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全球晶圆厂投资金额下调,台积电却出现24%的年成长率

2018年12月22日 10:06 次阅读

国际半导体产业协会(SEMI)昨(18)日公布全球晶圆厂预测报告(World Fab Forecast Report),预期2019年全球晶圆厂设备投资金额将下调,由原先预估的年成长7%下调15个百分点至年衰退8%。不过,在台积电积极布建5纳米晶圆厂情况下,台湾明年晶圆厂支出金额将逆势出现高达24%的年成长率。 

SEMI台湾区总裁曹世纶表示,存储器价格下跌与中美贸易战之下导致公司投资计划改变,为晶圆厂资本投资快速下滑两大主因,其中又以先进存储器制造商、中国大陆晶圆厂、及28纳米或以上成熟制程业者的资本支出缩减影响全球市场最剧。 

全球晶圆厂投资金额下调,台积电却出现24%的年成长率

SEMI表示,进入2018年时,全球半导体晶圆厂设备市场原先预测将延续罕见的连续4年成长直至2019年。但其实早在今年8月时,SEMI综合收集分析全球超过400间晶圆厂主要投资计划后,便预测2018年下半年至2019年上半年晶圆厂投资金额将呈下滑态势,包括将2018全年投资金额由8月时预估的年成长14%下修4个百分点至年成长10%,2019全年投资金额更是明显下修,由原先预估的年成长7%下修15个百分点至年衰退8%。 

且有鑑于近期的市场情势,下滑幅度恐将较原先预期更为剧烈;报告指出,2018年下半年及2019年上半年晶圆设备销售金额分别将下滑13及16个百分点,直至2019年下半年才有望出现转圜。 

但由2019年各地区的晶圆厂支出金额变化来看,韩国存储器双雄三星及SK海力士大砍资本支出,不仅导致明年韩国晶圆厂支出金额年减35%,亦是造成明年全球晶圆厂支出金额下滑的重要关键。至于台湾明年晶圆厂支出金额逆势出现高达24%的年增率,主要是受惠于晶圆代工龙头台积电加快5纳米晶圆厂Fab 18的产能布建。 

SEMI表示,今年NAND Flash价格急跌,DRAM价格也在第四季松动,存储器业者快速反应市场情况,并减少资本支出,并暂缓所有已订购设备出货。整体来看,2019年整体存储器资本支出将年减19%,其中DRAM下滑最剧烈幅度达23%,3DNAND则下滑约13%。 

至于受到全球瞩目的中国大陆,明年晶圆厂设备投资金额已由原本预估的170亿美元下修到119.57亿美元,其中原因包括存储器市况不佳、美中贸易战导致两国关係紧张、以及对大环境不确定导致建厂计划延宕等,包括SK海力士、格芯(GlobalFoundries)、联电、中芯等均暂缓大陆投资力道,福建晋华DRAM投资计划也已喊停。

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