®收购）的UF3N170400B7S JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常开JFET，为过流保护电路、DC-AC逆变器、开关电源 、功率因数校正模块、电机驱动
2022-04-29 16:36:30
2934 
(SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车
2022-05-17 11:55:242172 
美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布已经推出一系列适用于与具备内置低压MOSFET的控制器IC共同封装的SiC JFET晶片，由此可制造出速度极快，基于共源共栅的20～100W反激式产品。
2019-03-20 09:19:281750 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC于3月21日宣布达成与ADI公司（Analog Devices）的战略投资和长期供应协议，具体条款尚未公布。
2019-03-22 00:34:33963 UnitedSiC布将推出四种新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车（EV）逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。
2019-12-10 13:45:241799 ，也点燃半导体业新战火。 第三代半导体主要和氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）两种材料有关，不少大厂都已先期投资数十年，近年随着苹果、小米及现代汽车等大厂陆续宣布产品采用新材料的计划，让第三代半导体成为各界焦点。 目前各大厂都运用不同
2021-05-10 16:00:572569 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。
2021-09-14 14:47:19612 
点研究内容,广泛地分析了3GPP(第三代合作伙伴计划)提出的一系列相关安全协议及技术规范,给出了基于独立同分布概率理论的认证数据流量数学分析模型。该文分析了现存3GPP安全协议在用户接入过程中存在的单向
2010-04-24 09:25:49
的上限。SiC晶体管的出现几乎消除了IGBT的开关损耗，以实现类似的导通损耗（实际上，在轻载时更低）和电压阻断能力，除了降低系统的总重量和尺寸外，还能实现前所未有的效率。 然而，与大多数颠覆性技术
2023-02-27 13:48:12
继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充
2018-11-30 11:35:30
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
晶体管技术方案面临了哪些瓶颈？
2021-05-26 06:57:13
器件产业链重点公司及产品进展：欧美出于对我国技术发展速度的担忧及遏制我国新材料技术的发展想法，在第三代半导体材料方面，对我国进行几乎全面技术封锁和材料封锁。在此情况下，我国科研机构和企业单位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
，我这暴脾气......。从最初应用算起，半导体材料已经发展了三代，第一代是四五十年代开始以锗、硅为代表的IV族半导体材料逐步发展起来，推动人类进入电子时代晶体管收音机就是那个时代的产物，老王你明白了吧
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL评估板是第三代完全集成的3端口开关。 KSZ8873RLL的两个PHY单元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
UTC-1212SE
第三代无线通信模块
产品描述
【产品特点:】配我们公司专门的高增益8.5cm棒状天线，开阔地距离可以达到700-1000米！
(1) 配置我们
2010-12-02 20:31:50
３Ｇ定义 ３Ｇ是英文３rd Generation的缩写，至第三代移动通信技术。相对于第一代模拟制式手机（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等数字手机（２Ｇ）来说，第三代手机是指将无线通信与国际互联网等
2019-07-01 07:19:52
第三代移动通信过渡技术——EDGE作者：项子GSM和TDMA/136现在是全球通用的第二代蜂窝移动通信标准。当前有100多个国家的1亿多人采用GSM，有近100个国家的约9500万用户采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
。帕特罗（PATRO）第三代红外摄像机技术与阵列式区别： 亮度：第三代阵列式将发光二极管按照阵列式排在一起，通过一个透镜来进行光传递，是通过将几十个高效率和高功率的晶元通过高科技封装在一个平面上，由多颗
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代红外技术，红外夜视领域经历了一场场红外技术新革命，引领着夜视监控行业向更深更远的方向发展，给安防市场制造着一个又一个亮点。红外技术早在60年代初期由美国贝尔实验室研发
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代联网记录仪搭载腾讯车联，采用的是最新无限技术，无限流量随便使用。拥有强大的互联网功能，全程语音帮车主解决很多行车问题。行车
2019-01-08 15:44:58
基于SiC HEMT技术的GaN输出功率> 250W预匹配的输入阻抗极高的效率-高达80％在100ms，10％占空比脉冲条件下进行了100％RF测试IGN0450M250功率晶体管
2021-04-01 10:35:32
1200V高速开关系列第三代
2023-03-28 14:59:26
LED:节能环保的第三代照明技术1、半导体照明 LED：变革照明的第三代革命1.1LED 代替白炽灯—任重而道远自 20 世纪 60 年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
瑞士微型数字传感器生产商Sensirion公司推出第三代MEMS流量传感器，用于对微流体系统的流量进行数字化测量。 新型OEM传感器通过使用OEM组件，原有微流体产品范围得到扩大。组件价格优惠
2018-10-26 16:29:10
`第一代没有留下痕迹。第二代之前在论坛展示过：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html现在第三代诞生：`
2013-08-10 15:35:19
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
近日，华硕正式发布EeePCShell贝壳机，标志上网本市场正式进入第三代。华硕EeePC全球产品经理吴南磬表示，今后的每款EeePC在设计之初都将预留3G模块的位置，并透露EeePC与传统笔记本将
2009-07-01 22:40:05
据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，...
