圈微调电容

1、结构

一种使用在UHF、VHF领域的密封型多圈瓷介微调电容器,在调节电容量时,轴子在轴向移动时不外露出体外,且能阻隔外界空气和污染源进入内部,能适合各种不同使用空间要求,它是由结头(6)和附有密封带(12)的转子(7)螺纹电连接外瓷环(8)一端和结头(6)固接,另一端和底座(10)固接,引出线(11)一端和内瓷环(9)同心固接后与底座(10)紧配固接。用起子转动转子在瓷环间和结头内轴向移动,密封带在结头内螺纹滑动从而隔断外节污染源进入内部。

二十、穿心电容

1、结构

穿心电容是一种三端电容,但与普通的三端电容相比,由于它直接安装在金属面板上,因此它的接地电感更小,几乎没有引线电感的影响,另外,它的输入输出端被金属板隔离,消除了高频耦合,这两个特点决定了穿心电容具有接近理想电容的滤波效果。

2、优点

自电感较普通电容小得多,故而自谐振频率很高

3、用途

用于射频抗干扰滤波器。把流经机壳或设备某点的低频电流或射频电流(它可能引起干扰)通过尽可能短的通路接地。典型的应用有:旋转式装置;点火装置;机电调压器、震动器、开关;电子装置(发射机、雷达调制器、闸流管等)及设备交流滤波。

lw

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

OV5640自动对焦摄像模组应用指南详细资料说明

OV5640 的视频输出接口共有 10 位,D[9:0]。当输出为 10-bit RGB raw 格....
发表于 05-27 08:00 5次 阅读
OV5640自动对焦摄像模组应用指南详细资料说明

高电压绝缘技术教材PDF电子书免费下载

本书为普通高等教育“十一五”规划教材。 全书共分十章,主要内容包括高电压绝缘技术中的静电场,电气击穿....
发表于 05-27 08:00 16次 阅读
高电压绝缘技术教材PDF电子书免费下载

浅谈智能集成电容器在箱式的应用

摘要:随着我国对电网建设的不断投入以及电网改造力度的加大,电网末端变配电设备越来越多,智能集成电力电....
发表于 05-26 16:24 12次 阅读
浅谈智能集成电容器在箱式的应用

常用电子元器件有哪些详细图解和作用说明

在电子制作中,要使用到许多不同的电子元件。在这一节中,将简单地介绍常用的电子元件。同学们应认识它们,....
发表于 05-25 08:00 110次 阅读
常用电子元器件有哪些详细图解和作用说明

如何选择示波器触发耦合的方式

你知道示波器触发耦合方式的选择方法吗?示波器的输入耦合方式的意思是输入信号的传输方式。 耦合是指两个....
的头像 Wildesbeast 发表于 05-24 10:10 304次 阅读
如何选择示波器触发耦合的方式

在基站射频功率放大器上硅电容器解决方案

为了达到相当于现行网速100倍的10Gbps,如何利用比现行带宽宽数倍至数十倍的带宽已成为一大研究课....
发表于 05-22 15:00 62次 阅读
在基站射频功率放大器上硅电容器解决方案

开关噪声EMC设计关键点

在之前的文章中我们解释了电容器,电感器,铁氧体磁珠和电阻器用于差分模式滤波器,用于开关电源的输入级,....
发表于 05-22 09:24 88次 阅读
开关噪声EMC设计关键点

「硬见小百科」运放电路PCB设计技巧

印制电路板(PCB)布线在高速电路中具有关键的作用,但它往往是电路设计过程的最后几个步骤之一。高速P....
的头像 云创硬见 发表于 05-22 09:16 376次 阅读
「硬见小百科」运放电路PCB设计技巧

电容补偿在技术上的注意事项

电容补偿在技术上应注意的问题有以下几点:
发表于 05-21 17:26 93次 阅读
电容补偿在技术上的注意事项

如何快速判断涤纶电容器的好坏?

电容器好坏的鉴别方法主要是检测电力电容器的容值,而电容器与电容(不管是哪种电容瓷片电容、金属化电容等....
发表于 05-20 16:01 40次 阅读
如何快速判断涤纶电容器的好坏?

电容怎么同法拉弟扯上关系了?

