(Sapphire)与碳化矽(SiC)基板为主,且重大基本专利掌握在日本、美国和德国厂商手中。有鉴于专利与材料种种问题,开发矽基氮化镓(GaN-on-Si)磊晶技术遂能摆脱关键原料、技术受制于美日的困境。
2013-06-06 13:39:192417 GaN-on-Si技术可用来降低LED及功率元件的成本,将有助固态照明、电源供应器,甚至是太阳能板及电动车的发展.
2013-09-12 09:33:291401 在过去几年中,氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比,氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体,具有更快的开关速度、更高的击穿强度和高导热性。
2022-07-29 10:52:00992 高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品的领先供应商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010宽带功率放大器模块,扩展了硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率放大器产品组合。
2019-01-30 13:50:576526 基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 的BOM,会发现一个有趣的趋势:自2012年以来,按累积晶圆面积来看,300mm晶圆上制造的器件数量保持相对平坦的增长曲线(节点尺寸的减小与复杂度不断增加引起的面积增加所抵消),而200mm和150mm晶圆
2019-05-12 23:04:07
小弟想知道8寸晶圆盒的制造工艺和检验规范,还有不知道在大陆有谁在生产?
2010-08-04 14:02:12
半导体材料可实现比硅基表亲更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,这些功能使得在各种电源应用中减少重量,体积和生命周期成本成为可能。 Si,SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si,SiC
2022-08-12 09:42:07
本人想了解下晶圆制造会用到哪些生产辅材或生产耗材
2017-08-24 20:40:10
陆续复工并维持稳定量产,但对硅晶圆生产链的影响有限。只不过,4月之后新冠肺炎疫情造成各国管控边境及封城,半导体材料由下单到出货的物流时间明显拉长2~3倍。 库存回补力道续强 包括晶圆代工厂、IDM
2020-06-30 09:56:29
`晶圆切割目的是什么?晶圆切割机原理是什么?一.晶圆切割目的晶圆切割的目的,主要是要将晶圆上的每一颗晶粒(Die)加以切割分离。首先要将晶圆(Wafer)的背面贴上一层胶带(Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
会是麻烦死人的。硅矿石的硅含量相对较高。所以晶圆一般的是以硅矿石为原料的。一、脱氧提纯沙子/石英经过脱氧提纯以后的得到含硅量25%的Si02二氧化硅。氧化硅经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并蒸馏后,得到纯度
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本阶段:晶圆制造(材料准备、长晶与制备晶圆)、积体电路制作,以及封装。晶圆制造过程简要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圆制造的基础知识,适合入门。
2014-06-11 19:26:35
应该花一点时间来让大家了解一下半导体的2个基本生产参数—硅晶圆尺寸和蚀刻尺寸。 当一个半导体制造者建造一个新芯片生产工厂时,你将通常看到它上在使用相关资料上使用这2个数字:硅晶圆尺寸和特性尺寸。硅晶
2011-12-01 16:16:40
为什么有不同尺寸?N 奈米又代表什么?晶圆的尺寸指的是它的直径大小,就跟蛋糕一样。早期的技术只能做出 2~4 寸的晶圆,随着技术进步,逐渐发展出 6 寸、8 寸、12 寸、18 寸,甚至 20 寸以上的晶圆
2022-09-06 16:54:23
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
效率高,它以圆片形式的批量生产工艺进行制造,一次完成整个晶圆芯片的封装大大提高了封装效率。 2)具有倒装芯片封装的优点,即轻,薄,短,小。封装尺寸接近芯片尺寸,同时也没有管壳的高度限制。 3)封装芯片
2021-02-23 16:35:18
` 谁来阐述一下晶圆有什么用?`
2020-04-10 16:49:13
晶圆的制造过程是怎样的?
