深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：MOT2514J N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-14 15:51

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向20V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高密度单元设计实现的超低导通电阻，适用于DC/DC转换器、笔记本核心电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

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• 选型手册：MOT5130T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-14 12:03

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT5130T是一款面向120V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借2.8mΩ超低导通电阻、211A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\

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• 选型手册：MBR30200W 肖特基势垒整流二极管2025-11-13 09:35

  

  仁懋电子（MOT）推出的MBR30200W是一款30A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借200V耐压、低正向压降及高频整流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息器件类型：肖特基势垒整流二极管核心参数：峰值反向耐压（\(V_{RRM}\)）：200V（典型值），最小测试值210V；平均整流输出电流（\(I_o\)）：30A（总电

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• 选型手册：MBR40100W 肖特基势垒整流二极管2025-11-13 09:30

  

  仁懋电子（MOT）推出的MBR40100W是一款40A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借100V耐压、低正向压降及高频整流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息器件类型：肖特基势垒整流二极管核心参数：峰值反向耐压（\(V_{RRM}\)）：100V（典型值），最小测试值108V；平均整流输出电流（\(I_o\)）：40A（总电

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• 选型手册：MOT12N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-12 14:19

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R

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• 选型手册：MOT10N70F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-12 14:15

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT10N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{DS(

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• 选型手册：MOT4511AF N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-12 14:10

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4511AF是一款面向450V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：450V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{D

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• 选型手册：MOT30150F（MBR30150F）肖特基势垒整流二极管2025-11-12 09:48

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT30150F（MBR30150F）是一款30A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借150V耐压、低正向压降及高频整流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息器件类型：肖特基势垒整流二极管核心参数：峰值反向耐压（\(V_{RRM}\)）：150V（典型值），最小测试值160V；平均整流输出电流（\(I_

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• 选型手册：MOT7N70F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-12 09:34

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT7N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、100%雪崩测试验证及700V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{

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• 选型手册：MOT6511J N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-11 09:34

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装，适用于电机驱动（电动工具、电动汽车机器人）等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（

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