如何更好的设计便携式电源

　　一： LDO 的选型和设计

　　1： LDO 的重要技术指标：

　　导通压降：

　　定义为维持输出电压在标称值的100mV 范围内时，输入电压与输出电压的最小差值。这个指标直接反映出效率和电池寿命。

　　静态电流/地电流（Iq or Ignd ）： LDO在无负载工作时自身所需要的电流，直接反映出效率。

　　工作电流： 调压器在满负载工作时，自身所需要的电流，直接反映出效率

　　PSRR – Power Supply Rejection Ratio电源干扰抑制率比：反映了电源的变化对该器件的性能指标的影响．也反映了电源输出产生的纹波反射到该器件的输入端的大小．有衰减输出纹波反馈到输入的作用．

　　

　　小写δ指电压的AC值： 从100Hz，1KHz， 10kHz，100kHz.

　　2： LDO的选用和使用：

　　I： 选用LDO的不同封装

　　

　　根据最高环境温度和最大功耗选择LDO的封装含义如下：

　　LDO 的最大功耗：

　　Pmax=（Vin-Vout）x Iout+IqxVin（可以忽略）

　　不同封装最大能耗散的功率：

　　

　　二者必须满足以下关系式：

　　Pmax《Pd

　　例如：Vin=4.2V，Vout=3.0V@200mA TPS79930DDC 封装为： TSOT-23 Iq=40uA

　　工作于：Tj=1250C， Ta=700C， Rtherta=2000C/W

　　Pmax=（4.2-3.0）x200mA+40uAx4.2V=240mW.

　　PD = （TJ - TA）/ JA。=（125-70）/200=275mW.

　　Pmax《Pd， 故可以选用此封装LDO

　　下表所附是TI TPS79930 系列LDO的不同封装的热阻及该封装在不同环境下的最大功耗：

　　

　　II： 选用LDO的输出电容：

　　此表反映了某系列LDO容许的输出电容ESR的大小在4Ω 到10mΩ：

　　

　　过大过小ESR 输出电容可能导致LDO系统内相位余量不够而不稳定， 如下图所示：

　　

　　低的 ESR （50mOhm） 将零点移到高频。

　　这样一来零点发生在0dB穿越频率之后，意味着PL，P1两个极点产生-180度总相移。

　　系统不稳定。

　　

　　当然TI也有一系列LDO输出无须输出电容：TPS732XX，由于内部误差运算放大器的相位余量足够大，所以无须外加电容，除非输出电容的ESR和所有寄生电阻的乘积小于50nWF;另由于此类LDO内部集成了一电荷泵提供内部调整管的工作电源，其输入电压最低可以达1.7V．所以从1.8V直接降压到1.5V，1.2V ，在输出电流达250MA最低压差为40mV