--- 产品参数 ---
- 击穿电压(V) 200
- 电阻(欧姆) 0.9
- 总电容(pF) 0.7
- 寿命(nS) 5000
- CW功率耗散(W) 30
--- 产品详情 ---
该 MA4AGBLP912 是一种表面贴装非磁性金属电极中的PIN二极管无铅面 (MELF) 封装。设备包含 M/A-COM 技术解决方案时间经过验证的 HIPAX 技术可产生低电感陶瓷封装没有丝带或晶须线。该包采用 M/A-COM技术解决方案 新型无磁电镀提供密封封装的过程具有极低的渗透性。纳入该封装是一个玻璃钝化 PIN 芯片,是全面粘合在阴极和阳极上最大限度地减少低电的表面积和热阻。低热阻在高事件下提供出色的性能功率水平高达 200 瓦 CW。这MA4P7470F-1072T已全面以电气和机械为特征确保可重复和可预测的性能。

特征
高功率处理
符合 RoHS 标准
可作为芯片使用
各种套餐选项
无引线低电感 MELF 封装 ?
低 Theta (?) 由于全面芯片键合
用于低漏电流的钝化芯片
额定电压高达 1000 伏
低损耗/低失真
可用于 MRI 的非磁性封装
击穿电压(V) 200
电阻(欧姆) 0.9
总电容(pF) 0.7
寿命(nS) 5000
CW功率耗散(W) 30
热阻(°C/W) 45
包裹 1.5X1.2mm TDFN-6LD
包装类别 塑料表面贴装
最小频率(MHz) 50
最小频率(MHz) 12000
应用
ISM
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