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这款210mΩ，20V P通道FemtoFET MOSFET被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。这个技术能够在将封装尺寸至少减少60％的同时，替代标准的小信号MOSFET。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD25483F4 | CSD25480F3 | CSD25481F4 | CSD25484F4 |
|---|---|---|---|
| -20 | -20 | -20 | -20 |
| -12 | -12 | -12 | -12 |
| Single | Single | Single | Single |
| 245 | 159 | 105 | 109 |
| 390 | 260 | 175 | 180 |
| 1070 | 840 | 800 | 825 |
| -6.5 | -10.4 | -10 | -22 |
| -1.6 | -1.7 | -2.5 | -2.5 |
| 0.96 | 0.7 | 0.913 | 1.09 |
| 0.16 | 0.1 | 0.153 | 0.15 |
| 0.25 | 0.26 | 0.24 | 0.35 |
| -0.95 | -0.95 | -0.95 | -0.95 |
| LGA 0.6x1.0 | LGA 0.6x0.7 | LGA 0.6x1.0 | LGA 0.6x1.0 |
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