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TS3DDR4000 TS3DDR4000 12 位 1:2 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关/多路复用器

数据:

描述

TS3DDR4000是一款1:2或2:1高速DDR2 /DDR3 /DDR4开关,可实现12位宽总线切换。该器件可针对所有位同时将A端口切换为B或C端口.TS3DDR4000设计用于DDR2,DDR3和DDR4存储器总线系统,并且采用一种专有架构,可提供高带宽(单端5.6GHz下的带宽为-3dB),这个,TS3DDR4000还具有低功耗模式。所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。

特性

  • 宽V DD 范围:2.375V至3.6V
  • 高带宽:5.6GHz (单端典型值); 6.0GHz(差分典型值)
  • 低开关导通电阻(R ON ):8Ω(典型值)
  • 低位间偏差:3ps(典型值);所有通道的最大值为6ps
  • 低串扰:1067MHz下的典型值为-34dB
  • 低工作电流:40μA(典型值
  • 具有低功耗模式,电流消耗极低:2μA(典型值)
  • I OFF 保护防止断电状态(V CC = 0V)下的电流泄漏
  • 支持POD_12,SSTL_12,SSTL_15和SSTL_18信令
  • 静电放电(ESD)性能:
    • 3kV人体放电模式(A114B,II类)
    • 1kV组件充电模式(C101)
  • 8mm x 3mm 48焊球0.65mm间距ZBA封装< /li>

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 特定于协议的开关/多路复用器

 
Protocols
Configuration
Number of Channels (#)
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Input/Ouput Voltage (Min) (V)
Input/Ouput Voltage (Max) (V)
ICC (Max) (uA)
Bandwidth (MHz)
ESD HBM (Typ) (kV)
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Crosstalk (dB)
ESD Charged Device Model (kV)
ICC (Typ) (uA)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
OFF-state leakage current (Max) (µA)
Propagation Delay (ns)
Ron (Max) (Ohms)
Ron Channel Match (Max) (Ω)
RON Flatness (Typ) (Ohms)
Turn off Time (Disable) (Max) (ns)
Turn on Time (Enable) (Max) (ns)
VIH (Min) (V)
VIL (Max) (V)
TS3DDR4000
DDR2
DDR3
DDR4    
2:1 SPDT    
12    
2.375    
3.6    
8.3    
0    
3.3    
48    
6000    
3    
-40 to 85    
48NFBGA: 24 mm2: 3 x 8(NFBGA)    
NFBGA    
-68    
1    
40    
1    
0.5    
5    
85    
11.2    
1    
0.6    
65    
65    
1.4    
0.5    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 TS3DDR4000 相关库存

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