产品简介
DIODES 的 DMG6302UDW 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选用于高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMG6302UDW
名称 双 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT363
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 25 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.15 A
PD @TA = +25°C (W) 0.38 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13000 (@2.7V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.65 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.34 nC
CISS Typ (pF) 30.7 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
静电放电保护
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