--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMP2016UFDF
- 名称 P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 U-DFN2020-6
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMP2016UFDF 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP2016UFDF
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 19 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 30(@8V) nC
主要特征
0.6mm 外形 – 非常适合薄型应用
PCB 占地面积为 4mm2
低栅极阈值电压
低导通电阻
ESD保护栅极
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