关于电容器装电的本领——静电容量的大小可以通过公式C=Q/U进行测算,当然现在有很多专用的仪器可以直....
的头像 传感器技术 发表于 05-19 14:48 308次 阅读
电容怎么同法拉弟扯上关系了?

贴片电容的COG与X7R及Y5V等介质的区别详细说明

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意....
发表于 05-19 08:00 41次 阅读
贴片电容的COG与X7R及Y5V等介质的区别详细说明

接地和屏蔽电路及干扰PDF电子书免费下载

《接地与屏蔽》第一版于1967年出版。第四版于1997年出版。很难想象又一个十年过去了,我会在同一个....
发表于 05-19 08:00 45次 阅读
接地和屏蔽电路及干扰PDF电子书免费下载

高速无刷电机的温升是如何受材料的影响的?

高速无刷电机运行时,大量的损耗会导致温度上升,材料的热性能也会随之变化,从而影响电机的损耗。这一循环....
的头像 Honlite电机 发表于 05-16 09:47 162次 阅读
高速无刷电机的温升是如何受材料的影响的?

高压瓷片电容103M-2KV产品的应用

高压瓷片电容103M-2KV是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电....
发表于 05-13 10:18 97次 阅读
高压瓷片电容103M-2KV产品的应用

ADC不能正常工作怎么办

目前,我在一个高级设计项目,我们使用的是无刷直流电机。我们使用的是dsPIC30F2010和一个外部8MHz振荡器,锁相环为x8(我...
发表于 05-12 12:55 37次 阅读
ADC不能正常工作怎么办

风力机烧毁– 可以避免吗?

接头由金属制成,因此电阻会随着温度的升高而加大,接点存在缺陷的情况下,温度可高达600°C,取决于接....
的头像 人间烟火123 发表于 05-08 17:15 518次 阅读
风力机烧毁– 可以避免吗?

陶瓷电容的结构和主要加工环节

下面简单介绍一下陶瓷电容的主要加工环节:a) 备料成型:原料经过煅烧、粉碎与混和后,达到一定的颗粒细....
的头像 电子工程技术 发表于 05-07 17:46 910次 阅读
陶瓷电容的结构和主要加工环节

金属化聚丙烯膜电容器的优点及技术要求

在电容器行业中,我们常见的MKP电容,就是金属化聚丙烯膜电容器(Metailized Polypro....
发表于 05-07 11:42 118次 阅读
金属化聚丙烯膜电容器的优点及技术要求

如何预防薄膜电容器故障?需要注意哪些?

在使用薄膜电容器过程中,就算质量再好的薄膜电容器时间久了也难免会出现一些小问题,当然只要我们了解了电....
发表于 05-07 11:27 77次 阅读
如何预防薄膜电容器故障?需要注意哪些?

强地耦合单线电容式电力传输系统的建模

本文通过对单导线电容式功率传输(CPT)系统的建模,揭示了其与地面强耦合的功率传输机理。提出了一种将....
发表于 05-07 08:00 60次 阅读
强地耦合单线电容式电力传输系统的建模

电路板翘曲或弯曲施加压力的零件安装方法

通过抗电路板弯曲试验,将图1中①、②的评价结果如图2所示。可知通过装配在②方向上,电路板弯曲耐性增高....
的头像 村田中文技术社区 发表于 05-06 15:37 330次 阅读
电路板翘曲或弯曲施加压力的零件安装方法

村田制作所成功开发出了低啸叫电容器

演示分别针对这3种电容器,通过人耳确认啸叫 (声音) 程度。在演示组件内产生12V的矩形波,并通过开....
的头像 村田中文技术社区 发表于 05-06 15:32 451次 阅读
村田制作所成功开发出了低啸叫电容器

MLCC温度特性由EIA规格与JIS规格等制定

一类为温度补偿类NP0电介质这种电容器电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、....
的头像 村田中文技术社区 发表于 05-06 15:28 425次 阅读
MLCC温度特性由EIA规格与JIS规格等制定

印制电路板如何实现去耦电容配置的可靠性设计

在直流电源回路中,负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中,当电路从一个状态转换为另一种状态时,就....
的头像 Wildesbeast 发表于 05-05 16:07 248次 阅读
印制电路板如何实现去耦电容配置的可靠性设计

