--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型号 SGN3133-260L-R
- 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
- 产地 日本
- 封装 IV
--- 产品详情 ---
型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260L-R为50V工作的s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低热阻允许使用高达200µsec脉冲宽度的长脉冲,占空比为10%。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGN3133-260L-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 IV
型号参数
高功率:320W(典型)@引脚=22.9W(43.6dBm)
高效率:57%(典型值)@引脚=22.9W(43.6dBm)
宽带:3.1至3.3 GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
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