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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ADRF5049BCCZN,9kHz~45GHz 超宽带 SOI 非反射 SP4T 开关

型号: ADRF5049BCCZN

--- 产品参数 ---

  • 产品型号 ADRF5049BCCZN
  • 产品类型 射频开关
  • 品牌 Analog Devices

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

ADRF5049BCCZN

简介
       ADRF5049BCCZN是一款采用 SOI 绝缘硅工艺打造的非反射式 SP4T 单刀四掷射频开关,工作频段覆盖 9kHz 至 45GHz,兼顾低频信号与毫米波应用,是多频段射频系统的核心切换器件。
       该器件核心优势源于非反射架构,未选中通道内置 50Ω 终端电阻,切换全程端口阻抗稳定,不会产生高驻波干扰射频链路。射频性能表现均衡,18GHz 以内插入损耗仅 1.3dB,45GHz 最高仅 3.3dB;关断通道隔离度最低 35dB,低频段可达 44dB,通道间信号串扰极低。线性与功率承载能力突出,0.1dB 压缩点大于 30dBm,三阶截点 IP3 典型 50dBm,直通通路可长期承受 30dBm 射频功率,还支持 30dBm 带载热切换,适配大功率射频场景。
       电气配套设计十分便捷,采用 + 3.3V、-3.3V 双电源供电,控制引脚兼容 CMOS/LVTTL 电平,依靠 EN、LS、V1、V2 四组逻辑实现通道选择与全关断功能;开关切换时间 2.7μs,射频信号稳定仅需 3.4μs,切换响应速度快。器件防护可靠,全部引脚 HBM ESD 耐压 ±2000V,工作温度区间覆盖 - 40℃~+105℃;3mm×3mm 小型 24 引脚 LGA 封装,引脚与 ADRF5042、ADRF5043 兼容,便于硬件迭代替换。

 

电气特性
插入损耗:1.3dB (≤18G) / 2.2dB (≤40G) / 3.3dB (45G)
隔离度:≥44dB (≤18G) / ≥40dB (≤40G) / ≥35dB (45G)
导通回波损耗:≥18dB
P0.1dB 压缩点:>30 dBm
IIP3 三阶截点:50 dBm
射频耐受功率:直通 30dBm,关断端接 18dBm,热切换 30dBm

 

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