如何实现印制电路板的可靠性设计

目前电子器材用于各类电子设备和系统仍然以印制电路板为主要装配方式。实践证明,即使电路原理图设计正确,....
的头像 Wildesbeast 发表于 05-05 16:03 870次 阅读
如何实现印制电路板的可靠性设计

如何才能驾驭噪声电源

无噪声电源并非是偶然设计出来的。一种好的电源布局是在设计时最大程度的缩短实验时间。花费数分钟甚至是数....
的头像 Wildesbeast 发表于 05-05 09:19 869次 阅读
如何才能驾驭噪声电源

达孚电子为你详细介绍交流陶瓷安规电容器

交流陶瓷安规电容器适用于低频电路中的的耦合、隔直流、滤波及旁路电路中。它的主要优势有:1.宽广的电容....
发表于 05-02 10:59 60次 阅读
达孚电子为你详细介绍交流陶瓷安规电容器

启动电容器烧坏的原因

功率稍大些的单相电机,一般都配备二个电容器即启动电器和运转电容器。在70年之前的单相电机多为一个电容....
发表于 04-30 17:43 395次 阅读
启动电容器烧坏的原因

浅谈智能集成电容器在箱式变电站中的应用分析

摘 要:随着我国对电网建设的不断投入以及电网改造力度的加大,电网末端变配电设备越来越多,智能集成电力....
发表于 04-29 07:39 122次 阅读
浅谈智能集成电容器在箱式变电站中的应用分析

一起分享电容的基础知识

其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。常见的平行板电容器....
的头像 张飞实战电子 发表于 04-28 11:33 1056次 阅读
一起分享电容的基础知识

金属膜电容器广泛应用电动车行业

随着城市污染气体的排放,汽车已占了50%以上,世界各国都在寻求汽车代用燃料的同时,电动车也开始流行了....
发表于 04-25 10:50 91次 阅读
金属膜电容器广泛应用电动车行业

常用电容器的结构和特点

电容器的种类非常多,下面我们一起来了解吧! 1.铝电解电容: 它是由铝圆筒做负极,里面装有液体电解质....
发表于 04-25 10:35 88次 阅读
常用电容器的结构和特点

陶瓷电容器的常见问题

1.什么是陶瓷电容器? 陶瓷电容器是指用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作....
发表于 04-25 10:22 163次 阅读
陶瓷电容器的常见问题

三和電機在智能城市电子领域备受瞩目

GREEN-CAP具有超过1,000,000次的快速充放电循环次数,更换周期长,便于维护,可在极端温....
的头像 人间烟火123 发表于 04-24 10:28 511次 阅读
三和電機在智能城市电子领域备受瞩目

一种结合了高能量密度与快速放电时间的新型电池

在西班牙东北部的巴斯克地区的阿拉瓦省,CIC energIGUNE能源合作研究中心的科学家通过设计硬....
的头像 独爱72H 发表于 04-23 17:14 680次 阅读
一种结合了高能量密度与快速放电时间的新型电池

MXene材料成为储能新兴领域,可提高充电速度

2012年之后,有一种材料开始得到重视,那就是MXene材料。这是一类具有二维层状结构的金属碳化物和....
的头像 独爱72H 发表于 04-23 16:43 522次 阅读
MXene材料成为储能新兴领域,可提高充电速度

ROHM确立可大幅降低电容器容值的电源技术“Nano Cap™”

Nano Cap通过改善模拟电路的响应性能,并尽可能地减少布线和放大器的寄生因素,对线性稳压器的输出....
发表于 04-23 11:29 253次 阅读
ROHM确立可大幅降低电容器容值的电源技术“Nano Cap™”

全程图解电工维修技法PDF电子书免费下载

《全程图解电工维修技法》主要阐述了电气设备、仪表、电气元器件及其应用电路的工作原理和用途,并相应介绍....
发表于 04-23 08:00 240次 阅读
全程图解电工维修技法PDF电子书免费下载

y2电容的规格型号

Y2电容是安规电容中的Y电容系列之一,它主要是由两块导体夹着一块绝缘体构成的电子元件。外观多为蓝色,....
发表于 04-22 15:07 101次 阅读
y2电容的规格型号

