LM5113-Q1 用于增强模式 GaN FET 的汽车类 100V 1.2A/5A 半桥栅极驱动器

LM5113-Q1专为同时驱动采用同步降压，升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓（GaN） FET或硅质MOSFET而设计，适用于汽车应用。此器件具有一个集成于内部的100V自举二极管，还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。侧偏置电压在内部被钳位为5.2V，可防止栅极电压超过增强模式GaN FET的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与TTL逻辑兼容，无论VDD电压多高，它都能够承受高达14V的输入电压.LM5113-Q1具有分栅输出的能力，可独立灵活地调节开通和关断强度。

此外，LM5113-Q1具有非常可靠的灌电流能力，使能栅极保持低电平，从而防止开关操作期间发生误导通.LM5113-Q1的工作频率最高可达数MHz.LM5113-Q1采用带有裸露焊盘的标准10引脚WSON封装，可改善功耗。