SGN3133-260L-R 雷达用高压大功率GaN HEMT

GaN HEMT

型号： SGN3133-260L-R

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 SGN3133-260L-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地日本
封装 IV

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260L-R为50V工作的s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低热阻允许使用高达200µsec脉冲宽度的长脉冲，占空比为10%。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGN3133-260L-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地日本
封装 IV

型号参数
高功率：320W（典型）@引脚=22.9W（43.6dBm）
高效率：57%（典型值）@引脚=22.9W（43.6dBm）
宽带：3.1至3.3 GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω

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