电桥电路栅驱动器和MOSFET栅驱动器产品介绍
2024-03-19 09:43:36
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半桥 驱动器 通用 功率 MOSFET PowerPAK® MLP55-31L
2024-03-14 23:22:22
半桥 驱动器 通用 功率 MOSFET 41-LGA（5x6）
2024-03-14 23:16:04
电子发烧友网站提供《双高速MOSFET驱动器TPS2811-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-14 09:40:47
0 电子发烧友网站提供《带驱动调节器的同步降压MOSFET驱动器TPS2838/39/48/49数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-14 09:32:560 电子发烧友网站提供《具有反极性保护、短路保护和诊断功能的100V、汽车类、低IQ 高侧驱动器TPS4800-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:45:580 电子发烧友网站提供《双高效同步MOSFET驱动器TPS51601A数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:07:200 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 伺服驱动器的三环，电流环，速度环，位置环，伺服驱动器比通用变频器多了一个位置环，那么请问这个位置环的检测是用什么器件检测的，分为哪几种检测方式？又怎么传递给伺服的，传递的方式波形有哪几种？如果要在
2024-03-11 22:52:23
GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势，为电力电子产业带来了革命性的变化。然而，GaN技术的快速发展有时超出了专门为GaN设计的栅极驱动器和控制器的发展。因此，电路设计师经常转向为硅MOSFETs设计的通用栅极驱动器，这就需要仔细考虑多个因素以实现最佳性能。
2024-02-29 17:54:08188 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器 - TI | 贸泽Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器是一款100V器件，集成了顶部和底部驱动器
2024-02-22 13:39:55
CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于
较低功率电机驱动，如风扇电机。其内置了 6 个快恢复 MOSFET 和 3 个半桥 HVIC 栅极
驱动电路。内部
2024-01-30 15:53:16
电子发烧友网站提供《FP6151内置内部功率MOSFET产品手册》资料免费下载
2024-01-15 14:47:230 半桥电路的电压是24V，ADUM6132接5V和15V能正常驱动它吗？是A通道驱动上功率管，B通道驱动下管吗？
芯片除了正常的供电接地还需要接什么别的元件吗？
2024-01-11 06:09:16
作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美编辑 所有的分立式开关功率器件都需要驱动器，无论这些器件是分立式金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC
2024-01-01 13:25:00401 
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有
2023-12-20 11:30:41
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有
2023-12-20 11:13:03
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有
2023-12-20 11:09:10
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有
2023-12-19 13:43:56
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有
2023-12-19 13:39:52
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有
2023-12-19 13:36:17
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有
2023-12-19 12:01:33
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有
2023-12-19 11:55:58
报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150 EVAL-6ED2742S01QM1评估套件包括一块三相逆变功率板，内含额定电压为160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相栅极驱动器，驱动六个额定电压为150V
2023-11-17 17:08:41534 
H桥驱动器，可以驱动两个直流有刷电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管及其它感性负载。每一个H桥的功率输出级由N通道功率MOSFET组成，叫作H桥驱动器。每个桥包含整流电路和限流电路。内部关断功能包含
2023-11-08 10:20:06
深圳市三佛科技有限公司供应SA2601矽塔科技600V单相半桥栅极驱动芯片SOP8，原装现货 半桥栅极动心片.半桥栅极驱动芯片是一种用于驱动半桥功率器件(例如电力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
在电源与充电桩等高功率应用中，通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管？ 电源与充电桩等高功率应用通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管，主要是出于以下几个方面的考虑。 首先，最后一级
2023-10-22 14:47:33409 发现，像 Arduino 或树莓派这样的设备不能直接驱动重负载。在这种情况下，我们需要一个“驱动器”，也就是一个可以接受来自微控制器的控制信号，并且具有足够功率来驱动负载的电路。在许多情况下，MOSFET
2023-10-16 09:19:231185 
今天在画电路的时候突然想到一个问题，如图的半桥驱动芯片，上半桥14脚未直接接地而16脚接驱动电压正极，在上桥臂开通的时候，那么这个自举电容是如何充电的呢？上桥臂开通的时候MOS管GS极间驱动压差
2023-10-11 09:32:12
步进电机的半步驱动是由驱动器来设置的吗
2023-10-11 06:52:18
与器件接地参考控制信号。自举电容器 CBST、图腾柱双极驱动器和常规栅极电阻器都可作为电平位移电路。此外，一些驱动芯片已内置自举电路，可直接将自举信号接入功率器件基准端。
驱动电路按照电路结构分为隔离型
2023-10-07 17:00:40
瑞萨MCU内置LCD控制器/驱动器漫谈
2023-09-28 16:12:42438 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时，有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻，将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34807 
请问：半桥LLC的MOS如何更换，之前使用国外品牌。目前采购不到，想替换国产，请问可以直接换同等规格的国产MOS吗？驱动电路是否要特别处理？还有哪些细节要注意呢？
2023-07-31 17:52:57
这是使用IC MD7120作为MOSFET驱动器的D类功率音频放大器的电路设计。 MD7120 用于驱动在 H 桥开关两侧运行的四个 N 沟道 MOSFET 晶体管。它由控制器逻辑电路、电平转换器
2023-07-28 16:20:50801 
通用MCU或DSP的IO电压通常是5V3.3V，IO的电流输出能力在20MA以下，不足以直接驱动功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP来设计电机驱动器时，通常需要搭配外部的MOSFET驱动器
2023-07-25 10:13:59683 
介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 供应ID2006SEC-R1 200V高低侧半桥驱动芯片IC，提供id2006驱动芯片关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器、全桥功率逆变器、任意互补驱动转换器等领域，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:30:38
供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
应用领域： 广泛应用于风扇、水泵等小功率直流无刷电机领域。CMS3960是一款内置 MOSFET三相直流无刷电机驱动IC，集成故障输出、过压、过流、欠压、过温等多种保护功能。工作温度-20
2023-07-07 10:09:44577 
