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数据： CSD19531Q5A 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B)
这款100V，5.3mΩ，SON 5mm×6mm NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
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要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录.R θJA = 40°C /W，这是在一个厚度0.06英寸环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。最大R θJC< /sub> = 1.0°C /W，持续时间≤100μs，占空比≤1％
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD19531Q5A | CSD19531KCS | CSD19532Q5B | CSD19533KCS | CSD19533Q5A | CSD19534Q5A | CSD19535KCS | CSD19536KCS | CSD19537Q3 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| Single | Single | Single | Single | Single | Single | Single | Single | |
| 6.4 | 7.7 | 4.9 | 10.5 | 9.5 | 15.1 | 3.6 | 2.7 | 14.5 |
| 337 | 285 | 400 | 207 | 231 | 137 | 400 | 400 | 219 |
| 37 | 38 | 48 | 27 | 27 | 17 | 78 | 118 | 16 |
| 6.6 | 7.5 | 8.7 | 5.4 | 4.9 | 3.2 | 13 | 17 | 2.9 |
| SON5x6 | TO-220 | SON5x6 | TO-220 | SON5x6 | SON5x6 | TO-220 | TO-220 | SON3x3 |
| 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 2.7 | 2.7 | 2.6 | 2.8 | 2.8 | 2.8 | 2.7 | 2.5 | 3 |
| 110 | 110 | 140 | 86 | 75 | 44 | 187 | 259 | 53 |
| 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 40 | 150 | 150 | 50 |
| No | No | No | No | No | No | No | No | No |
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