2021-06-18 07:55:24
,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。会听到几寸的晶圆厂,如果硅晶圆的直径越大,代表著这座晶圆厂有较好的技术。另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小,这两种方式都可以在一片晶圆上,制作出更多
2011-09-07 10:42:07
测试晶格:指晶圆表面具有电路元件及特殊装置的晶格,在晶圆制造期间,这些测试晶格需要通过电流测试,才能被切割下来 4 边缘晶格:晶圆制造完成后,其边缘会产生部分尺寸不完整的晶格,此即为边缘晶格,这些
2011-12-01 15:30:07
; ·尺寸和位置精度受阻焊膜窗口的影响,不适合密间距元件的装配。 NSMD焊盘的尺寸和位置不受阻焊膜窗口的影响,在焊盘和阻焊膜之间有一定空隙,如图2和图3所示。对于 密间距晶圆级CSP,印刷电路板上的焊盘
2018-09-06 16:32:27
先进封装发展背景晶圆级三维封装技术发展
2020-12-28 07:15:50
晶圆级封装技术源自于倒装芯片。晶圆级封装的开发主要是由集成器件制造厂家(IBM)率先启动。1964年,美国IBM公司在其M360计算器中最先采用了FCOB焊料凸点倒装芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圆级芯片封装技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术,封装后的芯片尺寸与裸片一致。
2019-09-18 09:02:14
的芯片。由于单个芯片尺寸增大而造成的更多边缘浪费会由采用更大直径晶圆所弥补。推动半导体工业向更大直径晶圆发展的动力之一就是为了减少边缘芯片所占的面积。(5)晶圆的晶面(Wafer Crystal
2020-02-18 13:21:38
晶圆针测制程介绍 晶圆针测(Chip Probing;CP)之目的在于针对芯片作电性功能上的 测试(Test),使 IC 在进入构装前先行过滤出电性功能不良的芯片,以避免对不良品增加制造成
2020-05-11 14:35:33
,、WAFER承载料盒、晶圆提篮,芯片盒,晶圆包装盒,晶圆包装,晶圆切片,晶圆生产,晶圆制造,晶圆清洗,晶圆测试,晶圆切割,晶圆代工,晶圆销售,晶圆片测试,晶圆运输用包装盒,晶圆切割,防静电IC托盘(IC
2020-07-10 19:52:04
请问有人用过Jova Solutions的ISL-4800图像测试仪吗,还有它可否作为CIS晶圆测试的tester,谢谢!
2015-03-29 15:49:20
CY7C1370KV25-167AXC的晶圆尺寸(英寸)是多少? 以上来自于百度翻译 以下为原文What is the wafer size(inch) of CY7C1370KV25-167AXC?
2018-11-28 11:17:52
LED铝基板的生产,带动了散热应用行业的发展,由于LED铝基板散热特色,加上铝基板具有高散热、低热阻、寿命长、耐电压等优点,随着生产技术、设备的改良,产品价格加速合理化,进而扩大LED产业的应用领域
2017-09-15 16:24:10
镓产品线所生产的氮化镓的相关器件, 其每瓦特功率的晶圆成本只有相应的LDMOS产品的一 半,与基于碳化硅的氮化镓晶圆相比,在能达到相同性能的情况下,其量产成本显著降低。MACOM氮化镓在成本控制方面
2017-08-30 10:51:37
变高。LDMOS的产品已经开始逐渐被GaN替代。GaN的优势非常明显,对性能有很大的提高,但是若以SiC做衬底,成本会变得很高,因为以SiC做衬底的GaN晶圆尺寸小,一般在4英寸到6英寸左右,成长
2017-05-23 18:40:45
原因: ⑴经纬方向差异造成基板尺寸变化;由于剪切时,未注意纤维方向,造成剪切应力残留在基板内,一旦释放,直接影响基板尺寸的收缩。 ⑵基板表面铜箔部分被蚀刻掉对基板的变化限制,当应力消除时产生
2018-08-29 09:55:14
来源:互联网现如今只有创新才能获得更多的市场,物以稀为贵。那么对于PCB行业发展而言,工业进步,工艺精进,PCB产业如火如荼的发展中。不管是硬板还是软板还是软硬结合板,亦或是有散热性能最好的陶瓷基板
2020-10-23 09:05:20
GaN 衬底上获得高性能的薄膜器件,必须使 GaN 衬底的表面没有划痕和损坏。因此,晶圆工艺的最后一步 CMP 对后续同质外延 GaN 薄膜和相关器件的质量起着极其重要的作用。CMP 和干蚀刻似乎
2021-07-07 10:26:01
,GaN-on-Si 将实现成本结构和使用现有大直径晶圆厂的能力,这将是一个很大的优势。由于硅是一种导电基板,因此在处理基板电位以及它与功率器件相互作用的方式方面带来了额外的挑战。第一个具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
450mm直径的晶体和450mm晶圆的制备存在的挑战性。更高密度和更大尺寸芯片的发展需要更大直径的晶圆供应。在20世纪60年代开始使用的1英寸直径的晶圆。在21世纪前期业界转向300mm(12英寸)直径的晶圆
2018-07-04 16:46:41
功率密度射频应用合并选择的原因所在。如今,GaN-on-SiC 基板的直径可达6 英寸。GaN-on-Si 合并的热学性能则低得多,并且具有较高的射频损耗,但成本也低很多。这就是GaN-on-Si
2019-08-01 07:24:28
的电子元器件的生产商也是想方设法的提高原件的质量,以跟上科技发展的脚步。现在就简单的阐述下晶振以后的发展趋势。一、SMD贴片晶振取代直插式晶振成为主流晶振行业在今后的发展中会以小型化,高精度,高可靠性
2014-12-31 14:22:35
纳米到底有多细微?什么晶圆?如何制造单晶的晶圆?