2021-07-27 07:58:41
调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管技术）严格来说，晶体管是指基于半导体材料的所有单一元件，包括由各种半导体材料
2023-02-03 09:36:05
什么是第三代移动通信答复：第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系统（FPLMTS）。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二代移动
2009-06-13 22:49:39
随着第三代移动通信技术的兴起，UMTS网络的建立将带来一场深刻的革命，这对网络规划也提出了更高的要求。在德国轰动一时的UMTS执照拍卖，引起了公众对这一新技术的极大兴趣。第三代移动通信网络的建设正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技术定义(IR-III Technology Definition)IR-III技术即红外夜视第三代技术，根植于上世纪60年代美国贝尔实验室发明的红外夜视技术，属于一种主动式红外
2011-02-19 09:34:33
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。当前正在
2018-12-04 10:15:20
的全SiC功率模块最新的全SiC功率模块采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代沟槽结构SiC-MOSFET），以进一步降低损耗。以下为示例。下一次计划详细介绍全SiC功率模块的特点和优势。关键要点
2018-11-27 16:38:04
DMOS结构SiC-MOSFET的全SiC功率模块BSM180D12P2C101、以及采用第三代沟槽结构MOSFET的BSM180D12P3C007的开关损耗比较结果。相比IGBT，第二代的开关损耗
2018-11-27 16:37:30
第三代移动通信的提出IMT-2000是第三代移动通信系统（3G）的统称第三代移动通信系统最早由国际电信联盟（ITU）1985年提 出，考虑到该系统将于2000年左右进入商用市场，工作的频段在
2009-06-14 19:32:36
代替了电子管第三代计算机（1965-1970）以中小规模集成电路取代了晶体管第四代计算机（1971-至今）采用大规模集成电路和超大规模集成电路第五代计算机（智能计算机）特点是模拟人类神...
2022-01-06 08:22:49
已经将产业未来聚焦到了第三代化合物半导体身上。可以说第三代半导体就是未来功率器件的发展方向。全国两会近日刚落下帷幕，第三代半导体（GaN和SiC）再度成为两会的关键词之一。伴随着第三代半导体行业的触角向
2021-03-26 15:26:13
制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2
2012-07-11 11:36:52
基于第三代移动通信系统标准的ALC控制方案的设计与实现
2021-01-13 06:07:38
性能。 能满足第三代智能卡尺寸要求的FCOS封装 英飞凌公司与德国智能卡制造商Giesecke & Devrient推出的用于智能卡的FCOS封装可满足新型第三代智能卡（UICC）对尺寸
2018-08-24 17:06:08
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 产品优点 综上所述，基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点： 更低VF：第三代二极管具有更低VF，同时
2023-02-28 17:13:35
客户采用的是SCS2系列。包括不同的封装和电流规格等在内，已经实现近50个机型的量产供应。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的数字表示各代。－那么接下来请您介绍一下第三代SiC
2018-12-03 15:11:25
，避免故障。表1总结了三种晶体管类型参数以及GaN、Si和SiC的物理材料。对于Si SJ MOS，选择了最新的具有本征快速体二极管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的宽带隙晶体管，更适合
2023-02-27 09:37:29
应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管，包括体二极管的反向恢复特性在内，特性得到大幅提升。一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC
2018-12-05 10:04:41
浅析第三代移动通信功率控制技术
2021-06-07 07:07:17
具有明显的优势。UnitedSiC的1200V和650V器件除了导通电阻低，还利用了低内感和热阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的导通电阻值比较 Anup Bhalla说，碳化硅的优点
2023-02-27 14:28:47
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
本文讨论了移动通信向第三代(3G)标准的演化与发展，给出了范围广泛的3G发射机关键技术与规范要求的概述。文章提供了频分复用(FDD)宽带码分多址(WCDMA)系统发射机的设计和测得的性能数据，以Maxim现有的发射机IC进行展示和说明。
2019-06-14 07:23:38
，典型能效为55%,P1dB输出功率为700瓦，增益为16dB,并具备低热阻特性。 新晶体管的推出使得英飞凌如今可为1200 MHz~1400 MHz系统应用提供一系列射频功率晶体管，额定输出功率分别为
2018-11-29 11:38:26
导读：苹果第三代AirPods预计会在今年年底前上市。 4月24日，据产业链最新消息，苹果正在准备第三代AirPods，预计会在今年年底前上市，而今年3月份苹果刚刚发布了AirPods的第二代
2019-04-27 09:28:37
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太阳能的心得。
最近看了很多资料对第三代太阳能的介绍，诸多的评论都说到他的优势，小弟于是购买了这种叫第三代的太阳能－砷化镓太阳能模块。想说，现在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
，160 mOhm，280 mOhm和450 mOhm。对于1200 V的新型第三代MOSFET，已经为PCIM发布了40 mOhm的电压，而在1200 V时，将继而推出30 mOhm和22 mOhm的功率
2019-10-25 10:01:08
文章介绍了第三代LonWorks 技术的应用方向和结构，以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 产品以及它们的主要技术特点和性能。关键词LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:45
8 UJ3N120035K3S产品简介Qorvo 的 UJ3N120035K3S 是一款 1200 V、35 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常开 JFET 晶体管。该器件具有超低导通电
2023-05-15 09:45:15
