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Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:对高频的DC-DC转换器,功率MOSFET是一个关键的器件.快速的开关可以降低开关LOSS, 但是在MOS漏级上dv/dt也变得越来越高.然而,高的dv/dt可能导致在没有正常的门极触发信号时MOS开通,这样会产生更多的功耗.最常见的可能是由于寄生电容和电感引起的.本文研究了寄生现象对MOS假开通的影响.
假触发(spurious-trigger)现象发生在当漏极电压快速上升时.这种情况下MOSFET的等效电路如图1示.由于通常的解法会导致四阶的差分方程,本文通过忽略相关不太重要的寄生参数的影响来简化问题.其影响后文再述.基于20V-30V 层次的MOS来考虑寄生参数. 此处,Lg>>Ls; Cgs>>Ggd, Cgs>>Cds. 由于从节点G到地的阻抗比从节点S到地的阻抗要大得多,图1可以简化成如图2的电路.此处MOS被移走,既然其在误触发之前仍旧处在关断状态.
假触发(spurious-trigger)现象发生在当漏极电压快速上升时.这种情况下MOSFET的等效电路如图1示.由于通常的解法会导致四阶的差分方程,本文通过忽略相关不太重要的寄生参数的影响来简化问题.其影响后文再述.基于20V-30V 层次的MOS来考虑寄生参数. 此处,Lg>>Ls; Cgs>>Ggd, Cgs>>Cds. 由于从节点G到地的阻抗比从节点S到地的阻抗要大得多,图1可以简化成如图2的电路.此处MOS被移走,既然其在误触发之前仍旧处在关断状态.
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