深圳市首质诚科技有限公司文章

• MOT1145HD 技术解析：仁懋 N 沟道增强型 MOSFET 特性与应用2025-10-20 15:56

  

  一、基本参数与结构MOT1145HD是**仁懋电子（MOT）**推出的N沟道增强型场效应管（MOSFET），采用TO-252贴片封装，适用于中大功率开关电源、电机驱动等场景。其核心电气参数如下（典型值@Tₐ=25℃）：参数类别符号额定值测试条件漏源极击穿电压V₍ₛₙ₎100V—连续漏极电流Iₙ120AV₍ₛ₉₎=10V，Tₑ=25℃导通电阻R₍ₛₙₒₙ₎5.

  MOS MOSFET 仁懋电子 479浏览量

• MOT (仁懋) MBR20200F 肖特基整流二极管技术全解析2025-10-20 15:48

  

  在开关电源、高频逆变器等电力电子设备中，肖特基整流二极管的性能直接影响系统能效与稳定性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作为10A级别肖特基整流器件的代表性产品，凭借低功耗、高浪涌耐受等特性，成为工业与消费电子领域的优选方案。本文结合行业通用技术规范与MOT器件特性，从产品概述、核心参数、性能优势、应用场景等维度展开全面解析。产品核心参数详解MBR10

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