TF1388M/TF2366M/TF2388M是一种三相栅极驱动IC，设计用于高压三相应用，在半桥配置中驱动n通道模块和igbt。TF半导体的高压工艺使TF2388M高侧
2023-07-04 11:38:27
TF21364M是一种三相栅极驱动器IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF21364M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:59:30
TF2136M是一种三相栅极驱动器IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF2136M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:46:50
该芯片是一款单通道低侧GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动器，可应用于LiDAR、飞行时间、面部识别和低侧驱动的功率转换器等领域。
2023-06-30 09:58:50263 TFB0527是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-27 17:01:42
TF2003M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2003M高侧切换到250V的引导操作
2023-06-27 16:35:30
，
具备互锁功能、输入耐负压和HS耐负压能力
互锁功能
NSD1224具备互锁功能，能有效避免因输入干扰造成的功率管桥臂直通问题。
在电源应用中，受高频开关噪声的影响，半桥驱动芯片的输入引脚容易受到
2023-06-27 15:14:07
TF2304M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高压过程使TF2304M的高侧能够在引导操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF21844M是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21844M的高侧能够在引导操作中切换到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2104M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高压过程使TF2104M的高侧能够在引导操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF2103M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2103M高侧切换到600V的引导操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和igbt。TF半导体的高压过程使TF2184的高侧能够在引导
2023-06-25 16:25:20
宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南 。本文为
2023-06-25 14:35:02377 
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。 图 1.1 所示为双极晶体管。要在集电极中产生电流，必须在基极端子和发射极端子之间施加电流。
2023-06-25 12:24:00556 
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
电源和信号，一直是业界无法实现的。因为硅器件的开关速度太慢，而且存在驱动器和 FET 之间的寄生阻抗、高电容硅 FET 以及性能不佳的电频转换器/隔离器，导致了硅器件无法做到更高的频率。氮化镓半桥电源芯片
2023-06-15 14:17:56
本文介绍最新的驱动器+ MOSFET (DrMOS)技术及其在稳压器模块(VRM)应用中的优势。单片DrMOS器件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。
2023-06-14 14:25:171548 
目前使用的无线充电方案是半桥+谐振电路，搭半桥的MOS芯片通过板子散热最终可以达到50℃，天线可以到45℃，发射理论功率1W，有没有什么可以降低发热的办法==
2023-06-14 10:20:43
BDR6120S
特性
● 内置 PMOS/NMOS 功率开关的单通道 H 桥驱动器
● 有正转/反转/停止/刹车四个功能
● 低待机电流 (typ.0.1uA)
● 宽工作电压范围，适用于锂电池
2023-06-01 11:36:17
最近在研究一个无人机电池管理系统，RDDRONE-BMS772。文档中关于电池平衡的内容不清楚——芯片组是内置 FET 还是只是驱动器？
2023-06-01 07:23:40
分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:52:08747 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391473 
半桥驱动电路通过 SPWM 已经能生成正弦波了，请问一下各位大神，能不能修改程序生成半波啊
2023-05-09 13:21:57
推荐一款双功率桥电机驱动芯片，带有精确的电流监控，电流控制和电流限制彻底解决传统功率桥芯片电流控制复杂的问题。提高控制感性线圈负载的电流精度。内置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
请问一下半桥LLC谐振变换器功率最大可以做多大啊？
2023-04-25 15:23:47
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5822在6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A最大输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
每个 H 桥的输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 组成，用于驱动电机绕组。每个 H 桥均具备调节或限制绕组电流的电路。
2023-04-07 12:26:21311 电机驱动是中微半导体集驱动和三相半桥于一体设计的紧凑型芯片，具有多重保护功能、输出电流能力强、空间体积小等特点 。CMS3960是一款内置 MOSFET三相直流无刷电机驱动IC，集成故障输出、过压
2023-04-07 09:13:57
半导体器件是现代电力电子系统的核心。这些系统利用许多门控半导体器件，如普通晶体管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作为开关模式电源（SMPS）、通用电源（UPS）和电机驱动器中的开关元件。电力电子的现代技术发展通常跟随功率半导体器件的发展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391001 LT®1336是一款成本效益型半桥式N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V (绝对最大值) 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET
2023-03-31 11:37:51
LT®1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率
2023-03-31 11:31:54
LT®1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率
2023-03-31 11:28:39
LTC7060驱动两个采用半桥配置的N通道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器可以驱动具有不同接地基准的MOSFET，提供出色的瞬变抗扰度。其功能强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:49:48
LTC7061驱动两个采用半桥配置的N通道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器可以驱动具有不同接地基准的MOSFET，提供出色的瞬变抗扰度。其功能强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:44:27
的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35
称半桥谐振正激变换器（LLC）有更宽的增益调节能力因而适合在需要宽范围输出的应用，如工业用电池充电器、USBPD充电器等领域使用。 由于变压器副边仅有一个绕组和二极管进行整流，当变换器的输出功率
2023-03-23 14:19:33
RGB LED可产生多种颜色，包括白色，使其具有高度的通用性。每个RGB LED需要三个驱动器，每个颜色的LED需要一个驱动器。与单个LED驱动器相比，在RGB应用中使用多输出LED驱动器可以节省解决方案的尺寸和成本。LTC3207和LTC3207-1每个都提供12个单独可编程的电流源（通用驱动器）。
2023-03-23 11:08:122172 
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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