2021-06-08 07:06:42
` 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
的晶粒时,标有记号的不合格晶粒会被洮汰,不再进行下一个制程,以免徒增制造成本。在晶圆制造完成之后,晶圆测试是一步非常重要的测试。这步测试是晶圆生产过程的成绩单。在测试过程中,每一个芯片的电性能力和电路
2011-12-01 13:54:00
` 晶圆电阻又称圆柱型精密电阻、无感晶圆电阻、贴片金属膜精密电阻、高精密无感电阻、圆柱型电阻、无引线金属膜电阻等叫法;英文名称是:Metal Film Precision Resistor-CSR
2011-12-02 14:57:57
,目前半导体封装产业正向晶圆级封装方向发展。它是一种常用的提高硅片集成度的方法,具有降低测试和封装成本,降低引线电感,提高电容特性,改良散热通道,降低贴装高度等优点。借用下面这个例子来理解晶圆级封装
2011-12-01 13:58:36
半导体晶圆(晶片)的直径为4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圆盘,在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正(P)型半导体或负(N)型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片,因为硅
2021-07-23 08:11:27
1、为什么晶圆要做成圆的?如果做成矩形,不是更加不易产生浪费原料?2、为什么晶圆要多出一道研磨的工艺?为什么不能直接做成需求的厚度?
2014-01-20 15:58:42
方案是把24个微型聚焦头固定在 Y轴上,再把X,Y高精度二维平台放在生产线的下面,照射方式选择从下往上照射晶圆基板,通过金属基板热传递来固化;CCD1和CCD2进行自动定位;激光器实时监控,如有报警信息
2011-12-02 14:03:52
单晶的晶圆制造步骤是什么?
2021-06-08 06:58:26
according to the dimensions of the wafer.)边缘排除区域 - 位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。(根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。)Edge Exclusion
2011-12-01 14:20:47
面对半导体硅晶圆市场供给日益吃紧,大厂都纷纷开始大动作出手抢货了。前段时间存储器大厂韩国三星亦到中国***地区扩充12寸硅晶圆产能,都希望能包下环球硅晶圆的部分生产线。难道只因半导体硅晶圆大厂环球晶
2017-06-14 11:34:20
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
`所谓多项目晶圆(简称MPW),就是将多种具有相同工艺的集成电路设计放在同一个硅圆片上、在同一生产线上生产,生产出来后,每个设计项目可以得到数十片芯片样品,这一数量足够用于设计开发阶段的实验、测试
2011-12-01 14:01:36
晶圆划片 (Wafer Dicing )将晶圆或组件进行划片或开槽,以利后续制程或功能性测试。提供晶圆划片服务,包括多项目晶圆(Multi Project Wafer, MPW)与不同材质晶圆划片
2018-08-31 14:16:45
`各位大大:手头上有颗晶圆的log如下:能判断它的出处吗?非常感谢!!`
2013-08-26 13:43:15
``揭秘切割晶圆过程——晶圆就是这样切割而成芯片就是由这些晶圆切割而成。但是究竟“晶圆”长什么样子,切割晶圆又是怎么一回事,切割之后的芯片有哪些具体应用,这些可能对于大多数非专业人士来说并不是十分
2011-12-01 15:02:42
近几年有一批高新技术企业在崛起,他们在不断缩小与国际技术的差距,逐渐打破垄断,渐渐地会让陶瓷基板行业发展的更加壮大。而斯利通氮化铝陶瓷基板就是这样的品牌。其中DPC技术已经非常成熟,制造的DPC氮化
2020-11-16 14:16:37
`各位大大:手头上有颗晶圆的log如下:能判断它的出处吗?非常感谢!!`
2013-08-26 13:45:30
求晶圆划片或晶圆分捡装盒合作加工厂联系方式:QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
第III-V主族材料包括第IV主族材料如硅(Si)和锗(Ge)的晶圆进行快速划片。硅晶圆片,切口宽度均小于30微米,切口边缘平直、精准、光滑,没有崩裂,尤其硅晶圆更是如此。电力电子器件的晶圆价格昂贵
2010-01-13 17:01:57
看到了晶圆切割的一个流程,但是用什么工具切割晶圆?求大虾指教啊 ?
