我们现在知道，一般的原子和物质材料的结构组成比玻尔模型复杂得多，质子和中子也可以进一步细分为更小的部....
![的头像]()
FindRF 发表于 11-06 09:31
•1171次阅读
半导体材料具有一些与我们已知的导体、绝缘体完全不同的电学、化学和物理特性，正是由于这些特点，使得半导....
![的头像]()
FindRF 发表于 11-03 10:24
•2779次阅读
半导体产业在20世纪80年代开始于美国和欧洲，并且长期维持主导地位，并逐渐的变为一个全球性的产业。
![的头像]()
FindRF 发表于 10-30 11:22
•2313次阅读
在之前众多技术的量变积累之上，终于触发质变效应，仙童半导体公司引入了平面化技术，将之前的这些点技术集....
![的头像]()
FindRF 发表于 10-27 11:23
•1254次阅读
固态器件的制造分为以下五个不同的阶段(如下图所示
![的头像]()
FindRF 发表于 10-20 09:41
•3113次阅读
减小特征尺寸和随之可以逐渐增加的电路集成密度有几个好处。在电路性能水平上，有一个显著的优点就是可以增....
![的头像]()
FindRF 发表于 10-13 16:10
•1886次阅读
有人猜测芯片密度可能会超过摩尔定律的预测。佐治亚理工学院的微系统封装研究指出，2004年每平方厘米约....
![的头像]()
FindRF 发表于 10-08 15:54
•3228次阅读
上回我们讲到了在1959年，杰克·基尔比在半导体材料锗上面制作出了世界上第一个集成电路芯片，标志着半....
![的头像]()
FindRF 发表于 10-07 14:54
•1723次阅读
书接上回。我们提到了真空管的诞生催生了集成电路行业的发展，但是最初的真空管由于其体积较大、寿命较短、....
![的头像]()
FindRF 发表于 09-24 14:46
•1992次阅读
在本节中，我们将逐一阐述半导体发展的历史性产品和世界主流半导体制程的代际演进过程。从半导体主要制造阶....
![的头像]()
FindRF 发表于 09-22 10:35
•1789次阅读
闪存芯片是非挥发存储芯片，广泛用于电子产品，特别是如数码相机、MP3播放器、手机、全球定位系统(GP....
![的头像]()
FindRF 发表于 09-11 09:32
•3600次阅读
在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示....
![的头像]()
FindRF 发表于 09-04 09:32
•7029次阅读
内存芯片在驱动ic市场和ic技术发展方面发挥了重要作用。市场上两个主要的内存产品分别是DRAM和NA....
![的头像]()
FindRF 发表于 09-01 09:43
•11263次阅读
掺杂少量铂元素的镍硅化物的稳定性也不尽相同，还与物质的具体结构有关，举个例子来说，NiPtSi，比N....
![的头像]()
FindRF 发表于 08-27 09:18
•1851次阅读
下图(a)中的沉积块状层是必需的，这是为了SEG可以生长在设计的区域。下图(c)显示了KOH硅刻蚀，....
![的头像]()
FindRF 发表于 08-25 09:50
•7904次阅读
三、 无源器件的大功率实时测量方法 无源器件的大功率性能可以通过其在大功率条件下S参数的变化量来....
![的头像]()
FindRF 发表于 08-21 09:29
•3274次阅读
对于先通孔的过程，首先沉积通孔刻蚀停止层(ESL)的层间介质(ILD)、低k电介质、沟槽ESL、低k....
![的头像]()
FindRF 发表于 08-14 10:22
•3338次阅读
使用重离子可以形成源/漏扩展(SDE)浅结(见下图),通常PMOSSDE使用BF；,而NMOSSDE....
![的头像]()
FindRF 发表于 08-07 09:41
•5827次阅读
所谓的键合SOI是使用两片晶圆，一片晶圆通过高电流氢离子注入在硅表面以下形成富氢层，另一片晶圆在硅表....
![的头像]()
FindRF 发表于 08-04 09:52
•2994次阅读
有两个因素影响CMOS集成电路的速度，即栅延迟和互连延迟。栅延迟是指MOSFET开关的时间;互连延迟....
![的头像]()
FindRF 发表于 07-31 10:13
•2868次阅读
CMOS集成电路芯片加工技术的几个主要发展发生在20世纪90年代。
![的头像]()
FindRF 发表于 07-28 10:52
•2972次阅读
因为CMOS工艺易于集成化，并且相对较低的电路功耗，所以。个人电脑、互联网络和数字革命，强烈推动了对....
![的头像]()
FindRF 发表于 07-24 17:05
•4249次阅读
在常规离子注入中，三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B1....
![的头像]()
FindRF 发表于 07-21 10:18
•4662次阅读
如果你是个跑步爱好者，你一定希望在运动过程中实时监测自己的心率，而不是在运动结束后再用秒表来测量心率....
![的头像]()
FindRF 发表于 07-15 09:10
•1408次阅读
与高电压或电流接触会引起电击、烧伤、肌肉和神经损伤、心脏麻痹以及死亡。大约1mA的电流通过心脏就可能....
![的头像]()
FindRF 发表于 07-14 10:02
•1637次阅读
光电探测量采用脉冲激光照明半导体衬底并产生电子-空穴对。电子-空穴对扩散到传感器的电极，从而可以检测....
![的头像]()
FindRF 发表于 07-10 08:56
•1618次阅读
掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，....
![的头像]()
FindRF 发表于 07-07 09:51
•8276次阅读
对于许多仍在使用旋转轮的离子注入设备，大颗粒粒子可能掉落在晶圆表面，这如同一个高速导弹与建筑物的墙壁....
![的头像]()
FindRF 发表于 06-30 10:11
•2038次阅读
阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体....
![的头像]()
FindRF 发表于 06-09 11:31
•9749次阅读
当质谱仪选择了所需的离子后，离子将进入后段加速区域，射束电流与最后的离子能量被控制在该区内，离子束电....
![的头像]()
FindRF 发表于 06-04 16:38
•4795次阅读
