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对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。...
三极管有三个端口，分别是基极(Base)，集电极（collector）和发射极(Emitter)。...
当集电极电流Icq有微小变化时，会在发射极电阻Re上产生压降，而Re上的压降又会影响b-e之间的电压，从而会影响Icq，达到稳定工作点。...
使用数模转换器 （DAC） 的电机控制、无线电控制、音频样本生成和波形生成是需要 MCU 具有更高精度模拟功能的典型应用。由于 MCU 不是无线电的天然配套设备，因此它们通常需要专用的高精度模拟组件或外围设备才能在无线电信号存在时“表现良好”。...
数字电位器 （dpots） 是无处不在的组件，具有各种封装、电阻和分辨率。然而，除了通常的电阻与设置的线性函数之外，几乎没有人实现任何东西。这一事实给需要宽范围（即数十倍）增益调整动态范围的应用带来了麻烦。...
本设计理念描述了一种从基于555的自由运行振荡器产生可变占空比波形的新方法。该电路的宽调制范围、对宽占空比值范围内的高度线性控制以及出色的线性度使其成为基于 PWM（脉宽调制）的控制应用的理想选择。...
8B/10B 编码数据对时钟恢复电路很友好，因为它具有游程长度限制。它还适用于交流耦合，因为它是直流平衡的。8B/10B 编码涉及将 8 位八位字节转换为 10 位代码组。在每个代码组中，1 和 0 的数量之差绝不会超过两个。通过监测连续代码组中 1 和 0 的数量，计算出运行差异。...
如果运算放大器具有阻性输出阻抗，对于此运算放大器（LF411），单位增益约为 0.1 - 10 Ω，我们预计该电容器会导致高于截止频率的 -90° 相移。让我们看看发生了什么。...
运算放大器内部不可避免的组件不匹配会导致 0 V 差分输入产生非零正或负输出电压。输入失调电压是必须施加到输入端子之一的电压，以补偿不匹配，从而实现 0 V 输入的 0 V 输出。...
由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。...
前面给大家分享了MOS管的结构，符号，阈值电压，四种工作状态分别对应的漏电流公式和跨导的定义公式，相信大家对MOS管的工作原理有了一定的了解，这篇给大家介绍后续电路分析中不可缺少的MOS管的三个二级效应。...
根据上一篇对CMOS工作原理的分析，我们可以将MOS管的工作状态分为以下4个区域，以NMOS为例。...
首先我们先了解什么是MOSFET?全称是金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)这是MOSFET的简易符号，表示了三个端子：栅(G)、源(S)和漏(D)。 因为这种器件是对称的，因而可以源漏互换。 大家都知道，在...
因为晶体管放大器之前已经分析过MOSFET电路增益的计算，输出电阻，输入电阻的计算，还有频率特性。 想要设计一个各项指标满足要求的放大电路，比较复杂。...
这次我们把范围扩大到NPN和PNP俩种管子，也给大家一些例子，例子由易到难，如果全部都能答上来，那三极管这里你算是吃透了。...
GaNSense Control合封氮化镓功率芯片具有单片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驱动器的所有优点，加上单个表面贴装封装中的控制和保护电路，适用于高功率密度充电器、适配器和辅助电源应用。...
电流方面，峰值充电电流可达600+A；电压方面，量产电动车的架构电压普遍在400-500V，而小鹏实现了远超行业平均工作电压的800V级，并可兼容不同电压充电桩。...
SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工序过程，完成向下游的衬底供货。...
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