X1Y1安规电容的特点及应用

X1Y1安规电容采用金属化聚丙烯膜作介质和电机。用耐高温阻烯壳,环氧树封装,单向引出结构,该产品由较....
发表于 04-22 14:48 156次 阅读
X1Y1安规电容的特点及应用

纳米尺度下的光和物质强耦合系统的研究

具体来说,他们把量子辐射点(发光原子分子激子等)嵌入到纳米尺度的光学腔里,观察到光子和辐射点在常温下....
的头像 牵手一起梦 发表于 04-21 17:58 716次 阅读
纳米尺度下的光和物质强耦合系统的研究

科学家研发可伸缩超级电容器,其自带加热功能

杜克大学和密歇根州立大学的研究人员已经设计出一种新型超级电容器,即使被拉伸到原来的8倍大小,它也能保....
的头像 独爱72H 发表于 04-19 20:45 525次 阅读
科学家研发可伸缩超级电容器,其自带加热功能

如何将两个转换器并联使得DC-DC转换器的负载电流倍增

保持两个转换器之间有180°的相位差,就可以减小输入/输出纹波。一般情况下,一个IC电流增大时,另一....
发表于 04-19 11:16 211次 阅读
如何将两个转换器并联使得DC-DC转换器的负载电流倍增

马自达利用电容器驱动的轮毂电机专利

最近一份专利申请文件表明,马自达在考虑推出利用电容器驱动的轮毂电机,而此种高科技的混合动力装置可能专....
的头像 汽车玩家 发表于 04-17 17:01 959次 阅读
马自达利用电容器驱动的轮毂电机专利

高压标准电容器电压系数测量方法的研究

一般来说,电荷在电场中会受力而移动,当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成....
的头像 独爱72H 发表于 04-17 15:24 801次 阅读
高压标准电容器电压系数测量方法的研究

Vishay最新推出新系列小型卡扣式铝电解电容器---257 PRM-SI

257 PRM-SI系列电容器采用蓝色套筒绝缘的圆柱形铝外壳,额定电压为500V,从22 mm x ....
发表于 04-15 15:23 272次 阅读
Vishay最新推出新系列小型卡扣式铝电解电容器---257 PRM-SI

YXF系列小型铝电解电容器的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是YXF系列小型铝电解电容器的数据手册免费下载。
发表于 04-14 17:39 80次 阅读
YXF系列小型铝电解电容器的数据手册免费下载

影响低压电力电容器寿数的因素有哪些

低压电力电容器是配电无功抵偿中的要害设备,而电力电容器是一个十分“软弱”的元件,很简略遭到环境条件的....
发表于 04-11 10:24 164次 阅读
影响低压电力电容器寿数的因素有哪些

CCD的复习知识点详细概述

CCD是英文Charge Coupled Devices 的缩写, 译作“电荷耦合器件”是以电荷包的....
发表于 04-10 17:19 167次 阅读
CCD的复习知识点详细概述

PIC16LF1825的睡眠电流变化太大

由于某些原因,PIC16LF1825的睡眠电流变化太大。通常睡眠电流约为5UA。然而,最新的一批包括几个微控制器,其睡眠电流约为...
发表于 04-10 11:06 120次 阅读
PIC16LF1825的睡眠电流变化太大

电解电容在做耦合电容的时候是如何工作的,如何理解电解电容两端的变化?

如上图C1是一个耦合电容,用于传递交流信号至三极管基级,C1的右侧是一个直流电压,左侧是电容负极接信号,可以肯定的是C1右侧...
发表于 04-09 13:02 291次 阅读
电解电容在做耦合电容的时候是如何工作的,如何理解电解电容两端的变化?

电容器和电阻器等元件是否可以在Vivado中导入并用于方框图?

电容器和电阻器等元件是否可以在Vivado中导入并用于方框图? 那就是我们可以使用Xilinx IP模块和电容/电阻创建自己的电路。...
发表于 04-08 07:27 79次 阅读
电容器和电阻器等元件是否可以在Vivado中导入并用于方框图?

PIC128FJ204操作不可靠

我困惑不解。我有一个新的设计,我想提出。我花了几天的时间。PIC24FJ128GA204。MPLAB X 4.01。ICD3。使用MCC...
发表于 04-07 06:41 81次 阅读
PIC128FJ204操作不可靠

LTC3026-1有什么特点?

