埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣佈推出专为诸如数位视讯广播（DVBT）和特高频（UHF）类比电视等UHF广播应用设计的BLF989射频（RF）功率电晶体。
2018-06-07 11:43:23
7780 `恩智浦半导体在众多半导体产品市场长期位于领先的位置，恩智浦半导体具有非常丰富的通用MICR产品系列，从经典的8位/16位，数字信号控制器（DSC）,Arm7,Arm9到Arm Cortex-M
2018-06-20 17:26:44
"恩智浦未来科技峰会”是恩智浦规模最大的高端行业峰会，旨在通过精彩座谈、技术研讨、最新科技和解决方案的展示引领业界通过技术创新为世界带来改变！
2018-09-10 13:37:35
BLF188XR 原装进口。价格绝对优势NXPHF to 600 MHz, 1400 W 射频管联系人：吴云红***QQ：1291084787
2020-04-09 11:25:43
LDMOS L DMOS (横向扩散金属氧化物半导体) 结构见图。 在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。 与晶体管相比，在关键
2020-05-24 01:19:16
GaN为5G sub-6GHz大规模MIMO基站应用提供的优势LDMOS的优势是什么如何选择正确的晶体管技术
2021-03-09 07:52:21
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
2019-06-26 07:33:30
ELX.O，Maxlinear以2.87亿美元收购Entropic Communications，Lattice半导体则将以6亿美元价格收购Silicon Image。3月初，恩智浦(NXP)以约
2015-12-07 14:50:33
恩智浦发布革命性简单易用的LPC800.pdf
2016-09-19 08:17:44
有兴趣的朋友可以看看啊恩智浦KW41Z有奖创意征集令高能来袭http://www.eeworld.com.cn/huodong/201611_NXPKW41ZActivity1/index.html
2017-01-15 21:02:05
单元提供极具竞争力的解决方案。本文将重点讨论恩智浦针对功率300W、电压12-30V的无刷直流电机开发的演示板。转子定向反馈利用霍尔传感器确定，并通过个人电脑采用CAN或UART方式与外界相连。恩智浦
2010-11-29 15:04:02
新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI闪存接口技术(SPIFI，已申请专利)可以帮助32位嵌入式系统设计人员以小尺寸、低成本的串行闪存替代大尺寸、高成本的并行闪存。利用
2019-10-31 06:32:38
本实验的目的是使用ARM KEIL MDK工具包向您介绍恩智浦Cortex™-M33处理器系列，该工具包采用μVision®集成开发环境。
在本教程结束时，您将自信地使用恩智浦处理器和Keil
2023-08-24 07:46:51
本帖最后由 zhihuizhou 于 2011-10-28 14:54 编辑
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日宣布，其PN544近距离无线通信 (NFC
2011-10-27 15:36:03
可通过多种方式，其中最有效的是将专门构建的专用神经处理单元（NPU），或称为机器学习加速器（MLA）或深度学习加速器（DLA）集成到器件中，以补充CPU计算核心。恩智浦提供广泛的产品组合，从传统
2023-02-17 13:51:16
大家好，我是痞子衡，是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家介绍的是恩智浦i.MX RTxxx系列MCU的基本特性。 恩智浦半导体于2017年开始推出的i.MX RT系列重新定义了MCU，其第一款
2021-11-04 07:08:30
恩智浦、飞思卡尔基于i.MX&ARM MCU项目完整资料
2016-06-17 16:47:40
恩智浦小车电路图当年华南赛和队友整的当年华南赛和队友整的驱动电路主控电路，程序源码需要者再联系吧。恩成绩肯定不好不坏，应该具有一定参考意义。
2022-01-19 08:08:00
Open RAN（O-RAN）发展势头强劲，在全球迅速普及，恩智浦通过打造增强型参考设计，助力5G O-RAN的快速部署。这包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解决方案（称为
2023-02-28 14:06:45
中国上海——2023年3月2日 ——恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI）宣布推出一款专为Matter设计的安全芯片——EdgeLock
2023-03-02 14:36:01
的视觉盲角问题。我们非常高兴能与恩智浦合作，将其S32R41处理器用在我们的新型雷达产品中。”恩智浦ADAS产品市场总监Huanyu Gu表示：“恩智浦S32R41处理器专为用低功率提供高性能而打造，可
2023-03-14 16:10:18
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日为时尚、零售和电子市场推出了其最新的UHF解决方案。基于结构简单、经济高效的单天线解决方案，UCODE G2iL和G2iL+不仅实现了行业领先
2019-08-01 08:28:10
第十五届恩智浦智能汽车竞赛结束了，我们第一回做四轮组的小白，摸爬滚打了一个月，中间有划水，也有熬夜，走了许多弯路，最终成绩很惨，没能完赛，（虽然我自己感觉离完赛就差一个坡道），期间还是学习了很多知识
2022-01-27 06:09:04
恩智浦智能赛车的驱动模块定时器应该定时多久才能开始打脚，定时一般怎么编写
2017-03-30 17:27:20
恩智浦智能赛车舵机打脚pwm占空比实际是输出电压高低，但在定时器中处理要怎样进行
2017-03-30 17:38:10
证明所需的水印和人工制品的设施，以及准确的时间戳。该水印工具现已作为恩智浦 eIQ 开发环境的一部分提供。 i.MX 95 应用处理器预计将于 2023 年下半年开始发布样片。
2023-02-16 11:20:03
`从以下几方面详细介绍恩智浦目前针对USBPD提供的负载开关产品：1. 恩智浦负载开关产品的规格2. 恩智浦负载开关产品的保护特性3. 恩智浦负载开关产品和分立方案的比较`
2015-06-03 15:21:07
