TLV2342 双路 LinCMOS 低电压高速运算放大器

描述

TLV234x运算放大器属于专为低压单电源应用而设计的系列器件。与该系列中主要用于满足激进功耗规格的其他产品不同，TLV234x的开发是为了提供接近BiFET运算放大器的交流性能，同时采用单电源供电轨。在3 V时，TLV234x的典型压摆率为2.1 V /us，单位增益带宽为790 kHz。

每个放大器均可在低至2 V的最低电源电压下完全正常工作，并在-40°C的温度范围内通过3 V和5 V电源进行全面表征，测试和指定到85°C。共模输入电压范围包括负轨，并延伸至正轨的1 V以内。

采用德州仪器（TI）的硅栅LinCMOS技术，可实现低电压和低功耗运行。 LinCMOS工艺还具有极高的输入阻抗和超低输入偏置电流。这些参数与良好的交流性能相结合，使TLV234x在高频滤波器和宽带传感器等应用中发挥了作用。

为方便小型便携式设备的设计，TLV234x提供多种封装选择，包括小外形和薄缩小外形封装（TSSOP）。与标准表面贴装封装相比，TSSOP封装尺寸显着缩小。它的最大高度仅为1.1毫米，在空间非常重要时特别具有吸引力。

器件输入和输出设计用于承受-100 mA电流而不会出现闩锁现象。 TLV234x采用内部ESD保护电路，可在MIL-PRF-38535，方法3015.2下测试，防止电压高达2000 V时出现功能故障;但是，在处理这些器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。

LinCMOS是德州仪器公司的商标。


Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture

TLV2342	TLV2341	TLV2344
2	1	4
2	2	2
8	8	8
0.32	0.32	0.32
3.6	3.6	3.6
In to V- Out	In to V- Out	In to V- Out
9	8	10
0.7	0.675	0.675
25	25	25
Catalog	Catalog	Catalog
-40 to 85	-40 to 85	-40 to 85
PDIP SOIC TSSOP	SOIC	PDIP
See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) 8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP)	8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)	See datasheet (PDIP)
2.7	2.7	2.7
N/A	N/A	N/A
200	200	200
80	80	80
9	9	9
CMOS	CMOS	CMOS

数据手册（1）

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