UJ3N120070K3S 产品简介Qorvo 的 UJ3N120070K3S 是一款 1200 V、70 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常开 JFET 晶体管。该器件具有超低导
2023-05-15 09:57:00
第三代LonWorks技术和产品介绍
文章介绍了第三代LonWorks技术的应用方向和结构，以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks产品以及它们的主要技术特点
2010-03-18 09:55:0417 Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列产品，提供业界最佳
2024-02-26 19:40:31
Intel Xeon®铂金处理器（第三代）Intel® Xeon®铂金处理器（第三代）是安全、敏捷、数据中心的基础。这些处理器具有内置AI加速、先进的安全技术和出色的多插槽处理性能，设计用于任务关键
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon®金牌处理器（第三代）Intel® Xeon®金牌处理器（第三代）支持高内存速度和增加内存容量。Intel® Xeon®金牌处理器具有更高性能、先进的安全技术以及内置工作负载加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon®可扩展处理器（第三代）Intel®Xeon®可扩展处理器（第三代）针对云、企业、HPC、网络、安全和IoT工作负载进行了优化，具有8到40个强大的内核和频率范围、功能和功率级别
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
第三代移动通信常识
1、3G定义
3G是英文3rd Generation的缩写，指第三代移动通信技术。相对
2009-06-01 21:03:572479 莱迪思半导体公司日前宣布推出其第三代混合信号器件，Platform Manager系列。通过整合可编程模拟电路和逻辑，以支持许
2010-10-18 08:49:24711 LatticeECP3系列是来自莱迪思半导体公司的第三代高价值的FPGA，在业界拥有SERDES功能的FPGA器件中，它具有最低的功耗和价格
2011-03-23 10:41:36981 据一向不靠谱的台湾媒体DigiTimes报道，苹果将于今年夏季发布新款第三代iPad。新款第三代iPad将配备来自夏普的IGZO显示屏，这种技术将使iPad变得更薄，电池更耐用。在第三代iPad发布之
2012-06-30 11:48:16625 前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。要想更好地了解第三代产品的优势与特点，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:506274 科锐（Nasdaq: CREE）旗下Wolfspeed于近日宣布推出最新第三代1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。
2018-07-19 10:17:593499 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299042 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布扩展UF3C FAST产品系列，并推出采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:021767 招商引资名单中。 问题来了：第三代半导体产业是真的进入春天还是虚火上升？又有哪些行业真的需要GaN或SiC功率器件呢？相对于IGBT、MOSFET和超级结MOSFET，GaN和SiC到底能为电子行业带来哪些技术变革？ 为了回答这些问题，小编认真阅读了多
2020-12-08 17:28:0312548 深圳爱仕特科技公司第三代半导体SiC产品宣传册
2021-03-16 16:18:5934 第三代半导体Central issue 2020年10月，国星光电成功举办了首届国星之光论坛，论坛上国星光电宣布将紧抓国产化机遇，迅速拓展第三代半导体新赛道。近期，国星光电正式推出一系列第三代半导体
2021-04-22 11:47:102719 UnitedSiC SiC FET用户手册
2021-09-07 18:00:1317 UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。
2022-06-06 09:33:573458 
许多人选择“七”这个数字是因为它的“幸运”属性，而UnitedSiC选择它则当然是因为七个引脚非常适合D2PAK半导体封装。
2022-08-01 14:42:36744 表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗
2022-09-23 16:44:35576 
UnitedSiC FET-Jet计算器让为功率设计选择SiC FET和SiC肖特基二极管变得轻而易举。设计工程师只需：
2022-10-11 09:03:28556 UnitedSiC（现已被Qorvo收购）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封装。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅场效应晶体管（SiC FET），借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。
2022-10-27 16:33:29739 2021 年 11 月， Qorvo 收购 领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)。对 UnitedSiC 的收购
2022-11-30 10:55:02335 CleanWave200采用UnitedSiC共源共栅FET，能够在100kHz的频率下实现99.3%的系统能效，且每个开关位置并联三个器件。
2022-12-12 09:25:09446 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称"SiC-SBD"）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07305 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07611 
－进入主题之前请您介绍了很多基础内容，下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”，首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
仿真器可以提供许多信息，但无法告知哪些功率晶体管可以优化您的设计，也无法确定晶体管在特定应力水平下是否会损坏。这就是在线 FET-Jet 计算器的优势所在。阅读本博客，了解该软件如何简化器件选择以及
2023-05-17 12:05:02259 
UnitedSiC SiC FET用户指南
2023-12-06 15:32:24172 
电子发烧友App
工商网监
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