导读：日前，恩智浦半导体（以下简称“NXP”）对外发布一款用于X电容的自动放电IC--TEA1708.此器件拥有的自动放电功能加上抵抗电压浪涌的高度耐用性，轻易的满足了新的电源规范要求，成为电源
2018-09-28 16:25:19
用的keil5，是恩智浦的官方示例，但build都build不成功，错误如下：.\keil_output\iflash_nxp_lpcxpresso_824\freertos_blinky.axf
2016-08-27 21:27:47
物联网和人工智能（AI-IoT）已经到来，如何在这场即将到来的大规模市场中取胜？恩智浦的无线连接主要体现在哪几个方面？
2021-06-16 08:30:12
宽带 LDMOS 系列产品组合中选择您的解决方案。手机宽带 晶体管脉冲雷达晶体管功率放大器超高频广播XR 晶体管 50V、60V宽带放大器12 V、32 V 和 50 V
2021-06-28 18:02:51
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
恩智浦推专为液晶背光应用设计的高电压全桥逆变器IC恩智浦发布了其高电压全桥背光控制器IC UBA2074及其低压版本UBA2072。由这两款IC共同组成崭新的全桥背光控制器IC系列
2008-09-25 14:02:25
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有优良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56:36
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
如何使用恩智浦USB协议栈来设置音频类设备
2022-12-08 06:45:33
符合。本文的研究表明:对分立式拉曼放大器通过反射机制实现泵浦光的双程泵浦,可在泵浦功率不变和保持较好噪声特性的同时,大大提升放大器的增益和功率转换效率。增益的提升上限取决于系统受激布里渊散射的阈值,在
2010-05-13 09:03:53
的阻抗匹配范围、优化性能以及架构选择，所以为PA设计提供了很大灵活性。但如何满足WiMAX基站系统对PA的高输出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文讨论的基于硅LDMOS技术的RFIC具有足够输出功率，能
2019-06-25 06:55:46
，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor
2019-07-31 07:30:42
发射功率和频偏都是性能优化过程中比较重要的参数，不支持驱动直接修改。都是在firmware文件中设置的，都是经过大量测试才定的。所以一般不建议客户自己修改，以避免引起性能问题。客户在做吞吐性能优化过程中问到:如何查看和修改xr829的发射功率和频偏？
2021-12-29 06:24:59
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
LDMOS RF功率放大器因其极高的性价比在GSM和CDMA基站市场占据了主导地位。使用LDMOS放大器时，保证高性能的一个关键因素是补偿栅极偏置电压，以在温度变化时保持恒定的静态电流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前众多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。
2019-08-23 06:38:37
快充的原理是什么？有哪些提升快充功率的方法？
2021-09-26 08:29:47
本人菜鸟，想用恩智浦SSL21083芯片制作电源，请教电路中的疑问。1. 电路图中的D2稳压管起什么作用？可否去掉？2.其中NTC热敏电阻我不想用，该用阻值多少的电阻代替？
2013-08-22 11:31:53
各位大神，有没有用过BLF242和BLF246B PHILIPS 的，给小弟推荐几个这两款NMOS的替代型号呀。先谢谢了。
2015-09-12 21:25:00
请哪位大神帮助介绍恩智浦SPC564L60x电源引脚号和电源电压。谢谢。***
2018-12-04 11:05:54
■ 恩智浦半导体 K. Werner，S. Theeuwen，J. de Boet，V. Bloem，W. Sneijers高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术
2019-07-05 07:01:04
用于工业、科学和医疗 (ISM) 应用的 140 W LDMOS 功率晶体管，频率范围为 2400 MHz 至 2500 MHz。BLF2425M9LS140 BLF
2022-05-06 19:14:08
S912ZVC12F0MLF，汽车NXP处理器MCU,NXP(恩智浦)S912ZVC12F0MLF，汽车NXP处理器MCU,NXP(恩智浦) 制造商
2023-02-27 15:07:45
BLF888B,112Ampleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件号： BLF
2024-02-29 16:14:13
BLF647PS BLF647PS BLF647PS 宽带功率LDMOS晶体管适用于广播发射机和工业应用的 200 W LDMOS RF 功率晶体管。该
2024-02-29 19:30:36
BLF647PBLF647P 宽带功率LDMOS晶体管适用于广播发射机和工业应用的 200 W LDMOS RF 功率晶体管。该晶体管适用于 HF 至 1500 MHz 的频率范围。该
2024-02-29 19:31:22
BLF974PBLF974P HF/VHF功率LDMOS晶体管500 W LDMOS 功率晶体管，适用于 HF 至 700 MHz 频段的广播应用和工业应用。BLF974P
2024-02-29 19:36:35
BLF978PBLF978P HF/VHF功率LDMOS晶体管1200 W LDMOS 功率晶体管，适用于 HF 至 700 MHz 频段的广播应用和工业应用。BLF978P 特点和优点
2024-02-29 19:37:15
BLF944PBLF944P 功率LDMOS晶体管适用于非蜂窝通信和工业应用的 135 W LDMOS 晶体管。该器件出色的耐用性使其非常适合 HF 至 1300 MHz 频率范围内的移动 NCC
2024-02-29 20:36:21
