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CSD13302W CSD13302W 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据:

描述

这款14.6mΩ,12V N通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的1mm×1mm小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

特性

  • 超低导通电阻
  • 低Q g 和Q gd < /sub>
  • 1mm x 1mm小尺寸封装
  • 低高度(高度为0.62mm)
  • 无铅
  • 符合RoHS环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
CSD13302W
12    
Single    
17.1    
29    
6    
2.1    
WLP 1.0x1.0    
21.2    
10    
1    
Yes    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD13302W 相关库存