2011-12-01 15:47:14
`什么是硅晶圆呢,硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。硅晶圆和晶圆有区别吗?其实二者是一个概念。集成电路(IC)是指在一半导体基板上,利用氧化、蚀刻、扩散等方法
2011-12-02 14:30:44
亿美元,而GaN基板产值仅约3百万美元。拓墣产业研究院指出,相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外,也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势,不仅可使芯片
2019-05-09 06:21:14
稳定的化合物,具有强的原子键、高的热导率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中电离度是最高的、化学稳定性好,使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更强抗辐照能力,同时GaN又是高熔点材料,热传导率高,GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
` 高精度晶圆边界和凹槽轮廓尺寸测量系统 1.系统外观参考图 (系统整体外观图, 包括FOSB和FOUP自动系统, 洁净室) 2.测量原理 线单元测量的原理是和激光三角测量原理一样,当一束激光以
2014-09-30 15:30:23
的替代工艺。激光能对所有第III-V主族材料包括第IV主族材料如硅(Si)和锗(Ge)的晶圆进行快速划片。硅晶圆片,切口宽度均小于30微米,切口边缘平直、精准、光滑,没有崩裂,尤其硅晶圆更是如此。电力
2010-01-13 17:18:57
` 集成电路按生产过程分类可归纳为前道测试和后到测试;集成电路测试技术员必须了解并熟悉测试对象—硅晶圆。测试技术员应该了解硅片的几何尺寸形状、加工工艺流程、主要质量指标和基本检测方法;集成电路晶圆测试基础教程ppt[hide][/hide]`
2011-12-02 10:20:54
晶圆电阻测试仪 独特设计开发的高精度电阻率测量仪器。在半导体基板、导电薄膜基板等研发,检验检查工序或制造生产线上的可以高精度地获得
2022-05-24 14:57:50
MACOM 的 MAGX-101214-500 是一款 GaN-on-Si 功率晶体管,适用于脉冲 L 波段雷达系统,适用于 1.2 至 1.4 GHz 的机场监视雷达 (ASR) 应用。它在 50
2022-08-30 15:20:26
晶圆外延膜厚测试仪技术点:1.设备功能:• 自动膜厚测试机EFEM,搭配客户OPTM测量头,完成晶圆片自动上料、膜厚检测、分拣下料;2.工作状态:• 晶圆尺寸8/12 inch;• 晶圆材
2022-10-27 13:43:41
晶圆测温系统,晶圆测温热电偶,晶圆测温装置一、引言随着半导体技术的不断发展,晶圆制造工艺对温度控制的要求越来越高。热电偶作为一种常用的温度测量设备,在晶圆制造中具有重要的应用价值。本文
2023-06-30 14:57:40
安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目,共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。
2012-10-10 13:41:31970 来自德国的AZZURRO成立于2003年,主要是提供新型态晶圆给功率半导体与LED厂商使用。AZZURRO拥有独家专利氮化镓上矽(GaN-on-Si)的技术。
2012-10-22 10:54:411198 松下在GaN基板产品和Si基板产品方面试制了2.1mm×2.0mm测试芯片做了比较。Si基板产品的导通电阻为150mΩ,GaN基板产品的导通电阻为100mΩ。Qoss方面,Si基板产品为18.3nC
2016-12-12 10:15:212348 今年9月,意法半导体展示了其在功率GaN方面的研发进展,并宣布将建设一条完全合格的生产线,包括GaN-on-Si异质外延。
2018-12-18 16:52:144894 经纬方向差异造成基板尺寸变化;由于剪切时,未注意纤维方向,造成剪切应力残留在基板内,一旦释放,直接影响基板尺寸的收缩。
2019-08-22 11:12:54664 本文报道了一个深入研究的负阈值电压不稳定性的gan-on-si金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管部分凹陷algan。基于一组在不同温度下进行的应力/恢复实验,我们证明:1)在高温和负栅偏压(-10v
2019-10-09 08:00:002 根据分析机构 Yole 的数据显示,英特尔和 Macom 在射频的GaN-on-Si 专利领域处于领先地位。
2020-03-01 19:45:152726 近日,为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程技术,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性。此外,公司还报告了其 300 mm 外延片的成功发展蓝图。
2020-04-08 16:53:123930 作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以,出现了以Si基器件为主导,SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 近日,为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程技术,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性
2020-12-24 10:20:301340 1月5日消息,知名供应链媒体 Digitimes 昨日报道称,Unikorn 开始生产 100W 的 GaN-on-Si 芯片,且有望在今年为苹果生产相应的产品。当然,苹果的 GaN 充电器大概率是用于 Mac 系列电脑而非手机,
2021-01-05 10:40:331564 介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了
2021-04-21 09:55:203871 GaN-on-Si LED技术是行业梦寐以求的技术。首先,硅是地壳含量第二的元素,物理和化学性能良好,在大尺寸硅衬底上制作氮化镓LED的综合成本可以降低25%;
2023-03-10 09:04:16886 传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系,其中X金属可为Ni,Mo,PT,Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺(>800℃),第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735
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