LTC3026-1 稳压器可在采用 10μF 或更大的陶瓷输出电容器时保持稳定。该器件具有一个 0.4V 的低基准电压,用于通过两个外部...
发表于 04-06 09:02 143次 阅读
LTC3026-1有什么特点?

ADC模块的保持电容器不被释放

设备:16F1824HI,在那里。几天前我刚刚把转换搞错了,一直在找原因。我想我的代码是nodefectadc.c:信道选择正确。我的算法大...
发表于 03-30 08:54 104次 阅读
ADC模块的保持电容器不被释放

电容器知识概论

发表于 03-27 16:11 575次 阅读
电容器知识概论

PIC 16F628A问题

大家好,我已经开始用PIC单片机工作了。我有PIC16F628 A,我用的是PACTIT3程序员。我从闪烁的LED开始,但我想在...
发表于 03-17 10:01 114次 阅读
PIC 16F628A问题

铝电容怎么选用?

电容器是一种储能元件,在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时。电容器通常叫做电容。按其结构可分为固定电容器、...
发表于 03-09 09:00 148次 阅读
铝电容怎么选用?

TIL113M 6引脚DIP光敏达林顿输出光电耦合器

4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。 特性 “对于低输入驱动电流高度敏感 满足或超过所有JEDEC寄存规格 安全和法规认证: UL1577,4170 VAC RMS (1分钟) DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作绝缘电压“ 应用 消费型设备 工业级电机 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 20:06 113次 阅读
TIL113M 6引脚DIP光敏达林顿输出光电耦合器

TIL117M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

信息MOC8100、TIL111和TIL117光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 UL认证(文件编号E90700) 通过VDE认证(文件编号94766);(文件编号102497,白色封装) 为白色封装增加选件V(例如,TIL111VM)
发表于 04-18 20:06 63次 阅读
TIL117M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

TIL111M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

信息MOC8100、TIL111和TIL117光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 UL认证(文件编号E90700) 通过VDE认证(文件编号94766);(文件编号102497,白色封装) 为白色封装增加选件V(例如,TIL111VM)
发表于 04-18 20:06 18次 阅读
TIL111M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

6N139M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

信息6N138M/9M和HCPL2730M/31M光电耦合器包含与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的AlGaAs LED。分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开,相对于传统的达灵顿光电晶体管光电耦合器,可降低输出饱和电压,提高运行速度。在双通道器件中,集成发射极-基极电阻 HCPL2730M/HCPL2731M 可提供一流的耐温稳定性。0.5mA的极低输入电流与2000%的高电流传输比相结合,使得该系列对于MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口特别有用,同时也确保了至CMOS的输出兼容性,并且满足高扇出TTL要求。内部噪声屏蔽可提供 10 kV/µs 的出色共模抑制性能。 低电流 – 0.5 mA 一流的 CTR-2000% 一流的 CMR-10 kV/µs CTR 保证 0–70°C U.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2) VDE 认证(待定) – 订购选件 V,如 6N138VM 双通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即将上市)...
发表于 04-18 20:02 66次 阅读
6N139M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

6N137M 高速10MBit/s逻辑门光电耦合器

信息6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M单通道和HCPL2630M、HCPL2631M双通道光电耦合器包含850 nm砷化铝镓LED,该LED光学耦合至带可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。 该输出具有开路集电极,允许有线或输出。 在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 5mA的最大输入信号将提供13mA的最小输出灌电流(扇出为8)。 内部噪声屏蔽提供卓越的通常为10kV/μs的共模抑制。 HCPL2601M和HCPL2631M的CMR最小值为5kV/µs。 HCPL2611M的CMR最小值为10kV/µs。 超高速 – 10 MBit/s 卓越 CMR – 10 kV/µs -40°C 至 +85°C 时扇出为 8 逻辑栅极输出 可选通输出 有线OR开路集电极 U.L. 认证(文件编号E90700)...
发表于 04-18 20:01 33次 阅读
6N137M 高速10MBit/s逻辑门光电耦合器