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出了全球首款真正的300W超高频（ UHF）晶体管，即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场
2010-09-17 18:29:31
20 基于BLF888设计的500W RF广播发射方案
NXP 公司的BLF888是500W LDMOS RF功率晶体管，用于广播发射和工业应用。在UHF频带470 MHz 到860 MHz可提供平均功率110W，
2010-05-23 08:58:212556 
恩智浦半导体NXP Semiconductors今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 本文设计了一种工作在1.8GHz 的 F类功率放大器 ，使用LDMOS 晶体管作为有源器件以便产生高功率和高效率。F 类放大器通过对不同的谐波进行调谐来峰化漏极电压和电流的波形，漏极电压
2011-08-18 17:36:4265 2011年9月9日，德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射频LDMOS晶体管，该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性，专门面向U
2011-09-13 18:25:061179 提出了具有n 埋层PSOI(部分SOI) 结构的射频功率LDMOS 器件. 射频功率LDMOS 的寄生电容直接影响器件的输出特性. 具有n 埋层结构的PSOI 射频LDMOS ,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小,漏
2011-12-01 14:13:4336 众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMO
2012-05-28 11:18:541774 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2012-05-28 11:42:271301 基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹配网络，设计出高效率功率放大器。AD
2012-11-09 16:32:5359 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
2013-06-21 11:09:261534 Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶体管产品组合，采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。
2016-01-13 15:37:091923 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-11-23 18:58:37377 使用。最新的版本介绍了NXP公司的BLF884P和BLF884PS晶体管，用于从470到806 MHz，70 W的DVB-T UWB LDMOS超宽带多尔蒂功率放大器参考设计，采用了NXP公司的专利体系
2017-12-06 12:49:01313 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造 商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-12-07 17:53:08354 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-03-18 15:53:16947 
安谱隆半导体（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为
2018-05-02 14:44:003828 安谱隆半导体（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。
2018-04-26 09:42:001388 安谱隆半导体（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。
2018-04-25 15:04:004432 180 W LDMOS功率晶体管在2000 MHz至2200 MHz的频率下用于基站应用。
2018-08-14 08:00:0012 10 W WiMAX LDMOS功率晶体管在3400 MHz至3600 MHz的频率下用于基站应用。
2018-08-14 08:00:007 130 W LDMOS功率晶体管在2000 MHz至2200 MHz的频率下用于基站应用。
2018-08-14 08:00:005 140 W LDMOS功率晶体管在2500 MHz至2700 MHz的频率下用于基站应用。
2018-08-14 08:00:005 170 W LDMOS功率晶体管，具有改善的视频带宽，用于从1800 MHz到1990 MHz的频率的基站应用。
2018-08-14 08:00:007 埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管，用于88-108MHz频率范围内的广播FM无线电应用。
2018-09-30 16:41:002731 本次会议将介绍恩智浦用成熟的、业界最好的LDMOS技术，推出的面向蜂窝通讯频段的高功率应用，包括介绍全通讯频段射频高功率产品组合。
2019-01-23 07:24:002647 
本次会议将介绍恩智浦用成熟的、业界最好的LDMOS技术，推出的面向蜂窝通讯频段的高功率应用，包括介绍全通讯频段射频高功率产品组合。
2019-01-23 07:12:002686 本文档的主要内容详细介绍的是BLF6G38-50和BLF6G38LS-50 LDOS晶体管的数据手册免费下载。50w ldmos功率晶体管，用于3400mhz至3800mhz频率的基站应用。
2019-10-12 08:00:005 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管
2020-08-20 18:50:000 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS
2020-08-12 18:52:000 SPTECH硅NPN功率晶体管2SD188规格书
2021-12-13 16:10:245
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