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电子发烧友网>新品快讯>Allegro推出汽车级MOSFET预驱动器 A4933

Allegro推出汽车级MOSFET预驱动器 A4933

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TPS2837 具有 TTL 输入的 2.4A、28V 半桥栅极驱动器,用于反相同步降压数据手册

TPS2836 和 TPS2837 是用于同步降压功率MOSFET 驱动器。这些器件非常适合使用没有 MOSFET 驱动器的开关控制设计高性能电源。这些驱动器旨在为大型电容负载提供最小 2A
2025-05-22 10:52:27609

LM2724A 高速 3A 同步 MOSFET 驱动器数据手册

LM2724A 是一个双 N 沟道 MOSFET 驱动器,可以驱动顶部和底部 MOSFET 同时采用推挽式结构。LM2724A 接受一个 logic input 并将其拆分为 两个互补信号,中间有一
2025-05-21 18:16:25646

UCC27324-Q1 汽车非反相 4A/4A 双通道低侧栅极驱动器数据手册

UCC27324-Q1 高速双 MOSFET 驱动器可向容性负载提供大峰值电流。这些驱动器采用一种本质上将击穿电流降至最低的设计,在 MOSFET 开关转换期间,在米勒高原区域提供 4 A 的电流。独特的双极和 MOSFET 混合并联输出还允许在低电源电压下实现高效的电流源和吸收。
2025-05-21 09:43:11898

UCC27511A-Q1 具有 5V UVLO 和分离输出的汽车类 4A/8A 单通道栅极驱动器数据手册

UCC27511A-Q1 器件是一款紧凑型栅极驱动器,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驱动器(缓冲电路)解决方案。UCC27511A-Q1 器件是一款汽车单通道低侧高速栅极驱动器,适用于
2025-05-19 18:12:47736

ISO5851-Q1 具有主动保护功能的汽车 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离栅极驱动器数据手册

ISO5851-Q1 的电压为 5.7 kV ~RMS~ ,用于 IGBT 和 MOSFET 的增强型隔离式栅极驱动器,具有 2.5A 拉电流和 5A 灌电流。输入侧采用 3V 至 5.5V 单电源
2025-05-19 14:54:49547

UCC27212A-Q1 具有 5V UVLO 的汽车 4A、120V 半桥栅极驱动器数据手册

UCC27212A-Q1 器件驱动器基于流行的 UCC27211 MOSFET 驱动器。此外,UCC27212A-Q1 提供高达 5V 的扩展工作范围,这有助于降低功率损耗。 峰值输出上拉
2025-05-19 11:19:04596

UCC27712-Q1 具有互锁功能的汽车 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器数据手册

UCC27712-Q1 是一款 620V 高压侧和低压侧栅极驱动器,具有 1.8A 拉电流和 2.8A 灌电流,旨在驱动功率 MOSFET 或 IGBT。 建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 11:00:20798

UCC5390-Q1 汽车 17-A 5kv RMS 单通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器,具有 10A 拉电流和 10A 灌电流峰值电流,设计用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 为基准,这有利于双极电源并优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。
2025-05-17 11:36:49897

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽车 3.75kVrms 30A 单通道功能安全隔离栅极驱动器数据手册

、基于 NTC 的过热和 DESAT 检测,包括在这些故障期间可选的软关断或两关断。为了进一步减小应用尺寸,UCC5870-Q1 在开关期间集成了一个 4A 有源米勒箝位,在驱动器未通电时集成了一个有源栅极下拉
2025-05-16 17:32:51728

UCC23513-Q1 汽车 5.7kVrms,4A/5A 单通道光兼容隔离式栅极驱动器数据手册

UCC23513-Q1 驱动器是适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器,具有 4.5A 的拉电流和 5.3A 的灌电流峰值输出电流和 5.7kV
2025-05-16 14:53:21718

UCC21551-Q1 汽车 4A/6A 5kVRMS 双通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC21551x-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。它采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流设计,用于驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管
2025-05-16 11:38:18691

UCC21330-Q1 汽车 3kVRMS 4A/6A 双通道栅极驱动器,具有禁用逻辑和可编程死区时间数据手册

UCC21330-Q1 是隔离式双通道栅极驱动器系列,具有可编程死区时间和宽温度范围。它采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流设计,可驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管
2025-05-15 17:43:58718

UCC5880-Q1 具有高级保护功能的汽车 20A 实时可变 IGBT/SiC MOSFET 隔离式栅极驱动器数据手册

UCC5880-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的可调驱动强度栅极驱动器,旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件包括功率晶体管保护,例如基于分流电阻
2025-05-15 16:48:57870

UCC21331-Q1 汽车 3kVRMS 4A/6A 双通道栅极驱动器数据手册

UCC21331-Q1 是隔离式双通道栅极驱动器系列,具有可编程死区时间和宽温度范围。它采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流设计,可驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管
2025-05-15 16:09:14592

UCC27311A-Q1 具有 8V UVLO 和 enable 的汽车 120V 4A 半桥栅极驱动器数据手册

UCC27311A-Q1 是一款坚固耐用的栅极驱动器,设计用于驱动半桥或同步降压配置中的两个 N 沟道 MOSFET,绝对最大自举电压为 120V。其 3.7A 峰值拉电流和 4.5A 峰值灌电流
2025-05-15 14:03:32669