6N138M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

信息6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光电耦合器包含与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的 AlGaAs LED。 分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开,相对于传统的达灵顿光电晶体管光电耦合器,可降低输出饱和电压,提高运行速度。在双通道器件中,集成发射极-基极电阻 HCPL2730M/HCPL2731M 可提供一流的耐温稳定性。0.5mA的极低输入电流与2000%的高电流传输比相结合,使得该系列对于MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口特别有用,同时也确保了至CMOS的输出兼容性,并且满足高扇出TTL要求。内部噪声屏蔽可提供 10 kV/µs 的出色共模抑制性能。 低电流 – 0.5 mA 一流的 CTR-2000% 一流的 CMR-10 kV/µs CTR 保证 0–70°C U.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2) VDE 认证(待定) – 订购选件 V,如 6N138VM 双通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即将上市)...
发表于 04-18 20:01 87次 阅读
6N138M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

6N136M 高速晶体管光电耦合器

信息HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。 通过降低输入晶体管的基极-集电极电容,单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极,有助于改善抗噪能力,内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能,高达50,000V/µs。 超高速 – 1 MBit/s 一流CMR – 10 kV/µs 双通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版) CTR保证 0–70°C U.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2) 2) VDE认证(待定)–订购选项“V”,例如6N135VM 5,000Vrms(1分钟)隔离电压 一流CMR,15,000V/µs min. (HCPL4503M)...
发表于 04-18 20:01 40次 阅读
6N136M 高速晶体管光电耦合器

6N135M 高速晶体管光电耦合器

信息 6N135光电耦合器包含一个砷化铝镓二极管,该二极管光耦合到一个高速光电晶体管探测器。  6N135为偏置二极管建立了单独的连接,降低了输入晶体管的基极-集电极容抗,使得6N135的速度比传统光耦提高了数个数量级。   6N135带有内部噪音屏蔽,提供优越的共模抑制,达到10kV/μs。改良的配套方案提供优越的隔离性能,相比220V的工业标准,6N135的工作电压高达480V。优势特点HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。 通过降低输入晶体管的基极-集电极电容,单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极,有助于改善抗噪能力,内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能,高达50,000V/µs。超高速 – 1 MBit/s一流CMR – 10 kV/µs双通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版)CTR保证 0–70°CU.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2)VDE认证(待定)–订购选件“V”,例如6N135VM5,000Vrms(1分钟)隔离电压一流CMR,15,000V/µs min....
发表于 04-18 20:01 67次 阅读
6N135M 高速晶体管光电耦合器

4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引脚 DIP 通用光敏达灵顿光电耦合器

信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。“对于低输入驱动电流高度敏感满足或超过所有 JEDEC 寄存规格安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压”
发表于 04-18 19:38 30次 阅读
4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引脚 DIP 通用光敏达灵顿光电耦合器

4N38M 6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器

信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。高电压:MOC8204M, BV= 400 VH11D1M, BV= 300 VH11D3M, BV= 200 V安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 24次 阅读
4N38M 6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器

4N33M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。 特性 “对于低输入驱动电流高度敏感 满足或超过所有JEDEC寄存规格 安全和法规认证: UL1577,4170 VAC RMS (1分钟) DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作绝缘电压“ 应用 AC-DC商用电源 消费型设备 工业级电机 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:38 86次 阅读
4N33M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N37M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 52次 阅读
4N37M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 150次 阅读
4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N32M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。“对于低输入驱动电流高度敏感满足或超过所有 JEDEC 寄存规格安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压”
发表于 04-18 19:38 72次 阅读
4N32M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N29M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。对于低输入驱动电流高度敏感满足或超过所有 JEDEC 寄存规格安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 61次 阅读
4N29M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 133次 阅读
4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

光电耦合器包含一个砷化镓红外发光二极管,用于驱动硅光敏晶体管,采用标准塑料六引脚双列封装。 特性 IF = 10 mA时的最小电流传输比,VCE = 10 V:•4N27M和4N28M的10%•4N25M和4N26M的20%•4N35M,4N36M和4N37M的100% 安全和法规认证:•UL1577,4,170 VACRMS 1分钟•DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作绝缘电压 应用 AC-DC商用电源 消费型设备 工业级电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:38 166次 阅读
4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 113次 阅读
4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 104次 阅读
4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。AC-DC商用电源消费型设备工业级电机
发表于 04-18 19:38 107次 阅读
4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器