测试选择按键 - 晶体管特性测试仪如何使用?(晶体管测试仪作用及使用注意事项）

　　30. 测试选择按键：

　　⑴“左”、“右”、“二簇”：可以在测试时任选左右两个被测管的特性，当置于“二簇”时，即通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线，此时“级/簇”应置适当位置，以利于观察。二簇特性曲线比较时，请不要误按单簇按键。

　　⑵“零电压”键：按下此键用于调整阶梯信号的起始级在零电平的位置，见（22）项。

　　⑶“零电流”键：按下此键时被测管的基极处于开路状态，即能测量ICEO特性。

　　31、32. 左右测试插孔：插上专用插座（随机附件），可测试F1、F2型管座的功率晶体管。

　　33、34、35.晶体管测试插座。

　　36. 二极管反向漏电流专用插孔（接地端）。

　　37. 二簇移位旋钮：在二簇显示时，可改变右簇曲线的位置，更方便于配对晶体管各种参数的比较。

　　38. Y轴信号输入：Y轴选择开关置外接时，Y轴信号由此插座输入。

　　39. X轴信号输入：X轴选择开关置外接时，X轴信号由此插座输入。

　　40. 校准信号输出端：1V、0.5V校准信号由此二孔输出。

　　四、测试前注意事项

　　为保证仪器的合理使用，既不损坏被测晶体管，也不损坏仪器内部线路，在使用仪器前应注意下列事项：

　　1. 对被测管的主要直流参数应有一个大概的了解和估计，特别要了解被测管的集电极最大允许耗散功率PCM、最大允许电流ICM和击穿电压BVEBO、BVCBO 。

　　2. 选择好扫描和阶梯信号的极性，以适应不同管型和测试项目的需要。

　　3. 根据所测参数或被测管允许的集电极电压，选择合适的扫描电压范围。一般情况下，应先将峰值电压调至零，更改扫描电压范围时，也应先将峰值电压调至零。选择一定的功耗电阻，测试反向特性时，功耗电阻要选大一些，同时将X、Y偏转开关置于合适挡位。测试时扫描电压应从零逐步调节到需要值。

　　4. 对被测管进行必要的估算，以选择合适的阶梯电流或阶梯电压，一般宜先小一点，再根据需要逐步加大。测试时不应超过被测管的集电极最大允许功耗。

　　5. 在进行ICM的测试时，一般采用单簇为宜，以免损坏被测管。

　　6. 在进行IC或ICM的测试中，应根据集电极电压的实际情况选择，不应超过本仪器规定的最大电流，见表A-3。

　　表A-3 最大电流对照表

　　7. 进行高压测试时，应特别注意安全，电压应从零逐步调节到需要值。观察完毕，应及时将峰值电压调到零。

　　五、基本操作步骤

　　1. 按下电源开关，指示灯亮，预热15分钟后，即可进行测试。

　　2. 调节辉度、聚焦及辅助聚焦，使光点清晰。

　　3. 将峰值电压旋钮调至零，峰值电压范围、极性、功耗电阻等开关置于测试所需位置。

　　4. 对X、Y轴放大器进行10度校准。

　　5. 调节阶梯调零。

　　6. 选择需要的基极阶梯信号，将极性、串联电阻置于合适挡位，调节级/簇旋钮，使阶梯信号为10级/簇，阶梯信号置重复位置。

　　7. 插上被测晶体管，缓慢地增大峰值电压，荧光屏上即有曲线显示。

　　六、测试实例

　　1. 晶体管hFE和β值的测量

　　以NPN型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 hFE的测试条件为VCE =1V、IC=10mA。将光点移至荧光屏的左下角作座表零点。仪器部件的置位详见表A-4。

　　逐渐加大峰值电压就能在显示屏上看到一簇特性曲线，如图A-26所示。读出X轴集电极电压Vce =1V时最上面一条曲线（每条曲线为20μA，最下面一条IB=0不计在内）IB值和Y轴IC值，可得

　　若把X轴选择开关放在基极电流或基极源电压位置，即可得到图A-27所示的电流放大特性曲线。即

　

　　PNP型三极管hFE和β的测量方法同上，只需改变扫描电压极性、阶梯信号极性、并把光点移至荧光屏右上角即可。

　　2.晶体管反向电流的测试

　　以NPN型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 ICBO、ICEO的测试条件为VCB、VCE均为10V。测试时，仪器部件的置位详见表A-5。

　　逐渐调高“峰值电压”使X轴VCB=10V，读出Y轴的偏移量，即为被测值。被测管的接线方法如图1-28，其中图A-28（a）测ICBO值，图A-28（b）测ICEO值、图A-28（c）测IEBO值。

　　表A-5 3DK2晶体管反向电流测试时仪器部件的置位

　　测试曲线如图A-29所示。

　　

　　图A-29 反向电流测试曲线

　　PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试方法相同。可按测试条件，适当改变挡位，并把集电极扫描电压极性改为“—”，把光点调到荧光屏的右下角（阶梯极性为“+”时）或右上角（阶梯极性为“—”时）即可。