FGY100T65SCDT 场截止沟槽IGBT,短路额定IGBT,650 V,100 A.
数据:
FGY100T65SCDTdatasheet.pdf
产品信息
采用新型场截止IGBT技术,安森美半导体的新系列场截止第三代IGBT为太阳能,UPS,电机控制,ESS和HVAC应用提供最佳性能传导和开关损耗是必不可少的。 最高结温:TJ = 175°C 正温度系数,易于并联运行 高电流能力 低饱和电压:VCE(sat)= 1.5 V(典型值)@ IC = 100 A 高输入阻抗 快速切换
短路额定值为5 us 拧紧参数分布 这些器件无铅且符合RoHS标准