TPS51216-EP TPS51216-EP 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案同步降压

数据： TPS51216-EP Complete DDR2, DDR3 and DDR3L Memory Power Solution Synchronous Buck Controller, 2-A LDO, Buffered Reference 数据表

描述

TPS51216-EP以最低的总成本和最小的空间为DDR2，DDR3和DDR3L内存系统提供完整的电源。它集成了同步降压稳压控制器（VDDQ）和2A吸收/源跟踪LDO（VTT）和缓冲低噪声参考（VTTREF）。 TPS51216-EP采用D-CAP模式，耦合300 kHz /400 kHz频率，易于使用和快速瞬态响应。 VTTREF可在0.8％的精度范围内跟踪VDDQ /2。 VTT提供2-A吸收/源极峰值电流能力，仅需要10μF的陶瓷电容。此外，还提供专用的LDO电源输入。

TPS51216-EP提供丰富的实用功能和出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在S3中将VTT置于高阻态，并在S4 /S5状态下将VDDQ，VTT和VTTREF（软关断）放电。

可编程OCL具有低端MOSFET R _DS（on）检测，OVP /UVP /UVLO和热关断保护。

TPS51216 -EP采用20引脚，3 mm×3 mm，WQFN封装，额定温度范围为-55°C至125°C。

特性

同步降压控制器（VDDQ）
- 转换电压范围：3至28 V
- 输出电压范围：0.7至1.8 V
- 0.8％V _REF精度
- 快速瞬态响应的D-CAP模式
- 可选择300 kHz /400-kHz切换频率
- 使用自动跳过功能优化轻载和重载时的效率
- 支持S4 /S5状态下的软关闭
- OCL /OVP /UVP /UVLO保护
- Powergood输出
2-A LDO（VTT），缓冲参考（VTTREF）
- 2-A（峰值）吸收和源电流
- 仅需要10-μF陶瓷输出电容
- 缓冲，低噪声，10 mA VTTREF输出
- 0.8％VTTREF，20 mV VTT精度
- 支持S3中的高阻Z和S4 /S5中的软关断
热关断
20针，3 mm×3 mm，WQFN封装
支持国防，航空航天和医疗应用
- 受控基线
- 0装配/试验现场
- 一个制造现场
- 军用（-55°C至125°C）温度范围^（1）
- 延长产品生命周期
- 扩展产品变更通知
- 产品可追溯性

参数与其它产品相比 DDR 存储器电源产品


DDR Memory Type
Iout VTT (Max) (A)
Iq (Typ) (mA)
Output
Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Regulator Type
Vout VTT (Min) (V)

TPS51216-EP	TPS51216
DDR DDR2 DDR3 DDR3L LPDDR2 LPDDR3	DDR DDR2 DDR3 DDR3L DDR4 LPDDR2 LPDDR3
2	2
0.6	0.6
VDDQ VREF VTT	VDDQ VREF VTT
3	3
28	28
Shutdown Pin for S3	Complete Solution Eco Mode S3/S5 Support
HiRel Enhanced Product	Catalog
-55 to 125	-40 to 85
WQFN	WQFN
20WQFN: 9 mm2: 3 x 3(WQFN)	20WQFN: 9 mm2: 3 x 3(WQFN)
Step-Down Controller Plus LDO	Step-Down Controller Plus LDO
0.6	0.6