此器件特别适合便携式电子设备的紧凑型电源管理,输入电压为2.5V至8V,输出电流为2.8A。该负载开关集成了一个小型N沟道功率MOSFET(Q1),从而在一个微小的SuperSOT™-6封装中驱动一个大型P沟道功率MOSFET(Q2)。
| 特性 |
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- V GS = -4.5 V时,R DS(ON) =55mΩ
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- V GS = -2.5 V时,R DS(ON) =70mΩ
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- V GS = - 1.8 V时,R DS(ON) =100mΩ
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- 控制MOSFET( Q1)包含增强耐静电放电能力的齐纳二极管保护(> 6KV人体模型)
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电路图、引脚图和封装图
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