资料介绍
DDR4是JEDEC组织关于DRAM器件的下一代标准。DDR4主要是针对需要高带宽低功耗的场合。这些需求导致了DDR4芯片引入了一些新的特点,这些新的特点,导致在系统设计中,引入一些新的设计需求。
DDR4的I/O架构称为PSOD(Pseudo Open Drain),这个新的设计,将会带来接收端功耗的变化,以及Vref电平的差异。接下来的将会讨论PSOD输出和上一代DDR3标准的差异。
POD vs STLL
驱动DRAM工业发展的一个主要市场需求是对内存器件的低功耗要求。介于这个原因,DDR4引入了一个新的IO驱动标准,成为PSOD(Pseudo Open Drain)。在PSOD里,接收端将信号端接到轨电压(VDD),而不是轨电压的一半(VDD/2)。
为了直观的看出端接方式的差异对总的功耗的影响,下面分别比较了在输出高和低得情况下,DDR4/DDR3的电流流向。
当输出为低时,SSTL/POD的都会有电流流过。实际上,POD的拉电流会比SSTL稍大,因为其端接的轨电压,而SSTL的端接到轨电压的一般。这个也是为什么DDR4的轨电压选用了一个稍微低一点的电平。
主要的区别在于输出高电平时。SSTL电平将会继续有消耗电流,并且电流大小和输出低电平的时候一致。POD在输出高电平时,没有工作电流。
DDR4的I/O架构称为PSOD(Pseudo Open Drain),这个新的设计,将会带来接收端功耗的变化,以及Vref电平的差异。接下来的将会讨论PSOD输出和上一代DDR3标准的差异。
POD vs STLL
驱动DRAM工业发展的一个主要市场需求是对内存器件的低功耗要求。介于这个原因,DDR4引入了一个新的IO驱动标准,成为PSOD(Pseudo Open Drain)。在PSOD里,接收端将信号端接到轨电压(VDD),而不是轨电压的一半(VDD/2)。
为了直观的看出端接方式的差异对总的功耗的影响,下面分别比较了在输出高和低得情况下,DDR4/DDR3的电流流向。
当输出为低时,SSTL/POD的都会有电流流过。实际上,POD的拉电流会比SSTL稍大,因为其端接的轨电压,而SSTL的端接到轨电压的一般。这个也是为什么DDR4的轨电压选用了一个稍微低一点的电平。
主要的区别在于输出高电平时。SSTL电平将会继续有消耗电流,并且电流大小和输出低电平的时候一致。POD在输出高电平时,没有工作电流。
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