--- 产品参数 ---
- 击穿电压(V) 200
- 电阻(欧姆) 0.6
- 总电容(pF) 0.050
- 寿命(nS) 150
- CW功率耗散(W) 1.5
--- 产品详情 ---
MSAT-P25二极管系列采用 MACOM 的专有二极管工艺制造,该工艺优化了二极管与陶瓷封装内相邻散热金属柱的阳极和阴极键合面积。这种独特的几何形状在表面贴装封装内提供了更低的电阻和热阻,以提供比同类表面贴装二极管封装更高的平均功率性能。凭借较低的热阻 (< 20 ºC/W),在更高功率的 UHF 冷切换应用中可以实现 + 50 dBm 的 RF CW 入射功率水平和 + 60 dBm 的 RF 峰值入射功率水平。对于 SP2T Tx-Rx 开关,低串联电阻 (< 1.0 O) 与较长的少数载流子寿命 (> 8 µS) 相结合,可为 SP2T Tx-Rx 开关提供更好的 IIP3 失真值 > + 70 dBm。这些设备是气密密封的,其材料构造可满足商业和军事应用的严格要求。这些设备符合 RoHS 标准。

特征
陶瓷表面贴装封装
符合 RoHS 标准
非常紧密的密封
较低的热阻 (<20º C/W) 用于更高的功率
更低的 Rs <1.0 O(更低的插入损耗和更高的 IIP3)
击穿电压(V) 200
电阻(欧姆) 0.6
总电容(pF) 0.050
寿命(nS) 999
CW功率耗散(W) 1.5
热阻(°C/W) 30
包裹 CS127-1
应用
航空航天和国防
ISM
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