UCC5881-Q1 具有高级保护功能的汽车 20A 实时可变 IGBT/SiC MOSFET 隔离式栅极驱动器数据手册

UCC5881-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的可调驱动强度栅极驱动器,旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件包括功率晶体管保护,例如基于分流电阻
2025-05-15 11:32:02821

ADN8833用于数字控制系统的超紧凑、1A热电冷却(TEC)驱动器技术手册

ADN8833是一款集成1 A功率MOSFET的单芯片H桥TEC驱动器。它包括提供线性驱动器(LDR)输出的线性功率,以及提供SW输出的脉冲宽度调制(PWM)功率。根据CONT输入的控制电压,ADN8833通过TEC驱动电流,将连接至TEC模块的激光二极管或无源组件的温度建立至可编程的目标温度。
2025-05-09 11:08:391452

昂科烧录支持Allegro埃戈罗的BLDC驱动器A5947KLPTR-T

芯片烧录领导者昂科技术近期宣布了其烧录软件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型号。在此次更新中,埃戈罗(Allegro推出的BLDC驱动器A5947KLPTR-T已被昂科通用编程AP8000
2025-04-28 10:55:203965

Allegro推出两款电流传感芯片和汽车风扇驱动器芯片

近日,Allegro 宣布推出三款全新解决方案,致力于为电动汽车与工业自动化领域提升性能并优化能源效率。此次发布的解决方案包括 ACS37035 和 ACS37630 电流传感,以及 A89347 汽车风扇驱动器芯片,为多元应用场景注入先进功能。
2025-04-14 13:37:471466

LM5046系列 带集成 MOSFET 驱动器的相移全桥 PWM 控制数据手册

驱动器提供双通道 2A 高电流和 用于四个外部桥式 MOSFET 的低侧栅极驱动器,以及用于 次级侧同步整流 MOSFET。外部电阻对死区时间进行编程,使能 初级 FET 的零伏开关。同步整流的智能启动允许 即使在偏置负载条件下,功率转换的单调导通也是如此。
2025-03-27 17:56:06907

MT8006A/B高速功率MOSFET和IGBT驱动器英文手册

MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动沟道驱动器可用于独立驱动两个N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压最高可达300 V。逻辑输入
2025-03-18 16:37:020

120V/4A半桥MOSFET高频高侧及低侧驱动器为工业及汽车应用方案新选择

概述:(兼用UCC27301A-Q1  NGD4300) PC1209是一款半桥MOSFET驱动器,具有峰值源极和漏极输出电流能力为4A,能够最小化开关损耗地驱动大功率MOSFET。高侧和低侧两个
2025-03-04 10:56:11585

兼用UCC27301A-Q1高频高侧及低侧半桥MOSFET栅极驱动器

概述:(兼用UCC27301A-Q1)PC1209是一款半桥MOSFET驱动器,具有峰值源极和漏极输出电流能力为4A,能够最小化开关损耗地驱动大功率MOSFET。高侧和低侧两个通道完全独立,其导
2025-03-03 11:27:14

PC1209半桥MOSFET驱动器英文手册

概述:(兼用UCC27301A-Q1)PC1209是一款半桥MOSFET驱动器,具有峰值源极和漏极输出电流能力为4A,能够最小化开关损耗地驱动大功率MOSFET。高侧和低侧两个通道完全独立,其导
2025-03-01 16:45:391

Diodes公司推出85V汽车LED驱动器AL8866Q

近日,Diodes公司宣布推出全新85V、符合汽车标准的LED驱动器——AL8866Q,进一步扩展了其汽车产品组合。这款直流开关LED驱动控制专为高功率LED照明系统设计,能够驱动外部
2025-02-06 11:08:321623

Diodes公司推出AL8866Q汽车LED驱动器

Diodes公司(纳斯达克代码:DIOD)近日正式宣布推出其最新的AL8866Q LED驱动器,进一步丰富了其符合汽车标准的产品线。这款直流开关LED驱动控制专为外部MOSFET设计,能够支持降压
2025-01-23 15:44:402758

Diodes公司推出全新AL8866Q LED驱动器

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出AL8866Q LED 驱动器,扩大符合汽车标准*的产品组合。这款直流开关 LED 驱动控制驱动外部 MOSFET,支持
2025-01-23 13:53:231245

Diodes推出65V、2A汽车同步降压LED驱动器AL8891Q

近日,Diodes公司宣布推出其最新的AL8891Q LED驱动器,进一步丰富了其符合汽车标准的产品线。这款同步降压LED驱动器专为车用照明应用而设计,以其出色的性能和全面的保护功能,为行业树立
2025-01-21 11:19:021024

Diodes推出36通道汽车LED驱动器AL5887Q

Diodes公司近期推出了一款全新的36通道线性LED电流驱动器——AL5887Q,该驱动器专为汽车应用而设计,具备汽车规格认证。 AL5887Q驱动器功能强大,能够驱动RGB配置及单独LED,为
2025-01-14 11:40:251086

AN53-微功耗高侧MOSFET驱动器

电子发烧友网站提供《AN53-微功耗高侧MOSFET驱动器.pdf》资料免费下载
2025-01-09 14:02:310

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