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在解释如何测量 ADC 噪声之前，重要的是要了解，当您查看 ADC 数据表规格时，相关指标参数表征对象是 ADC，而不是设计的电子系统。因此，ADC 制造商测试 ADC 噪声的方式和测试系统本身应该展示 ADC 的能力，而不是测试系统的限制。因此，在不同系统或不同条件下使用 ADC 可能会导致噪声性...
本文主要对ADC的噪声进行分析分类，并分析了高低分辨率的ADC特性差异，以便于利用ADC特性进行更好的系统设计。...
想象一个场景：一辆高端新能源车行驶在高速公路上，作为把电池中的直流电转化为交流电送到电机的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你关我开，你开我关...
但是和二极管不同，这三块半导体有两种组成三极管的情况：两边P型半导体，中间N型半导体（PNP型）和两边N型半导体，中间P型半导体（NPN型）。...
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT）...
二极管大家都很熟悉，前面也好几次对其工作特性分析过，具有导电单向性，其主要性能参数有：反向峰值电压，正向平均电流，正向耗散功率，pn结电容、温度效应，一般大家都比较关心靠前的那些参数指标，却很少过多关注后面两个参数:pn结电容和温度效应，其中pn结电容这里不予展开讨论，以后再将(主要是高频信号里面才...
BVDSS 是反向偏压的体二极管被击穿，且雪崩倍增引发大量的电流在源极和漏极之间流动的电压。...
栅极电荷是指为导通MOSFET而注入到栅极电极的电荷量，有时也称为总栅极电荷。总栅极电荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示栅极-源的电荷量，Qgd 表示栅极-漏极的电荷量，也称米勒电荷量。...
VDS是指MOSFET的漏-源极的绝对最大值电压，在管子工作时，这两端的电压应力不能超过最大值。在MOSFET选型时，VDS电压都要降额80%选用。...
EMI的干扰和认证在整个电力电子行业应用中都是一个痛点，对于Buck型变换器而言，由于其输入电流是断续的...
随着现代电子技术的进步与发展，电子产品的发展趋向于微型化和密集化，电子器件的功率计散热要求也随之增加。...
比如两个芯片之间的供电电压不一样，一个是5V，另一个是3.3V，那么在两者之间进行通讯建立连接关系时，就需要进行电平转换。...
该芯片集成了便携式低功率心电图应用的所有特性，内置单通道 24 位 Delta-Sigma (ΔΣ)模数转换器(ADC) 、可编程增益放大器(PGA)、内部参考和振荡器。...
Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值。在上文中我们介绍了MOSFET在导通后，Rds(ON)的值不是一成不变的，主要取决于VGS的值。...
MOSFET又叫场效应晶体管，要想学好MOS管，首先我们要对标三极管来学。我们说，三极管有N管和P管，同样的，MOS管也有N型和P型。...
MOSFET是金属－氧化物－半导体场效晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）...
由于对高比特率光互连的需求不断增长，硅光子学（SiPh）技术得到了相当多的关注。由于硅光子芯片和单模光纤（SMFs）之间的光斑尺寸差异而导致的低耦合效率仍然是一个具有挑战性的问题。...
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