简介
HMC773ALC3BTR是一款 GaAs 工艺双平衡无源基波混频器，专为高频上下变频场景打造，编带封装适配规模化 SMT 生产。这款器件工作射频、本振区间覆盖 6~26GHz，中频带宽直达直流至 8GHz，可同时实现发射端上变频、接收端下变频。核心电气表现稳定，标准 13dBm 本振驱动下，变频损耗典型 9dB，LO-RF、LO-IF 端口隔离均达 37dB，能有效抑制本振信号泄漏；线性性能优异，输入三阶截点典型 20dBm、1dB 压缩点 10dBm，可承载更大输入信号、降低交调杂散干扰。作为无源器件，它无需直流供电，省去偏置电路设计，内部集成匹配巴伦，无需外围匹配元件，大幅精简 PCB 布线。封装采用 3mm×3mm 十二引脚陶瓷无引线载体，底部大面积裸焊盘强化接地与散热，工作温度区间覆盖 - 40℃至 85℃，符合 RoHS 环保标准。
依托宽频、高隔离、高线性的综合优势，该器件应用场景十分明确：民用领域用于点对点微波通信、VSAT 卫星小站、微波测试仪器与传感器；适配各类高频射频收发前端。器件还提供完整杂散抑制数据表，多频点高阶谐波抑制普遍高于 60dBc，能降低后端滤波压力。
电气特性
变频损耗：典型 9dB；6~16GHz 最大 12dB，16~26GHz 最大 14dB
端口隔离：LO-RF 典型 37dB、LO-IF 典型 37dB、RF-IF 典型 20dB
线性指标：输入 IP3 典型 20dBm，输入 IP2 典型 50dBm，1dB 压缩点 P1dB 典型 10dBm
中频带宽：直流 DC ~ 8GHz（支持零中频架构）
无源设计：无直流偏置，电路简化
端口驻波：RF/LO 端口回波损耗典型 10~12dB（50Ω 匹配）
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